大家好，我是承通投顧副總顏逸民。在過去，AI 運算還沒有那麼普及時，CPU 和 GPU 運算效能的提升，只要搭配傳統的 GDDR 或 DDR 記憶體就已足夠。然而，當 AI 晶片開始處理龐大且複雜的數據時，傳統記憶體的設計就出現了瓶頸，頻寬限制及功耗問題。

傳統記憶體和處理器之間透過平面電路板連接。傳輸線路的長度、數量和訊號干擾，都限制了數據傳輸的速度（頻寬），這就像一條車道有限的高速公路，無法承載越來越多車輛（數據）。由於數據需要長距離傳輸，功耗也會隨之增加，導致發熱量上升，影響系統穩定性。

HBM的設計核心，就是將傳統的「平面」記憶體，變成「立體」堆疊。多個DRAM晶片像樂高積木一樣垂直堆疊，大幅縮短了晶片間的物理距離。這使得數據傳輸不再需要繞一大圈，而是能直接在垂直方向上移動，就像是把一條單車道的高速公路，變成多層的立體交叉路口。加上矽穿孔（Through-Silicon Via, TSV）技術，HBM最關鍵的技術，工程師在每一層晶片上打出數千個微小的垂直通道，讓電訊號可以直接穿越晶片，進行超高速傳輸TSV大幅增加了傳輸通道的數量，進而讓HBM的頻寬是傳統記憶體的數倍甚至數十倍。這種「三明治」式的結構，從根本上解決了上述瓶頸。

3D DRAM，更進一步走向「真正三維堆疊」，未來可能成為高效能運算(HPC)、AI、資料中心的主流記憶體架構，任何利用三維堆疊方式（而不是平面2D排列）設計的DRAM，HBM 是其中一種實現方式，未來還可能有其他更進化的3D記憶體架構。目前市面上唯一大規模商用的3D DRAM，就是HBM。

3D DRAM 最大應用領域在AI 加速運算，為 最主要應用領域。AI 訓練模型（像 GPT、BERT、影像生成）需要龐大的資料頻寬。GPU/AI 加速器若搭配傳統 DDR5，頻寬遠遠不足 → 需要 3D 堆疊的 HBM / 3D DRAM。

例如 NVIDIA H100 / B100 GPU 都採用 HBM，未來可能導入更先進的 3D DRAM。

3D DRAM / HBM 相關供應鏈，例如記憶體廠：南亞科(2408)、華邦電(2344)。

先進封裝測試：日月光投控 (3711)、力成(6239)、中華精測(6510)、台積電(2330)。

材料設備：欣興(3037)、南電(8046)、長華(8070)、中砂(1560)。

漢翔(2634)

漢翔指出，來自美國矽谷的Orbital Composites，在多機械手臂列印系統及積層製造工法方面具獨到優勢，能實現高效率、大尺寸結構的精準製造，漢翔擁有航空產品製造經驗，雙方結合可望展現一加一大於二的綜效。

國巨*(2327)

國巨表示，持續整合各方零組件掌握全面性解決方案，提高集團議價能力，集團會持續推動有機成長與併購策略，並透過策略性併購擴大平台規模。

聯鈞(3450)

主因是甲骨文獲OpenAI五年3,000億美元AI大單，將大買光通訊元件，聯鈞直接供貨光通訊模組，市場預期後續訂單規模可望暴增。

雙鴻(3324)

散熱廠雙鴻第二季伺服器散熱相關產品營收比重已達 45%，受惠輝達 (NVDA-US)GB300 伺服器產品正式出貨，而雙鴻持續出貨水冷板，第三季營收占比上看 60%。

凱美(2375)

國巨非合意併購茂達的重磅訊息持續發酵，市場資金積極湧入國巨集團相關個股，凱美受惠集團整合效益與電源周邊一站式解決方案題材。

華新科(2492)

法人點名低基期族群為本週焦點，被動元件族群受惠AI、5G、電動車等需求回溫，華新科作為MLCC全球前五大廠，直接受惠。

南電(8046)

由於PCB上游關鍵材料T-Glass玻纖布供不應求，帶動成本上揚，IC載板廠南電（8046）BT載板價格已在7月與8月陸續調漲，外資預估第4季BT載板與高階ABF載板將再進行價格調漲，年底更可能出現供應缺口。

*3D DRAM就是把DRAM單元「往上堆疊」的記憶體技術，解決傳統平面 DRAM 容量受限的問題。現階段最成熟的應用就是 HBM (高頻寬記憶體)，未來可能取代部分傳統 DRAM 模組市場。

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