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時隔14年之後推出新光刻機，日本佳能開始在成熟晶片領域對中國企業進行圍剿
01
前沿導讀
據《日經中文網》新聞指出，日本光刻機廠商佳能準備在2026年發售新一代的KrF光刻機裝置，該裝置的晶圓處理效率為每小時400片以上，相較於上一代裝置提升了30%。
這是時隔14年之後，佳能首次對製造成熟晶片的光刻機進行技術升級，並且佳能宣佈隨後會繼續推出更先進的AfF乾式光刻機裝置，其主要目標就是搶佔成熟晶片市場。
02
裝置競爭
據《中商產業研究院》所整理的資料顯示，在全球光刻機市場當中，ASML掌控著62%的總市場份額，其次是佳能佔比31%，最後是尼康佔比7%。
在所售光刻機當中，銷量最多的是248nm波長的KrF光刻機，其次是更古老的365nm波長i線裝置。而193nm波長的先進ArF光刻機，以及13.5nm波長的EUV光刻機，加在一起也只有22.7%的總數量佔比。
從整體的市場銷售來看，ASML掌握著絕對話語權，在先進裝置領域幾乎沒有對手。雖然EUV光刻機的銷量只有總產業銷量的7.2%，但是其創造的利潤價值是無法估量的數值。
佳能憑藉著奈米壓印技術在儲存晶片領域佔據一定市場，也因為佳能選擇押注奈米壓印技術，所以佳能到目前為止並沒有ArF光刻機，只有一些技術成熟的KrF和i線裝置。
尼康則是與佳能相反，並沒有跟佳能一樣走奈米壓印路線，反而是跟隨ASML採用ArF浸潤式技術。不過由於尼康總部的決策速度太慢，導致ASML已經在ArF領域取得了絕對統治權，尼康現在的光刻機銷量絕大部分都是本土企業或者海外的合資工廠改採購，市場空間極其有限。
據《佳能中國》資料顯示，佳能曾在2021年的上海半導體展會上面發佈了多款光刻機產品。
其中包括了i線光刻機和KrF光刻機，可以製造功率器件、通訊器件等多種半導體產品。同時還發佈了應用於封裝環節的i線步進光刻機、製造顯示面板的光刻機，以及佳能安內華公司提供的配套零部件。
彼時的中國晶片產業已經被美國封鎖了EUV光刻機和相關的製造裝置，中國本土的光刻技術無法滿足於國內企業的需要，產業出現了技術斷層。
佳能在這個時期向中國市場上投放大量製造裝置，一方面可以有效解決中國晶片產業缺少裝置的困境，另一方面也可以借此機會通過中國市場來賺取利潤，吃掉一部分本該屬於ASML的市場空間。
03
成熟晶片
2024年9月，中國工信部正式對外公佈了中國新一代光刻機裝置的技術指標。總共有兩種新裝置，一種是248nm波長的KrF氟化氪光刻機，一種是193nm波長的乾式ArF氟化氬光刻機，其乾式ArF光刻機的硬體水平相當於ASML在2015年推出XT：1460K。
這兩款產品的發佈，標誌著中國光刻機產業迎來了新一輪的技術更新。雖然整體的技術指標對比ASML的產品差距很大，但是對於銷售成熟節點光刻機的尼康和佳能來說，有著直接衝擊。
根據佳能工業部門的資料顯示，除奈米壓印光刻機之外，在傳統光刻機領域，佳能最先進的i線光刻機為FPA-5550iZ2，解析度350nm，套刻精度25nm。最先進的KrF光刻機為FPA-6300ES6a，解析度為90nm，套刻精度為5nm。
雖然佳能KrF裝置的套刻精度比中國光刻機更高，但是其裝置的解析度要比中國光刻機低很多。從技術與商業的兩個維度看，佳能的i線裝置與KrF裝置，均已經在技術指標上被中國公佈的國產光刻機趕超。
ASML統治著先進光刻機市場，尼康憑藉著略差一些的ArF光刻機也可以維持市場，現在只剩下佳能徘徊在產業邊緣。
佳能所持有的奈米壓印裝置由於其技術特殊性，目前只被用於製造儲存晶片和特色工藝晶片，無法應用到邏輯晶片上，而佳能出貨量最多的i線和KrF裝置，又被中國製造的光刻機所趕超。
如果佳能拿不出水平更高的傳統裝置去搶佔市場，那麼等中國光刻機在國際市場上全線鋪開，佳能所面臨的抉擇只有兩個，要麼將傳統裝置市場讓給其他企業，要麼拿出更高水平的裝置打敗對方。 (逍遙漠)