2025年花費106億美元進口光刻機，中國企業明明有中國國產光刻機，為什麼還要從ASML進口？

2026/02/20

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據國際金融機構Bernstein（伯恩斯坦）整理的資料顯示，2025年中國進口光刻機所花費的金額為106.2億美元，與2024年基本持平。

在2025年12月份，中國的進口光刻機金額創下了23億美元的新月度記錄。據ASML年度財報大會表示，預計2026年中國大陸地區佔ASML總銷售額比例將會降低至20%，只能出口給中國特定的技術產品。

據ASML在2025年第四季度發佈的財報資料顯示，中國大陸地區在去年第四季度佔據了ASML總銷售數量的33%，購買的裝置絕大部分都是未被限制的DUV光刻機。雖然中國大陸地區在該季度依然是ASML出貨量最多的地區，但是對比24年同期的41%，下滑明顯。

現如今，在ASML官方上架的浸潤式光刻機資料當中，從NXT:1980Fi到NXT:2150i全部禁止對華出口，甚至已經在官方資料庫下架的NXT:1970i，也被美國列入禁止對華出口的清單中。

這些裝置擁有製造7nm邏輯晶片的能力，也是美國近幾年除EUV光刻機之外，對中國嚴防死守的關鍵裝置。

而較差一些的NXT:1950i、NXT:1965i以及乾式光刻機等老舊裝置，則是被美國允許出口給中國企業。這些裝置大部分都用在製造成熟晶片和儲存晶片上，最高可支援20nm及以下節點的儲存晶片製造。

受人工智慧爆發式的影響，現在全球儲存晶片的產能已經不足以支撐消費電子行業的需求，這直接推高了全行業的產品售價。中國的長江儲存和長鑫儲存正在借此機會進行產能擴充，嘗試借助當下的窗口期實現對海外企業的市場壓制。

在儲存晶片產能擴充的推動下，中國大陸地區再一次成為ASML全球最大的客戶市場。

中國工信部在2024年公佈了兩台最新的國產光刻機，一台是採用248nm波長的KrF光刻機，一台是採用193nm波長的ArF乾式光刻機，這兩台裝置均為製造成熟晶片所需的裝置。

國產ArF光刻機的硬體指標相當於ASML在2015年推出的XT:1460K，但是在套刻精度上面要差於1460K。

套刻精度指代的是上下兩層晶圓圖像之間的對準精度，精度越高，其圖案的堆疊正確率就越高，晶片的良品率也就越高。如果精度過低，那麼其直接影響的就是晶片良品率和產能。

如果將這個問題具象化體現，那麼就相當於蓋樓房。

建設一座摩天大樓，每一層的鋼筋骨架必須要完全對其。那怕是有誤差，也必須控制到極其微小的合理標準上。如果對其的標準不合格，那麼可能造成內部骨架斷裂，甚至是樓層坍塌的情況。

同理，如果光刻機在曝光新一層電路時，上下兩層圖案的位置發生偏移，即使只有幾奈米的偏差，也可能導致金屬連線未能連接到電晶體觸點，或者是本應該隔離的導線意外接觸，從而造成晶片功能失效，影響其產品良率和製造效率。

現階段的國產光刻機已經具備量產晶片的能力，但是由於其套刻精度的影響，還無法投入到生產線上面大規模替代進口裝置。

ASML的光刻機，從幾十年前的PAS系列開始，其對準技術就是行業內的翹楚。只不過當年的晶片技術沒有現在這麼先進，晶片的電晶體數量也非常有限，所以ASML的對準技術沒有明顯優勢。

但是隨著行業發展，晶片技術進入到超大規模時代，ASML的對準技術出現了爆發性的優勢增長。也正是因為ASML強大的晶圓對準技術，ASML光刻機的製造效率遠強於日本的佳能和尼康，隨後便開始在國際市場上一點點蠶食日本光刻機的市場。

據ASML官方技術資料顯示，EUV光刻機是當下製造先進晶片的核心裝置，輝達的RTX顯示卡、iPhone的仿生晶片，其電子元件中的微小圖案多達100多層。

儘管這100多的層圖案當中只有關鍵幾層需要用到EUV光刻機，但是缺少了EUV光刻機，整個晶片無法正常使用。

ASML DUV XT光刻機產品總監葉倫·德格魯特解釋稱，在最先進電子產品中的某些晶片可能採用了浸潤式DUV和EUV技術，但是支撐產品運行的其他大多數晶片，甚至是先進晶片的大部分圖案層級，都是由乾式光刻機製造完成。

晶片能夠被大批次低價製造出來，乾式光刻機起到了決定性作用。如果沒有乾式光刻機支撐最底層的成熟晶片產業，那麼先進晶片是沒有任何市場的。相對於先進裝置，老型號的DUV光刻機才是市場主流。 (逍遙漠)