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對於PC DIY玩家而言，過去幾個月可能是近十年來最糟糕的時刻。
DDR4和DDR5記憶體價格不斷飆升，固態硬碟在悄然跟漲，甚至顯示卡廠商也在密謀漲價，組裝電腦成本每天都在變得昂貴，一部分人選擇繼續等待，一部分人選擇降配省錢，也有一部分人無奈選擇高價買入。
但更壞的消息已經出現，美光科技宣佈，將在2026年2月底前全面關閉旗下營運了29年的Crucial消費品牌業務，這個曾經在DIY市場上以物美價廉的原廠品牌，正式退出歷史舞台。
這一決定並非突然。美光首席商務官Sumit Sadana直言不諱地指出；“AI驅動的資料中心增長引發了對儲存器的需求激增。美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業務，以改善對更大規模、戰略性客戶的供應和支援。”
在三大原廠之一的美光看來，消費級記憶體和SSD處於自己產品組合中利潤率最低的一端，需要在高度波動、價格競爭激烈的市場中掙扎。相比之下，資料中心和企業級產品能鎖定長期合同、更高的平均售價和更可預測的需求。
除此之外，目前AI基礎設施對儲存晶圓的需求早已達到了前所未有的程度，這意味著每一片分配給消費產品的晶圓，都會造成超大規模資料中心客戶或企業合同的交付延誤。而即便是縮減規模的消費業務，仍需要最低限度的供應鏈支援，包括產品開發、韌體驗證、合規測試、銷售團隊、零售關係和全球保修營運，這些固定成本在產量縮減時幾乎不會下降。
不止是美光，三星和海力士也是如此，對於這些巨頭來說，完全關閉消費業務、釋放產能和研發資源用於HBM4/HBM4E、企業級固態硬碟和高密度伺服器記憶體模組，似乎就是最理智的戰略選擇。
在宣佈退出消費市場的同時，美光正在日本西部籌劃一場規模空前的產業佈局。據知情人士透露，美光將投資1.5萬億日元（約96億美元）在廣島東廣島市建設下一代高頻寬記憶體（HBM）晶片生產廠。
這座新工廠計畫於2026年5月開工建設，目標是在2028年左右開始出貨HBM晶片。日本經濟產業省將為該項目提供高達5000億日元的補貼。這將是美光自2019年以來建設的首座新工廠，也被定位為世界上最先進的HBM晶片生產基地之一。
時機的選擇耐人尋味。今年5月，美光已在廣島工廠首次引入極紫外光刻（EUV）系統用於大規模生產——這是生產先進晶片所需的最昂貴製造裝置。而隨著美中對抗加劇以及台灣地緣政治風險上升，美光此前集中在台灣的先進HBM晶片生產正面臨供應鏈多元化的壓力。
日本新廠的建設，不僅能為美光確保關鍵的HBM產能，也使日本能夠在國內獲得AI晶片的核心元件供應。這座工廠預計將幫助美光追趕在HBM技術領域保持領先的韓國SK海力士。
然而，美光在HBM競賽中的處境依然嚴峻。根據JPMorgan資料，2024年SK海力士佔據55%的HBM市場份額，三星佔40%，而美光僅有5%。匯豐銀行的資料顯示，美光每月晶圓級HBM晶片產能約5.5萬片，僅為三星（15萬片）和SK海力士（16萬片）的三分之一。
更糟糕的是，韓媒報導稱美光的HBM4產品難以滿足輝達嚴苛的性能和能源效率要求，可能迫使公司重新設計晶片架構。如果屬實，這將導致量產計畫延遲長達9個月，HBM4上市時間推遲到2026年，並使其無法按時完成輝達訂單。業內人士指出："美光目前甚至難以滿足輝達的訂單量，在結構上根本無法同時滿足GoogleASIC客戶的大規模需求。"
這也解釋了為何在GoogleTPU供應鏈中，美光實際上已經退出——產能限制使其無法同時服務多個大客戶，最終韓國企業在規模經濟競爭中佔據了上風。
此次關閉 Crucial 品牌、在日本大手筆擴產，是美光為扭轉其在 HBM 競爭中產能落後局面改採取的關鍵舉措。消費級業務的收縮，意味著更多資本、裝置與技術人力可以投入到 HBM 這條高增長賽道。顯而易見，這一決策展現了美光對下一階段競爭格局的清晰判斷。
SK海力士的HBM之路是一部逆襲史。在2016年的Hot Chips研討會上，當美光工程師尖銳批評HBM、力推混合記憶體立方體（HMC）時，SK海力士的演講者只是低調介紹HBM3計畫，並暗諷“即使是小玩家也能從大玩家手中搶走糖果”。
那時很少有人能想像，這個在HBM2市場遭遇挫折、內部士氣低落的公司，會在幾年後佔據全球HBM市場62%的份額。
轉折點是HBM2E，SK海力士認識到HBM需要與傳統DRAM完全不同的開發方法——必須嚴格遵守客戶時間表和規格，否則什麼也賣不出去。公司組建了跨職能任務小組，高層強調組織敏捷性和跨團隊協調，並在封裝技術上做出關鍵改變——從熱壓縮非導電膜轉向批次回流模塑底部填充，顯著提升了工藝效率和散熱性能。
另一個優勢是定製化能力。雖然HBM遵循JEDEC標準，但每個客戶都有獨特要求。SK海力士堅持“客戶永遠是對的”原則，根據需求調整設計。
在即將到來的 HBM4 競爭中，海力士同樣將“定製化”視為制勝的關鍵方向。
日前，SK 海力士發佈了“全端式 AI 記憶體創造者（full-stack AI memory creator）”願景，以應對這一市場變化。其意圖不僅是提供標準化記憶體產品，而是從 AI 半導體的設計階段就與客戶協同，共同打造“定製化產品”，並提升整體結果。
本月 5 日，SK 海力士開放了新一批社招崗位，面向“定製記憶體設計（custom memory design）”領域招募專家。崗位將開放到 15 日，涉及HBM電路設計、物理設計和數字設計。
尤其是在“客戶定製化產品”相關的數字設計體系方面，SK 海力士重點招募擁有 RTL 設計、前端和後端經驗的資深工程師。在招聘公告中，SK 海力士表示，HBM 數字設計體系的職責包括“與客戶溝通需求、編寫詳細規格”，並補充說明“團隊將在客戶需求基礎上開展 RTL 設計，並與相關部門共同定義 IP（智慧財產權模組）的行為規範”。
除了數字設計體系，SK 海力士在其他社招崗位中也強調“客戶定製能力”。例如，HBM 電路設計體系被定義為“與全球頂尖 AI 客戶協作，主導 HBM 技術的組織”；而物理設計體系則“基於代工廠工藝設計套件（PDK）和 EDA 工具，負責實現全定製設計”。
值得關注的是，在12月4日發佈的“2026 年組織架構調整與高管任命”中，SK 海力士同樣將重點放在擴大定製記憶體業務上。公司為定製（Tailored）HBM 封裝新設立了良率與質量專責組織，稱這是“為及時應對定製化記憶體市場擴張而做出的調整”。
同時，公司也將加強與正在自研 AI 晶片的全球科技巨頭的接觸。SK 海力士計畫在美洲設立 HBM 技術專責組織，以便為客戶提供更及時的技術支援。此外，還將組建“全球基礎設施”組織，加強全球製造競爭力，包括在美國印第安納州建設先進封裝工廠。
在美國、中國、日本等關鍵地區，公司將設立“全球 AI 研究中心”，以吸引人才並強化系統研究能力，同時新設“Intelligence Hub”這一以客戶為中心的矩陣式組織，將客戶、技術和市場資訊整合到一個 AI 系統中，為客戶提供“超預期價值”。
SK 海力士所瞄準的“定製化記憶體”已經在行業中逐步顯現。一個典型案例是輝達最近公佈、目標於 2026 年量產的下一代 AI 半導體平台 Rubin。該平台採用 HBM4（第 6 代）作為 GPU 記憶體，CPU 採用 LPDDR5X（低功耗 DRAM），而面向推理最佳化的加速器 CPX 則搭載 GDDR7（圖形 DRAM）。
一位半導體行業人士指出：“傳統那種把 DRAM 和 NAND 統一掛在 CPU 上的記憶體架構正在瓦解，行業正轉向‘按功能最佳化的記憶體架構’。能否掌握與之匹配的設計與製造能力，正在成為未來競爭力的關鍵分水嶺。”
此外，還值得關注的是SK海力士2026年的擴張策略。韓媒報導稱，SK海力士明年除積極擴產HBM外，也將全力擴充通用DRAM產能。HBM新增產能主要集中在本季度竣工投產的清州M15X晶圓廠，而通用DRAM新產能將來自清州M8、利川M10、M14、M16等現有晶圓廠。其預計，SK海力士的通用DRAM產能將在2026年擴大至每月7萬片晶圓，但實際上有望通過進一步擴產提前達到月投片量10萬的2027年目標。
韓媒還爆料稱，SK海力士與輝達談判中佔據上風，成功將HBM4價格上調超過50%，單價約500美元以上，預期明年營業利潤可能突破70萬億韓元。雖然SK海力士回應稱此為“不實消息”，但市場普遍認為HBM4毛利率約達60%，若維持今年水準，HBM業務明年將創造約25萬億韓元營業利潤。
對於已在市場中佔據領先地位的海力士而言，強化定製化與持續擴產是一套穩健可靠的雙線策略：一方面通過深度定製鎖定客戶，另一方面以更大的產能承接需求，整體競爭態勢幾乎立於不敗。
對三星電子而言，2024 年第二季度無疑是災難性的。Counterpoint Research 資料顯示，其 HBM 市場份額從去年第四季度的 40% 暴跌至 15%，不僅落後於 SK 海力士（64%），甚至被美光（21%）反超，跌至行業第三。
然而，Google TPU 生態系統的擴張為三星提供了強勁的反擊窗口。TPU 是Google與博通合作打造的 AI 加速晶片，每顆晶片整合 6 至 8 顆 HBM。目前，三星和 SK 海力士是Google TPU 的核心 HBM 供應商，今年雙方大致平分了Google的供應份額，甚至部分月份三星略佔優勢。
韓國券商分析師預測：“Google第七代 TPU 將在今年採用 HBM3E，明年第八代產品將升級至 HBM4。三星明年對Google的供應量將是今年的兩倍以上。”分析人士普遍認為，隨著三星產能快速擴張，明年的競爭格局很可能發生逆轉。
事實上，三星近期實現的反超已經開始顯現。根據來自韓國業內的最新消息，三星電子的 HBM 月產能已提升至 17 萬片（按晶圓投入計），超過 SK 海力士的 16 萬片，重新奪回行業第一的位置。分析認為，這一成績來自三星去年下半年以來持續推進的“刮骨式改革”——包括大規模將通用 DRAM 產線轉換為 HBM 產線、集中攻克良率瓶頸，以及研發體系的全面調整。
三星電子在領導層層面也同步推進激進改革。11 月 27 日有消息人士透露，三星召開高管會議，正式確認 DS（半導體）部門的組織重組：原 HBM 開發團隊被併入 DRAM 開發實驗室的設計團隊，由副總裁孫英洙出任負責人。這次重組正是副會長全英賢（Jeon Young-hyun）去年 7 月上任後強力推動 HBM 戰略的延續。事實上，全英賢上任僅兩個月便成立了 HBM 開發團隊，並將先進封裝（AVP）業務團隊調整為直屬管理架構。
在新的組織體系下，三星計畫加速下一代 HBM4／HBM4E 的開發。目前，三星已向客戶交付 HBM4 樣品，預計近期將通過關鍵的質量認證。同時，三星在向Google TPU大規模供應 HBM 方面也獲得突破性進展。業內人士指出：“三星加強與輝達、AMD、OpenAI 等全球科技巨頭的合作後，已經獲得一定程度的 HBM4 相關技術驗證，因此將原應急性質的團隊併入常規組織，以提高效率並準備在明年全面擴大市佔率。”
在組織重整之外，三星真正的底氣依舊在於產能、規模與 IDM 綜合能力。匯豐銀行資料顯示，截至今年底，三星 HBM 月產能約為 15 萬片，並預計在 2027 年提升到 19 萬片。根據韓國業內最新資料，這一數字已提前增長至 17 萬片。三星正在加速將平澤園區的部分 DRAM 產線（P3、P4）轉換為用於生產 1c（10nm 級、第六代）DRAM 的 HBM 產線，也已經著手推動平澤 P5 廠房建設，以應對新一輪儲存超級週期。
隨著定製化 HBM 時代全面來臨，三星的 IDM 一體化優勢將被進一步放大。SK 海力士選擇與台積電組建 One Team 聯盟，利用台積電邏輯工藝生產關鍵 base die，以突破瓶頸；而三星則亮出其王牌——從設計、DRAM、邏輯、到封裝全部自研自造的 turnkey（交鑰匙）模式，依託自家代工工藝生產 HBM 的邏輯層，以在效率、時程與成本上形成整體優勢。
HBM 的利潤空間也讓競爭更加激烈。由於 HBM 單價是傳統 DRAM 的 3 至 5 倍，其在 DRAM 總收入中的佔比今年將從去年的 8% 躍升至超過 20%。隨著三星重新奪回 HBM 產能第一的位置，並持續搶佔市場份額，其營業利潤率預計將明顯改善。尤其在全球大型科技公司（如Google、亞馬遜、Meta）加速開發自有 AI 加速器、並提出多樣化的定製化 HBM4E 需求時，三星憑藉其快速響應能力、設計整合能力和自有代工工藝，正在掌握越來越多的主動權。
據悉，三星已完成 HBM4 的開發，並在展會上首次公開展示實物，預計將在 2025 年第四季度上市。量產計畫基於 10nm 級 1c DRAM 工藝，目標是在速度與能效上取得領先。作為 HBM4 量產關鍵的邏輯層良率已提升至 90%，DRAM 堆疊單元良率也突破量產門檻。
相比美光與 SK 海力士，三星的體量既是負擔也是底牌：規模龐大導致動作不夠靈活，卻也為其提供了更強的資源調度與技術整合能力。而隨著 AI 巨頭加速自研加速器、對定製化 HBM 的需求激增，擁有全端 IDM 能力的三星，反而具備了在下一輪競爭中掀起格局重排的潛力。
美光砍掉29年消費品牌豪擲96億美元，SK海力士大刀闊斧重組押注定製化，三星憑藉GoogleTPU訂單完成絕地反擊——儲存產業正經歷一場空前的戰略分化。
這場變局的本質，是AI時代對儲存技術範式的徹底重構。HBM已不僅是一款產品，更像征著產業邏輯的全面轉向：從規模化量產轉向精準定製，從價格血戰轉向技術壁壘，從多元供應轉向戰略深度繫結。
在這場轉型中，消費市場淪為配角，傳統DRAM價格暴漲，PC供應鏈承壓——這些都是AI基礎設施狂吸儲存資源的連鎖反應。而那些在HBM賽道掉隊、產能捉襟見肘的玩家，都將面臨被邊緣化的宿命。
可以說，儲存行業的遊戲規則已被徹底改寫。群雄逐鹿，鹿死誰手，一切尚未可知。 (半導體行業觀察)