•
NAND行業的發展趨勢。如今，NAND已被公認為全球儲存需求不可或缺的核心，正推動供應商與客戶之間的商業合作模式發生根本性轉變。為支撐超越傳統周期性市場模式的結構性需求，供應穩定性、更長的規劃周期以及多年期合作承諾變得日益重要。
我們正與客戶展開磋商，力求從季度談判模式轉向多年期協議，明確供應和定價方面的堅定承諾，以實現更高效的規劃流程和更可觀的回報。
我們宣佈已與鎧俠（Kioxia）達成協議，將四日市（Yokkaichi）合資企業的期限延長至2034年12月31日。此次延長後，四日市和北上（Kitakami）合資企業將擁有相同的到期日。作為延長協議的一部分，SanDisk同意支付鎧俠提供的製造服務費用，以確保產品供應的持續可用性，總金額為11.65億美元。該款項將在2026年至2029年期間支付，相關成本將在未來九年內計入產品銷售成本。
第三季度，我們預計營收在44億至48億美元之間。我們預計市場供應短缺情況將比第二季度更為嚴重。
以資料中心為例，我們已經經歷了三輪預測調整：上一季度，我們將該市場的增長預期從20%多上調至40%多；現在，我們預計2026年資料中心市場的艾字節（EB）增長將達到60%以上。我認為我們的客戶（尤其是資料中心客戶）已經意識到這一點——他們正在規劃2026年、2027年、2028年甚至2029年、2030年的需求，所需的EB容量極為龐大。
其次，根據我們的初步評估，以2027年需求為例，KV Cache這部分新增需求大約在75-100EB之間，次年可能翻倍。因此，這是一個相當可觀的需求增量。
我們認為有機會重新設計NAND架構以適配人工智慧應用，並為其註冊了“高頻寬快閃記憶體（High Bandwidth Flash）”商標。過去一年，這一方向已得到更廣泛的認可，現在有很多企業都在涉足這一領域。我們也在持續推進相關工作，進展非常順利——我們正與客戶深入探討應用場景，設計NAND晶片，開發控製器。隨著計畫的逐步明確，我們將分享更多資訊。
一、整體業績與戰略定位
為了應對以AI為核心的市場需求轉型，公司持續加強技術競爭力，擴大高附加值產品佔比，通過兼顧收益性和增長性的戰略實現業績突破。2025年再次印證了公司全球領先的技術實力。
公司將依託差異化技術競爭力，在實現可持續業績增長的同時，保持未來投資、財務穩健性與股東回報之間的最佳平衡。將超越傳統的產品供應商角色，致力於滿足客戶對AI性能的需求，進一步鞏固作為AI時代核心基礎設施合作夥伴的地位。
針對AI驅動的需求結構重組，通過強化技術競爭力和擴大高附加值產品佔比，同時實現盈利能力和成長性的戰略應對結果。
二、AI儲存（HBM為主）
目標是在HBM4領域佔據壓倒性的市場份額，就像我們在HBM3和HBM3E產品領域所做的那樣。
利用我們專有的封裝技術——先進MR-MUF，我們計畫確保獲得與12-Hi HBM3E產品相當的良率。
即使我們最大化生產，也無法100%滿足HBM需求，因此預計會有一些競爭者進入市場。儘管如此，基於性能、可生產性和質量，我們的市場領導地位和主要供應商地位將繼續保持。
將加強與客戶和合作夥伴的協作體系，在正成為下一代核心競爭要素的“定製化HBM”領域也做好供應最優產品的準備。
三、DRAM與NAND業務
HBM銷售額同比增長逾一倍，成為創下歷史最高業績的核心動力。通用DRAM方面，公司已正式量產第六代10奈米級（1c）DDR5 DRAM，並成功開發基於第五代10奈米級（1b）32Gb單片的業界最高容量256GB伺服器DDR5 RDIMM模組。
在NAND快閃記憶體業務領域，在上半年需求疲軟之際，公司完成了321層QLC產品研發，下半年通過應對企業級固態硬碟（eSSD）為主的需求，創下了年度銷售額歷史新高。
在NAND快閃記憶體方面，將通過轉向321層堆疊技術最大化產品競爭力，同時利用Solidigm的QLC企業級固態硬碟（eSSD），積極滿足面向AI資料中心的儲存器需求。
四、供需格局與產能
隨著AI市場從訓練向推理轉型，分佈式架構的需求將持續擴大，儲存器的重要性也將進一步凸顯。不僅HBM等高性能儲存器需求增長，面向伺服器的DRAM和NAND快閃記憶體等整體需求也將同步擴大。
將優先考慮滿足客戶需求以強化合作關係，儘早最大化清州M15X的產能，並通過龍仁一期工廠建設穩定擴充中長期生產基礎。
順利推進韓國清州P&T7工廠和美國印第安納州先進封裝工廠，建構融合前端與後端工藝的全球一體化製造能力，靈活應對客戶需求的變化。
五、資本開支
由於產能擴張、加速技術遷移以及對未來基礎設施的投資，2026年的資本支出預計同比顯著增加。但同時，我們將通過監控市場狀況並平衡需求可見性與投資效率，維持資本支出紀律。
一、DS部門與儲存業務整體業績
裝置解決方案（DS）部門季度銷售額環比增長33%，儲存業務在HBM及其他高附加值產品銷量擴大、市場價格全面上漲的推動下，季度營收與營業利潤均創歷史新高。
2025年第四季度，儘管供應受限，儲存業務仍通過滿足強勁的傳統DRAM需求、擴大HBM銷量並伴隨價格整體上漲，實現季度營收與營業利潤雙創新高。本業務聚焦於通過提升HBM、伺服器DDR5及企業級SSD等高附加值產品銷量，最佳化盈利能力。
展望2026年第一季度，DS部門預計AI與伺服器需求將持續增長，帶來更多結構性增長機遇。對此，部門將繼續聚焦高性能產品，強化盈利能力。
二、HBM與AI儲存產品
首席財務官朴淳哲（Sooncheol Park）：HBM4已按計畫進入穩定的全面量產階段，包括面向客戶需求的高性能11.7Gbps規格產品，出貨將於2月啟動。
首席財務官朴淳哲（Sooncheol Park）：展望2026年HBM業務，我們所有量產產能目前均已被客戶採購訂單（PO）全額預訂。預計2026年HBM銷售額將大幅提升，同比增長超三倍。
儲存業務正按計畫於本季度開始交付HBM4產品，包括行業領先的11.7Gbps性能規格——旨在重新確立高端HBM市場的領導地位。
2026年，儲存業務將基於產品競爭力，與客戶保持緊密合作，通過及時交付具備競爭力的HBM4產品、擴大DDR5、SOCAMM2及GDDR7等AI相關產品的銷量，滿足客戶需求。
三星電子CEO全永鉉：客戶對三星下一代HBM晶片（即HBM4）的競爭優勢給予高度評價，三星正強勢回歸（市場）。
三、NAND與企業級儲存
公司計畫積極應對AI相關的NAND需求，重點擴大高性能TLC產品的銷售，以滿足推理等關鍵場景下的高價值SSD需求，提升伺服器固態硬碟在NAND快閃記憶體總收入中的佔比。
四、市場供需與行業判斷
儲存晶片業務高管金在俊（Kim Jaejune）：儲存產品的全面嚴重短缺態勢預計將持續一段時間。
2026年全年，DS部門將依託產品競爭力，在需求快速增長的環境中引領AI時代，尤其要擴大DRAM與NAND中AI相關產品的銷量。
五、資本開支與產能投資
投資者關係主管丹尼爾・吳（Daniel Oh）：
2025年第四季度，公司資本開支從上一季度的9.2兆韓元增至20.4兆韓元，其中19兆韓元分配給DS事業部，0.7兆韓元分配給顯示業務。
儲存業務的投資環比、同比均有所增加，因我們正推進先進製程過渡，以擴大HBM等高附加值產品的銷售。
基於市場前景，我們預計2026年儲存領域的資本支出將有所增加，具體投資計畫仍在最終敲定中。
六、DS部門整體戰略
DS部門負責人全永鉉：三星DS部門將依託“一站式”解決方案能力，全面應對AI半導體需求的快速增長。作為全球唯一一家覆蓋邏輯晶片、儲存器、晶圓代工及先進封裝的半導體企業，三星致力於與客戶共同引領AI時代。
2026年全年，DS部門旨在憑藉產品競爭力引領人工智慧時代，在需求環境迅速增長的情況下，尤其要擴大DRAM和NAND中與人工智慧相關產品的銷售。 (斯托瑞吉)