中國半導體產業的“豪賭”：中芯國際544億重金砸向何方？

“將全年營收的94%投入擴產”——2025年2月，中芯國際宣佈再投75億美元（約544億元人民幣）。這一數字不僅刷新了中國半導體企業的單年投資紀錄，更意味著這家成立僅25年的代工企業，正在用近乎“孤注一擲”的姿態挑戰全球晶片產業的固有格局。從2024年全球第三到2025年劍指第二，中芯國際的崛起已不僅僅是一個產業競爭，而是一場關乎國家科技主權的戰略突圍。

實際上中芯國際的75億美元投資計畫，如同一把利劍，直指技術突破與產能擴張兩大核心目標。具體而言，這筆資金將主要用於以下三大方面：

一、產能擴張：28nm成熟製程的“飽和式攻擊”

中芯國際將繼續鞏固並擴大其在28納米及以上成熟製程的產能優勢，滿足物聯網、汽車電子等領域日益增長的晶片需求。具體來說：

首先，加快天津12英吋晶圓廠的建設，這個項目式天津的重點項目，按規劃月產能將達到10萬片晶圓，覆蓋28nm至180nm成熟工藝，重點服務汽車電子、物聯網等領域。

其次，將全國四大晶圓製造基地進行資源整合，目前上海、北京、深圳、天津的12英吋晶圓廠同步推進，目標在2025年實現總產能翻倍，突破200萬片/月（折合8英吋）。

其實產能擴張的目標就是爭奪國產替代的訂單，將將國內晶片設計企業訂單留存率從60%提升至85%以上，減少對台積電、三星的依賴。

二、技術突破：7nm以下工藝的“隱秘攻堅”

在穩固28nm成熟製程工藝基礎之上，代表國內晶圓代工一流水平的中芯國際還肩負另外一個使命：那就是國產先進製程工藝的突破。

從2025年中芯國際支出來看，其研發投入佔比超過了30%，約22.5億美元；其將主要用於先進製程研發，繼續在14nm FinFET增強版及N+1（等效10nm）工藝量產、N+2（等效於7納米）等先進製程技術的持續投入，不斷提升良率，力求在技術上突破，縮小與台積電等國際領先企業的差距。如2025年台積電已事項大規模量產3nm，同時在緊鑼密鼓的規劃2nm工藝，預計在今年下半年可實現量產；對比而言中芯國際與台積電有三代以上工藝的差距。

當然，中芯國際並未停止探索和研發，其實一直在做一件事，那就是尋找替代EUV光刻機的方案，在無法獲取ASML最新裝置的情況下，通過多重曝光技術和國產DUV光刻機最佳化，探索5nm工藝可行性。

目前，中芯國際在探索5nm工藝上並非孤軍作戰，已經與中科院微電子所、華為海思等展開密切合作；多方一起合作開發基於RISC-V架構的先進封裝技術，彌補製程短板。

三、國產半導體產業鏈自主率達26.6%

2024年，儘管全球晶片市場環境複雜多變，但中芯國際卻成功超越了格芯和聯電，躋身全球第三大晶片代工廠（位居台積電和三星之後），營收也突破了80億美元，較去年增長了27.7%。其中，晶圓產能更是達到了94.8萬片每月，產能利用率也達到了85%，這意味著它的生產能力得到了顯著提升。

但對於國產半導體產業而言，建構自主可控生態才是終極目標。目前來說，國內在晶片設計有華為海思，根據業內人士分析其設計能力至少達到3nm水平；而在封測領域，長電科技也已達到國際領先水平，達到3nm水平；但相比而言製造環節落後較多。

也正因如此，中芯國際的角色也就愈發重要。根據行業資料，每1元晶圓代工產值可帶動上游裝置材料、下游終端產業約7元GDP增長；這意味著2025年整個晶圓代工將拉動超數千億元生態規模。

比如在中芯國際等國產晶圓廠的推動之下，國產半導體採購率在逐步提升。根據SEMI等機構的資料，中國半導體產業自主率從2012年的14%提升到2022年的18%，並且預計2027年將達到26.6%。甚至有外媒預測到2025年，中國半導體裝置整體自給率有望達到50%。

尤其在國產刻蝕、清洗、去膠和CMP裝置市場，自給率已突破雙位數。在成熟製程和中低端市場，自給率更高。例如，在清洗裝置領域，自給率已提高至50%~60%；在蝕刻裝置領域，中國在成熟製程（28nm及以上）自給率約為50%~60%，但在先進製程（14nm及以下）自給率約為15%。

因而可以說，正是由於中芯國際為代表的國產半導體龍頭的帶領之下，中國半導體產業在自主可控的道路上邁出了堅實的一步。

另外，一個不可忽視的就是人才的網羅，根據外媒的一些消息說中國正以3倍的薪資在全球網羅半導體科技人才。其中，中芯國際更是不惜花費巨資，從台積電、英特爾、三星等大廠挖角眾多資深工程師。

因此，中芯國際的544億豪賭，本質是一場“以規模換時間”的戰略博弈。儘管短期內無法撼動台積電在先進製程的統治地位，但其在成熟製程的絕對產能（2025年佔全球28nm市場的35%）將重塑行業定價權。正如瑞銀報告所言：“中芯國際的估值僅比台積電低15%，這不僅是資本市場的期待，更是地緣科技博弈的定價”。

其終極目標，不是成為第二個台積電，而是打造一條去美國化的半導體供應鏈——從28nm自主可控，到14nm突破封鎖，再到7nm實現反超。正如中芯國際CEO趙海軍所言：“我們不需要超越誰，我們要創造自己的遊戲規則”！ (飆叔科技洞察)