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據韓國《朝鮮日報》今日消息，三星電子、SK海力士等儲存供應商已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20%。一般而言，在新一代HBM產品面世之前，供應商往往會下調前一代產品價格，因此本次漲價在業內較為罕見。
在這背後，是供需兩端的共同作用。供應方面，儲存廠商預計明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對其產能投入，導致HBM3E產能遭到積壓。
需求方面，除了輝達之外，來自Google、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。
其中，輝達H200晶片每顆搭載6顆HBM3E；搭載HBM3E的Google第七代TPU和亞馬遜Trainium將於明年開始出貨，兩款產品HBM搭載量均較上一代產品增加約20%至30%，前者每顆搭載8顆HBM3E，後者搭載4顆HBM3E。
KB Securities指出，由於ASIC需求激增，以ASIC為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量將有望較2025年暴增3倍，預估將達111億Gb。且其預計明年HBM市場的營收佔比將為HBM4佔55%、HBM3E佔45%；從明年第三季度起，HBM4將快速吸收HBM3E的需求。
值得注意的是，美光在上周的業績會上，同樣對HBM給出了樂觀預期。
公司高管透露，公司2026年（日歷年）全年HBM的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），復合年增長率約40%。美光預計2026年資本支出將達200億元，用於支援HBM和1-gamma DRAM供應。
招商證券表示，預計儲存產業後續DRAM和NAND資本開支將會持續增長，但對2026年產能助力有限，預計2026年DRAM和NAND資本開支分別同比增長14%和5%，但擴產次序還是優先AI高端儲存，NAND類相對靠後。 (科創板日報)