過去兩年，市場談儲存，幾乎都在談 HBM、DDR5 和 AI 伺服器。 但這篇摩根士丹利研報給出了一個很重要的反向視角： AI 資本開支越集中到 HBM、DDR5、高端 NAND，DDR4、NOR Flash、SLC NAND 這些“老儲存”的供給反而越容易被擠壓。 當需求沒有完全消失，而供給退出更快時，老產品就不再只是落後資產，而會變成階段性稀缺資產。

5月26日消息，記憶體價格已經漲了快一年了，現貨價是去年的5倍以上，不過現在DDR4、DDR5的價格也開始分化，其中DDR4價格近期波動很大，本周DDR4記憶體跌幅高達12.5%。 來自中國快閃記憶體市場的資料顯示，本周行業DDR4記憶體條跌幅環比擴大，8GB和16GB分別下跌12.5%和8.82%。 此外，受國內LPDDR新採購成本逐月緩跌及低價方案擾動，本周32Gb、48Gb LP4X/5X價格同樣小幅下跌，出貨明顯承壓。 最近DDR4記憶體跌價的原因受多重因素影響，需求端客戶備貨保守，希望優先消化庫存，而供應端突然傳出了美光重啟DDR4記憶體生產的消息，這也給了DDR4炒貨關鍵一擊。

3月30日，DDR4記憶體現貨市場價格跌幅超30%，三星32G 2266規格的DDR4從單價2100元的高位跌至1320元，DDR3則直接腰斬。海外零售市場同步回落，主流32GB DDR5套裝價格在一個月內下跌近三成，部分型號甚至出現單日暴跌超百元的行情。“記憶體條價格斷崖式下跌”沖上熱搜第一，儲存概念股隨之下挫，關於超級周期是否終結的討論鋪天蓋地。然而合約端的走勢與此完全相反。2026年第一季度DRAM合約價格季增90%至95%，第二季度的漲價已經提前鎖定，再漲約30%。 TrendForce最新資料顯示，第二季整體DRAM合約價仍將季增58%至63%，NAND Flash合約價季增70%至75%。與此同時，Google、微軟及亞馬遜等北美頭部雲廠商正爭相與SK海力士簽署延伸至本十年末的長期協議，不惜支付比手機廠商高出50%至60%的溢價鎖定產能。背後的原因其實並不難理解，現貨市場的大跌，跌的是過去一年大量場外資金和新玩家湧入炒作後積累的庫存，在恐慌情緒下集中釋放。而決定行業景氣度的合約市場與企業級需求，並沒有出現任何同步轉弱的跡象。儲存行業的劇變與其他半導體細分領域相比，儲存行業自誕生之初就呈現出了明顯的周期性特徵，當產能吃緊時，DRAM與NAND價格迅速上行，廠商利潤陡增；而一旦擴產過度、庫存累積，價格又會在極短時間內急轉直下。圍繞這一循環，買賣雙方逐漸形成了以季度為單位的價格博弈體系。但眼下，這套運行了二三十年的規則，正在逐步崩塌。據韓國媒體披露，微軟與Google正與SK海力士推進為期三年的DRAM供應協議談判。與傳統合同不同，這類協議不僅設定了價格下限，還引入了10%至30%的預付款機制，買方不再以壓低價格為唯一目標，而是開始主動承擔部分周期風險，通過資金前置來鎖定未來的供給確定性。預付款，本質上就是反周期的行為。它意味著客戶不再完全依賴市場波動來獲取低價，而是選擇在不確定性上升的階段提前下注，將現金轉化為產能優先權。無獨有偶，三星電子也被曝正在與微軟、Google探討三至五年的長期供貨安排，其中僅微軟一家的預付款規模就可能超過100億美元。美光科技則更早一步邁入這一軌道，在2026財年第二季度財報電話會議上，公司已確認簽署首份五年期戰略客戶協議。三大原廠幾乎同步轉向長期協議，這在儲存器歷史上似乎從未出現過。供給端的緊張，是這一切變化的底層原因。SK海力士一位市場負責人在2025年底曾公開表示，公司DRAM、NAND及HBM全線產能已被預訂至2026年末，幾乎沒有空間承接新增訂單。事實上，在短短幾個月時間之中，儲存行業正在從一個高度市場化的價格周期行業，迅速演變為一個帶有准基礎設施屬性的資源型產業。蘋果，也難以獨善其身在這場席捲產業鏈的供應戰中，身為手機行業龍頭的蘋果處境頗有些微妙。一方面，蘋果擁有全球消費電子領域最強的供應鏈議價能力，歷來以提前鎖定優質資源著稱。另一方面，面對這一輪史無前例的短缺，蘋果同樣感受到了前所未有的壓力。據供應鏈消息人士透露，蘋果正在以極高的價格收購市場上一切可用的移動DRAM，甚至不惜承擔營業利潤的損失，以防競爭對手獲得足夠的記憶體晶片。為應對記憶體荒，蘋果已將iPhone記憶體的採購周期從半年一次壓縮為季度一次，以更高頻率應對市場價格波動。然而即便如此，記憶體危機依然對蘋果造成了非常大的影響，Mac mini和Mac Studio部分記憶體配置的交貨周期已延伸至2026年下半年，某些型號甚至要等到9月才能發貨。曾經被視為供應鏈王者的蘋果，在這場全球性的儲存爭奪戰中，也不得不排隊等候。AI吞噬記憶體巨頭為何簽訂長約，紛紛開始掃貨呢？原因還是出在了大熱的AI資料中心上。AI伺服器對記憶體的需求量是普通伺服器的8至10倍。當Google、微軟、Meta、亞馬遜同時以史無前例的速度擴張資料中心時，這個倍數所帶來的壓力是指數級的。2026年，超大規模雲廠商在資料中心基礎設施領域的資本支出預計約達6500億美元，較上年記錄增長80%。這筆錢湧入市場，帶來的直接後果是DRAM庫存的急劇消耗。行業追蹤資料顯示，DRAM供應商的庫存周期從2024年末的約17周，驟降至2025年10月的僅2至4周。從17周到4周，用了不到一年。而更深層的問題在於產能的結構性擠壓。HBM（高頻寬記憶體）是AI訓練和推理的核心元件，其單顆利潤是DDR4的10倍之多，三大儲存巨頭為抓住AI需求、鎖定高毛利收益，紛紛將先進產能優先配給HBM和伺服器DDR5。這一策略的代價，是普通DDR4和移動端DRAM的供給被急劇壓縮。通用DRAM受衝擊最重，局部甚至出現DDR4價格貴於DDR5的罕見倒掛現象。下游承壓當AI資料重心推動DRAM價格不斷走高的同時，其他行業的下游正在承接著這波衝擊。消費電子行業首當其衝。記憶體成本佔產品成本的比例已從20%上漲至30%以上，部分高端機型甚至超過35%，這迫使PC和手機廠商要麼漲價，要麼降低儲存規格以消化成本，國外的戴爾、惠普去年就已發出漲價預警，而國內手機品牌也在近期宣佈了舊機型和新機型的漲價通知。值得關注的是，中端以下的智慧型手機市場面臨著更為嚴峻的困境。Counterpoint Research預計，2026年中低端智慧型手機市場將承受前所未有的巨大壓力，出貨量較2025年同比下降6.1%。至於那些既無法簽下長期協議、又無財力支付溢價的中小品牌，正在陷入兩難：提價則失去市場，不提價則吞噬利潤，許多智慧型手機廠商已經推遲了產品發佈或降低了硬體配置。汽車行業的反應則提供了另一個維度的觀察。大眾與三星、SK海力士簽訂直供協議；現代汽車打破財閥之間的壁壘，直接與三星簽訂供貨協議；國內部分車廠則與美光簽訂了選型認證和晶片直供協議。車企以高溢價換取確定性的策略，也在無形中為整個記憶體市場的高價格提供了支撐。遠水解不了近渴很多人曾把記憶體降價的希望寄託於原廠的產能擴張，但殘酷的現實是，新產能最快也要等到2027年。據韓媒報導，三星與SK海力士正將資本支出投向提升製造能力，但這些舉措要轉化為切實的產能緩解仍需時日，短期內的投資主要用於將現有產線改造為高端製程、擴建潔淨室基礎設施，而非直接加裝生產裝置以提升晶圓產量，明年下半年前，供應緩解恐難出現顯著改觀。韓媒指出，受全行業潔淨室空間限制，今明兩年儲存晶片供應增速預計將十分有限，而韓國新增晶圓廠產能直至2027年下半年才有望投產，這意味著明年上半年供應緊張格局將持續。三星方面，P5工廠在經歷行業低迷後已復工建設，預計2027年上半年竣工，隨後啟動裝置安裝，2028年下半年才能實現量產。SK海力士方面，龍仁半導體叢集首座晶圓廠Y1預計明年2月竣工，2027年第二季度啟動裝置安裝，前三階段預計同年投產，月產能達15萬片晶圓。換句話說，即便一切順利，大規模新產能的釋放也至少是2027年下半年之後的事。而在這段漫長的等待期內，AI資料中心的建設不會停歇，長期合同持續鎖定產能，普通買家能夠獲取的供應份額將進一步縮小。周期律的終結回望這場風暴的起點，許多人最初以為這不過是儲存行業又一輪普通的價格周期。然而隨著事態發展，越來越多的跡象表明，此番變化的性質遠不止於此。多年期鎖量合同的出現、預付款機制的引入、結算後定價的流行，這些合同結構的創新，標誌著儲存器行業正在完成一次從商品市場向戰略資源市場的蛻變。對於超大規模雲廠商而言，2026年確保供應量的重要性已經超過了追求更低價格，某種程度上已經徹底改寫了DRAM周期。行業人士甚至指出，當前AI算力建設仍處於基礎設施建設初期階段，儲存行業供不應求的局面將長期存在。對於微軟Google這樣率先簽下長約的雲巨頭，正在用大量的資金，為自己在未來幾年的AI競爭中購買一張入場券，對於蘋果這樣的手機巨頭，也能動用雄厚的現金儲備，在行業衰退之際逆流而上，而那些實力不夠雄厚，沒有未雨綢繆的企業，恐怕將在很長一段時間內，為自己的短視付出代價。 (半導體行業觀察)

4月7日消息，據市場研究機構分析，消費型DRAM價格在今年一季度已大漲75-80%，預估第二季DRAM合約價格仍將再增45-50%！分析指出，2026年三月份消費型 DRAM的漲價動能主要集中在4Gb以下容量產品，其中DDR4 4Gb均價月增20%以上，漲幅明顯超出高容量產品。然而，目前DDR3與DDR2市場開始出現轉單需求。受限於產能嚴重不足，三月份DDR3、DDR2各容量產品均價出現20-40%不等的上調，漲幅較DDR4更加顯著。加上三星電子、SK海力士、美光等三大原廠正逐步關停DDR4產線，導致供小於求愈演愈烈。大廠將產能轉向DDR5與HBM等先進製程產品的趨勢，也在進一步加劇成熟市場供給緊張的局面。業內人士分析認為，大廠退出成熟製程的策略短期內難以逆轉，供給端收縮趨勢將持續主導市場走向。訂單轉移效應預計將在未來幾個季度內繼續擴大。部分下游廠商已開始提前備貨以應對後續可能出現的更大幅度漲價。另據報導，三星在今年一季度將 DRAM 合約價大幅上調 100% 後，二季度合約價將再度環比上漲 30%。目前三星已確認，於 3 月底與全球主要客戶完成新一輪價格談判並正式簽署供貨合同，漲價方案已全面落地。此次30%的漲幅並非侷限於單一品類，而是全面覆蓋 AI 伺服器所需的 HBM 高頻寬記憶體，以及 PC、智慧型手機等終端產品使用的通用 DRAM，屬於全產品線同步上調，體現出行業整體供需格局持續緊張。 (國芯網)

但願吧PCPartPicker的資料顯示DDR4和DDR5記憶體價格近期漲勢放緩，表現出穩定性。但分析師指出，這並非供應短缺結束，而是經銷商為了在農曆新年前提高現金流、回籠資金，選擇在此時拋售庫存，導致價格暫時回落。近期飽受記憶體漲價之苦的玩家可能發現，DDR4 和 DDR5 記憶體的價格走勢似乎在過去幾天“冷靜”了下來。然而，科技媒體WCCFTech今日發佈預警稱：千萬不要被這種表面的平穩所迷惑，記憶體市場的“至暗時刻”遠未結束。通過追蹤 PCPartPicker 等平台的價格資料可以發現，DDR4 和 DDR5 記憶體的漲幅確實出現了“抹平”跡象。但分析師twi@jukan05 指出，這並非因為記憶體缺貨問題得到瞭解決，而是受到農曆新年的影響。隨著農曆新年的臨近，管道商和經銷商為了改善現金流、回籠資金，正在通過降低價格或減少溢價的方式加快庫存周轉。換句話說，現在的價格平穩更多是分銷環節的“甩貨”行為，而非上游供應端的降價。與零售端短暫的“溫和”不同，上游供應鏈傳出的訊號極為嚴峻。由於全球 AI 基礎設施建設對 HBM（高頻寬記憶體）、DDR5 以及 LPDDR5 的需求幾近瘋狂，三星、SK 海力士和美光等巨頭已將產能重心傾斜。此前有報導稱，記憶體供應商在談新一季度的 DRAM 合約時，報價漲幅甚至達到了驚人的 125%。在這種“賣方市場”下，供應商不僅不再讓步，甚至在合同中硬性寫入了調價條款，以確保利潤最大化。受到記憶體供應短缺的影響，已有部分 PC 硬體的發佈被迫推遲或變相漲價。分析指出，隨著 AI 算力需求的持續擴容，2026 年記憶體價格預計將維持上行通道。消費者最為關心的，莫過於到底什麼時候能用到原價記憶體。這就不得不談到前段時間我已經寫過好幾遍的文章，關於當前是國產儲存崛起的最佳時機。目前已知，專注於NAND技術的廠商實際上在兩年前已開始進行DRAM技術的研發，也就是說在明年，我們能看到的不僅僅是只有一家國產記憶體大廠。因此，當時間線拉到2027年，預計最快在明年第二季度，我們能看到記憶體熱度的急劇下降，而隨著新勢力的進場，國際記憶體市場也將進入新一輪洗牌。 (AMP實驗室)

上周五儲存再次爆發，主要還是大摩早晨發的兩篇報告（我們周五早晨已發星球），剛好晚上我們請教了北美的儲存專家，側面驗證新邏輯。另外我們再交流幾個話題：3D DRAM、輝達在CES上發佈的新一代 GPU 架構對儲存的影響、以及未來儲存價格的判斷。1/CES2026輝達架構影響從我們以前的儲存框架來講，只是朦朧地知道，在接下來面對更多長文字的時候，可能需要更多的儲存支援。當時行業對轉折原因的分析較為分散，對儲存的判斷不夠清晰。但從25年8月份第三周開始，行情就出現了一個明顯的轉折。尤其是CES之後，輝達在 CES 2026 發佈代號為“Vera”的新一代 GPU 架構，核心升級在於引入專為大模型推理最佳化的計算單元，並配套推出“Context Memory Platform”（CMP，即推理上下文記憶體平台）；如果把邏輯推導到我們底層的計算和應用產品線上去講，從第一代、第二代開始就出現了這個問題：即我們所有的大模型都是 Transformer 架構。在這種架構下，都是採用 QKV 的計算方式。當文字越來越長時，KV 快取的容量就會越來越大。在模型早期，KV 快取是直接放在 HBM裡的，因為它必須有足夠的頻寬才能和 GPU 通訊。所以回看兩年前，HBM 突然被叫到了異常的高度，不論多少錢都要去做。背後的邏輯是：輸入的文字越來越長，對 HBM 的需求一定是長期穩定的。因此，幾家原廠才會不遺餘力地將 HBM 作為最高優先順序進行研發投入。雖然良率很低，但每年都在迭代，因為 KV 快取最初就是存在 HBM 裡的。但兩年前大家就發現這是一個問題，因為 HBM 良率低且極其昂貴。那麼有沒有其他方式？其實兩三年前整個行業就預見到了這個問題，於是很多儲存引擎或資料庫軟體應運而生，也就是想辦法把資料從HBM中拿出來。但從 HBM 裡面拿出來，拿出來往那去放？輝達其實在 DPU系列上一直有佈局。在搭載 B200、B300的時候就配有DPU。到了現在的 BlueField-4（BF4），已經是第四代了。BlueField 的核心邏輯就是通過一張 DPU（資料處理器） 來管理幾張卡的資料。其實在去年，DPU 本身就已經具備了解除安裝/外遷KV 快取 的能力，只是當時模型的發展還沒到那個臨界點，軟體層面的最佳化也還沒像今年 CES 展示的這麼明確。在今年 CES 2026 上，輝達正式推出了基於 BF4 的軟體定義邏輯，將每個 GPU 理論上能支援的最大儲存容量具象化了——即通過 DPU 擴展，單 GPU 可支援高達 16TB 的儲存容量。這個數字的量化非常關鍵。之前關注不多的人可能覺得這是一個新增的東西，但實際上，它只是把大家對儲存需求的估值給具體量化了。這導致這一輪市場對儲存的觀點發生了變化。但從整體上看，無論是架構邏輯還是底層原因，在更長期的路線圖上，它的發展方向其實是一脈相承的，並沒有發生根本性的巨變。2/一些儲存的關鍵問題（1）真實缺口僅 5%-10%，為何漲價預期高達 50%？核心邏輯：恐慌性搶購放大效應供需真相：實際物理缺口並不極端（Global Supply ~12w vs Demand ~12w），缺口約 5-10% 。恐慌傳導：上游原材料漲價 20% + 龍頭（華邦）轉產高利產品（DDR4/NAND）-> 供應端收縮訊號明確 。下游由於庫存極低（疫情後未補庫），恐慌情緒被點燃 -> “怕斷貨”心理導致需求被數倍放大 -> 即使提價也無法滿足需求 。價格指引：2025 Q4 已漲 30%，2026 Q1-Q2 預計再漲 30%-50% 。漲價節奏方面，2025年CQ4為行業漲價起點，但當時漲價未充分落地，2026年CQ1、CQ2漲價趨勢明確，市場信心充足，訂單量較高；不過隨著真實訂單和付款推進，2026年下半年行業或將逐步梳理非緊急需求，需求格局將更清晰。（2）漲價傳導機制：這次不一樣？靈魂拷問：這輪漲價是需求拉動還是因為上游漲價被迫跟進？邏輯鏈條：上游：晶圓代工漲價 ~20% 。競對：台系大廠（華邦等）計畫漲價 50%-100% 。應對：國內順勢跟漲 -> 2025 全年漲 30%，Q4 單季漲 20%+，小客戶漲 40% 。展望：未來一年預期再漲 30%-50% 。隱憂：漲價主要由供給側（產能調整、原材料）驅動，而非單純的需求側爆發，需警惕下游承受力 。（3）為什麼模組廠這次可能會“餓死”？為什麼：以前周期上行時，模組廠都能跟著喝湯，這次為什麼原廠不給貨了？邏輯鏈條：HBM 擠出效應：HBM 需要消耗大量晶圓 + 良率低吃產能 -> 且 HBM 單晶圓毛利遠高於 DDR4/5 。策略逆轉：原廠（美光等）“All in AI” -> 只有把晶圓做成 HBM 或 SSD 才划算 -> 拒絕向模組廠出售晶圓（視為低效產能和潛在競爭對手）。結果：模組廠賴以生存的“低買高賣”模式失效，未來 3-5 年面臨持續的晶圓短缺。3/3D DRAM及封裝技術相關上周和一家Fabless晶片供應商交流，他說目前唯一能量產的3D dram之後國內的那家頂流，下一步就是期待手機26年能量產。今天的專家說未來幾年預計不會落地什麼新的技術，像3D dram等先進封裝技術被定義十年以上的長期研發計畫...短期沒有什麼儲存新技術，僅能通過軟體層面最佳化現有SSD產品 (北向牧風)