中國晶片裝置國產化率衝刺70%！

TrendForce今日援引Newsswitch及路透消息披露，中國正系統性推進半導體裝置國產化攻堅，目標2027年將成熟製程（28nm及以上）裝置本土化率從當前約55%提升至70%，並在14nm及以下先進節點取得突破。上海微電子（SMEE）、北方華創（NAURA）、中微公司（AMEC）等國產裝置商處於技術攻關最前沿。

報導稱，中國新建晶圓廠已強制要求50%以上裝置採購國產化，2027年目標上調至70%。這一政策由中芯國際、華為等龍頭牽引，配套國家大基金三期及地方專項補貼。與此前"鼓勵替代"不同，此次設定量化硬指標，未達標企業將無法獲得新建產線批文及稅收優惠。

裝置進展：光刻、刻蝕雙線突破

• 光刻機：SMEE 28nm ArF浸沒式光刻機已進入產線驗證階段，套刻精度<2.5nm，目標2026年Q4匯入中芯國際量產；路透援引消息人士稱，中國已利用舊ASML裝置元件組裝出EUV原型機，計畫2028年試產功能晶片，2030年量產更現實。
• 刻蝕機：北方華創28nm CCP/ICP刻蝕機已批次出貨，14nm裝置正在中芯國際驗證；中微公司5nm以下電漿體刻蝕機通過台積電驗證，成為首個進入國際大廠先進產線的國產裝置。
• 清洗/薄膜：盛美上海、拓荊科技在12英吋單片清洗、ALD原子層沉積領域市佔率突破20%，驗證周期較外資裝置縮短至約一年。

除製造裝置外，中國正加速EDA工具與先進材料替代。華大九天、概倫電子14nm以上EDA工具已通過華為海思驗證；滬矽產業12英吋矽片、南大光電ArF光刻膠進入中芯國際供應鏈，目標2027年材料本土化率同步達到70%。

Newsswitch指出，國產裝置驗證周期普遍短於外資裝置，約一年內即可完成產線匯入，而ASML、應用材料等裝置驗證通常需18-24個月。這一"速度優勢"使國產廠能快速響應本土晶圓廠擴產需求，尤其在成熟製程領域形成替代窗口。

分析師提醒，70%目標聚焦成熟製程，14nm以下光刻機、量測裝置仍存代差；EUV原型機若2028年試產，與ASML量產EUV仍有5-8年差距。

TrendForce認為，中國裝置國產化加速將重塑全球供應鏈。2027年若實現70%成熟製程自給，ASML、應用材料、東京電子在中國區收入可能下滑30%-40%；但同時，中國晶圓廠擴產速度將提升，全球成熟製程產能佔比有望從當前25%提升至35%，進一步壓低28nm以上晶圓價格。

從50%到70%，不僅是數字躍升，更是中國半導體產業"去美化"的深水區攻堅。當SMEE的28nm光刻機與中微的5nm刻蝕機同時進入驗證，國產裝置正從"可用"邁向"好用"。2027年能否如期達標，將決定中國在全球晶片產業格局中的最終站位。 (晶片行業)