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“一天一個價，甚至一天幾個價”，深圳華強北的儲存商戶們這樣描述近期的市場行情。這是儲存行業進入超級周期的鮮明寫照。
眾所周知，隨著AI需求的爆發，儲存行業正經歷一場前所未有的結構性變革。2025年下半年，尤其是近幾個月以來，儲存行業全面進入加速上行周期，儲存原廠盈利能力持續提升，HBM供應緊張，SK海力士2026年底前的產能已基本被AI大客戶鎖定，三星留給中小廠商的份額不足10%。
HBM之外，在這一浪潮中，DRAM作為儲存賽道的另一關鍵領域，重新回到了各大廠商的戰略核心位置，備受追捧。
面對當前儲存市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光三大儲存晶片巨頭採取了不同的應對策略，以適應市場的變化，搶佔未來發展的制高點。
三星：縮減HBM產能，擴建DRAM產線
近期，三星電子計畫將用於HBM3E生產的第四代1a奈米製程產能下調30%-40%，轉而投入第五代1b奈米製程的通用DRAM生產，每月可新增約8萬片晶圓產能。
據悉，目前三星的HBM3和HBM3E記憶體均基於1a奈米製程的DRAM，而HBM4則基於1c奈米製程，以形成對SK海力士的競爭優勢，1b奈米製程工藝產能主要由通用DRAM佔據，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用於生產GDDR7。因此，對於三星電子而言其1b製程DRAM產能的盈利能力反而超過了受益於HBM高價格的1a製程，進而推動其產能從HBM熱潮到DRAM轉向。
據瞭解，三星這次調整的背後是明確的利潤考量。三星內部評估顯示，儘管HBM產品單位售價高，但其議價能力弱。雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了輝達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限，且供給輝達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的利潤率只有約30%左右。
此外，輝達、AMD等頭部廠商都計畫從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致HBM3E市場需求減少。據預計，明年12層HBM3E產品的售價可能將再下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。
而相比之下，在AI熱潮下，HBM搶佔標準DRAM產能，短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基於1b奈米製程DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。三星基於1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的利潤率將超過60%，遠高於HBM3E產品。
因此，對於三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。
不僅如此，三星還將平澤和華城園區的部分NAND快閃記憶體產線改造為DRAM產線，聚焦資料中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X產品，以快速響應AI伺服器的旺盛需求。
另一方面，三星為搶佔HBM4先機，也正在加緊提升1cnm DRAM的生產能力，計畫到2026年第二季度將產能提升至每月14萬片晶圓，到第四季度進一步提高到每月20萬片晶圓。據TrendForce報導，為實現這一目標，三星一方面通過現有的DRAM生產線過渡，另一方面通過平澤P4工廠的新投資來實現。
不過最近也有傳聞表示，三星對於HBM4的投資偏於謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。
從整體而言，在這場產能佈局的調整中，三星展現出了果斷的決策力。通過這一系列舉措，旨在最佳化產能配置，提高生產效率，從而在激烈的市場競爭中佔據更有利的地位。
正如業內知情人士透露：“三星致力於在明年取得優異的市場業績，其核心目標是實現比SK海力士更高的利潤，並在盈利能力方面實現趕超。因此，這也是三星計畫保持DRAM產量的高速增長，並計畫將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM的原因所在。”
與三星的戰略調整相呼應，SK海力士也在調整自己的產能佈局。
據報導，為應對旺盛的DRAM需求，SK海力士計畫將DRAM產能投資目標翻了一番。不過不同的是，SK海力士的大部分DRAM產能的擴張仍是投資於HBM等資料中心產品的應用。
SK海力士在其第三季度財報會上進一步強化了這一預期：“儘管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調整產能結構。”
可見，SK海力士擴產規劃與旨在通過擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子存在差異，其更傾向於提高面向資料中心的DRAM產品需求來提升獲利，畢竟SK海力士在HBM領域的市場份額遙遙領先，並且2026年的HBM產能已銷售一空。
對此，SK海力士M15X晶圓廠預計2025年底量產1b DRAM，初期月產能3.5萬片，主要用於HBM3E核心晶片生產，以鞏固其在HBM市場50%以上的份額優勢，未來預計可擴大至5.5萬-6萬片。
業界估算SK海力士的HBM4利潤率約為60%。，其明年HBM銷售額約為40兆至42兆韓元。若維持與今年相同的利潤率，SK海力士僅HBM業務就將產生約25兆韓元營業利潤，較今年的17兆韓元增長近50%。
不過值得注意的是，在加碼HBM產能的同時，SK海力士並未放緩通用DRAM的佈局。SK海力士的產能提升計畫重心主要集中在最先進的1c DRAM技術節點。
據韓國媒體報導，SK海力士計畫明年將第六代10奈米DRAM（1c DRAM）月產能從目前約2萬片300mm晶圓提升至16萬至19萬片，增幅達8至9倍，佔其DRAM總產能的三分之一以上。
據業內人士透露，SK海力士已將1c DRAM的良率提升至80%以上，該製程主要用於製造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM產品。而此次擴產後的1c DRAM將主要聚焦於生產GDDR7和SOCAMM2等產品，以滿足輝達等大型科技公司的訂單需求。
此前，SK海力士將產能重點放在HBM上，判斷HBM需求增長將超過通用DRAM。但隨著AI模型從學習擴展到推理領域，通用DRAM的需求增速預計將與HBM相當。在AI推理應用中，比HBM更節能、更經濟的先進通用DRAM成為主流選擇。
輝達近期發佈的AI加速器Rubin CPX採用的是GDDR視訊記憶體而非HBM視訊記憶體，直接部署在處理器旁邊。輝達使用的面向AI伺服器和PC的記憶體模組標準的SOCAMM2記憶體模組同樣採用1c DRAM，與HBM相比頻寬較低但能效更高。Google、OpenAI和亞馬遜網路服務等大型科技公司也在開發整合大量通用DRAM的定製AI加速器。
在此行業趨勢下，業內人士預測SK海力士將獲得一定數量的供應訂單。
這一戰略調整反映出AI推理應用對成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正將戰略重心從HBM擴展至更廣泛的AI記憶體市場。相比需要複雜堆疊工藝的HBM，1c DRAM的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。
綜合來看，在HBM和通用DRAM雙輪驅動下，業內人士預計，SK海力士明年設施投資額將輕鬆突破30兆韓元，較今年預計的25兆韓元大幅增長。市場預測該公司明年營業利潤有望超過70兆韓元，創下歷史新高。
相較於韓國儲存雙雄，美光的戰略轉向顯得更加決絕。
美光不僅選擇終止移動NAND產品開發、甚至不惜砍掉消費類業務品牌Crucial，計畫將這部分產能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業級DRAM和SSD產品上來，將未來所有產能和研發資源全力投向資料中心市場，以滿足AI領域日益增長的需求。
這個看似簡單的品牌“停擺”決策，背後藏著一張利潤表的激烈博弈。據美光內部一份未公開的財務資料顯示，2025年上半年，資料中心儲存晶片的毛利率高達42%，而消費級儲存產品的毛利率僅為14%，前者的利潤是後者的3倍。
對此，Crucial品牌營運負責人在內部會議上無奈表示：“我們不是放棄消費者，而是在資本的選擇裡，沒有太多餘地。”
TrendForce集邦諮詢報告指出，美光目前正在新建多個工廠的產能。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於2024年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。
值得注意的是，在愛達荷州的博伊西晶圓廠，美光把原本生產消費級儲存晶片的3條生產線，全部改成了生產HBM和資料中心用DRAM晶片的生產線。“我們跟輝達簽了一份為期3年的供貨協議，每年要給他們供應至少120萬顆HBM晶片，為了完成這個訂單，我們不得不調整產能。”美光首席執行長Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示。
據路透社消息，在經過大規模的市場調查之後發現，今年10月，Google、亞馬遜、微軟和Meta也紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加資料中心/企業級的供給。
美光科技首席商務官Sumit Sadana在接受採訪時表示，2026年DRAM記憶體供應形勢將比當前更為嚴峻。他指出，HBM產品對晶圓的消耗約為傳統DRAM的三倍，而主要廠商正將大量產能轉向HBM，疊加新建DRAM晶圓廠成本上升與周期延長，短期內難以實現大規模擴產。美光計畫於2026年小批次交付HBM4，有望提升其在該領域的市場份額，逐步接近整體DRAM市場的佔有率水平。
今年6月，美光宣佈開始逐步停產DDR4，預計在未來6到9個月內出貨量將逐步下滑，直至最終徹底停產。這一動作清晰地展現出其對高端產品的傾斜與對未來趨勢的前瞻判斷。美光通過聚焦高價值儲存戰略，強化了其在高端儲存市場的優勢，也為未來發展積蓄了新的動能。
不過，隨著智慧型手機、汽車等領域DRAM搭載量持續提升，美光正與客戶協商調整車用記憶體定價策略，並將適當延長DDR4記憶體生產以滿足市場需求。
分析來看，儲存巨頭的產能轉向並非偶然，而是由利潤、需求和技術三重因素共同驅動的戰略調整，但其路徑選擇卻因各自市場地位與技術儲備的不同而呈現出顯著差異。
利潤是最直接的驅動力： 三星的HBM3E因定價較競爭對手低約三成，且市場份額有限，營業利潤率僅為30%左右。相比之下，AI熱潮導致的供應緊張，使得基於1b奈米製程的通用DRAM（如DDR5）的預期利潤率超過60%。這一巨大的利潤差，直接驅動三星計畫將30%-40%的1a奈米HBM3E產能轉向通用DRAM；
而SK海力士因其在HBM市場佔據絕對主導地位，其HBM業務利潤率高達約70%，因此其重心仍優先保障HBM，但也同時加速擴產1c DRAM，應對通用DRAM利潤率即將追平HBM的市場變化；
美光則最為決絕，通過砍掉消費級品牌Crucial，將全部產能和資源重新分配給利潤率數倍於消費級產品的資料中心/HBM市場，規避低利潤陷阱。
市場需求的變化同樣關鍵：在需求層面，AI應用從訓練向推理及邊緣側延伸，引發了對大容量、高性價比儲存的結構性變化。這不僅持續推高HBM需求，更催生了對GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆發性需求。例如，輝達新發佈的AI加速器也採用了基於通用DRAM的解決方案。面對Google、微軟等雲巨頭“無限期訂單”的強勁需求，巨頭們不得不重新評估產能分配。
面對AI浪潮下的市場結構變革，三星聚焦AI伺服器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，搶抓通用DRAM短缺紅利；SK海力士兼顧AI訓練對HBM的剛需與AI推理對GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期訂單與長期趨勢；美光則響應輝達、Google等巨頭的“無限期訂單”，加碼資料中心儲存供給。
技術與產能的適配性是戰略落地的基礎：HBM生產複雜、良率爬升慢，擠壓了通用DRAM的晶圓產能。因此，三巨頭的製程策略出現分化：三星以1b製程提升通用DRAM產能效率，同步押注更先進的1c奈米製程用於未來HBM4，以尋求技術超車；SK海力士則基於其領先優勢，選擇將更成熟、可快速擴產的1b奈米製程作為HBM3E/HBM4的產能基石，實現通用產品快速擴產，規避HBM複雜工藝的產能限制；美光通過產線改造與DDR4停產，集中資源攻克HBM4技術與高端DRAM領域，適配高端市場需求，三者均以製程升級實現產能最佳化與利潤最大化的雙重目標。
同時，為快速響應市場，三星和SK海力士都在大幅擴建1c奈米通用DRAM產能，而新建工廠周期較長，普遍到2027年及以後才能達產，也迫使它們必須最佳化現有產能。
在這場儲存盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨頭憑藉技術優勢、市場份額與產能規模，成為最大受益者，各自謀劃未來藍圖。
三星電子、SK海力士和美光科技在DRAM領域的競爭呈現差異化特徵。三星正以規模優勢重塑其市場地位，計畫將每月1b奈米製程產能增加約8萬片晶圓。該公司計畫通過平澤Fab 4工廠的1c製程專用產線，在2026年將DRAM產能提升至每月15萬片。
從市場份額來看，2025年Q1三星在全球DRAM市場的份額為34%，落後於SK海力士的36%。但三星憑藉其強大的技術實力和產能優勢，採用“通用DRAM保量、HBM4搶高端”的雙線策略，目標是在2026年實現DRAM營業利潤超越SK海力士，重新奪回全球DRAM市場份額第一的寶座。
SK海力士則採取了不同策略，作為HBM市場的絕對龍頭，選擇聚焦高壁壘的HBM3E/HBM4產能擴張，短期以HBM3E保障輝達、Google等核心客戶的確定性需求，規避HBM4量產過早帶來的技術驗證風險；長期通過HBM4、HBM4E的技術迭代與產能擴張，維持市場龍頭地位並鎖定高端溢價。
同時增加資料中心級DRAM供應，以1c製程擴產為核心抓手，既通過資料中心專用產品承接AI算力爆發需求，又靈活調整通用DRAM產出，把握價格上漲周期的盈利機遇，同時保障客戶供應鏈穩定。
SK海力士在DRAM與HBM兩大賽道的佈局始終緊跟市場需求變化，形成核心業務穩固擴張、高端產品精準卡位的雙軌戰略。據報導，SK海力士2026年全系列儲存訂單基本已經售罄。
在面對市場變化和競爭壓力時，美光的策略更加聚焦。在退出中國資料中心市場後，美光將資源集中於HBM4技術研發與DDR5產能建設，計畫在2026年將HBM產能增加四倍，並加速 1α 奈米製程的量產。同時主動縮減消費級DRAM品牌業務，將產能優先分配給蘋果、Google等高價客戶，這一舉措雖然在短期內可能會影響美光在消費市場的份額，但從長期來看，有助於美光提升整體利潤率。
在技術研發上美光也不遺餘力，不斷提升HBM和DDR5的性能指標，以滿足高端市場對儲存性能的嚴格要求。
儲存巨頭的產能轉向正在對整個行業產生深遠影響。
對消費電子市場的影響首當其衝。有業內人士表示，記憶體價格已經飆升到“幾乎負擔不起”的程度。這種局面大機率會貫穿整個2026年，可能要到2027年下半年才有所緩解。
在供應鏈層面，儲存模組廠成為受影響最直接的一環，產品隨行就市，上游漲價，下游傳導。許多頭部模組廠已經決定暫停出貨並重新評估報價。
能夠感受到，產業鏈重塑正在悄然發生。
尤其是在AI浪潮帶來的超級周期下，儲存市場正從消費驅動向技術驅動轉型。隨著大模型訓練和推理對記憶體容量需求的激增，HBM和DDR5記憶體的緊缺可能進一步傳導至整個儲存產業鏈。
市場預計這一供需失衡局面將持續到2027年，當新的產線陸續投入營運，儲存行業的格局也將隨之改變。不過，隨著輝達將AI晶片更新周期縮短至一年，儲存行業的這場技術軍備競賽，遠未到停歇之時。(半導體行業觀察)