資本的嗅覺總是最先洞察行業的風向。近日，半導體量測領域的荷蘭獨角獸 Nearfield Instruments 宣佈完成高達 3.8 億美元的 D 輪融資，投後估值飆升至 16 億美元。在其背後，集結了富達投資（Fidelity）、淡馬錫（Temasek）、卡達投資局（QIA）以及華登國際（Walden Catalyst）等一眾頂級主權與明星資本。 值得注意的是，Nearfield 既不做光刻，也不做傳統的刻蝕、沉積或封裝，這家新星之所以能備受資本追捧，很大原因在於它押注了 High-NA EUV、GAA、CFET 以及混合鍵合等面向未來的下一代製造場景的計量與過程控制。 這不禁讓我們思考，在這個早已被傳統巨頭割據的成熟賽道里，裝置業的新機會到底在那？ 別急，讓我們先看一組資料，根據SEMI的《300毫米晶圓廠展望》資料預測，全球300mm晶圓廠裝置支出預計2026年增長18%至1330億美元，2027年再增長14%至1510億美元，到2028年投資額將繼續增長3%，達到1550億美元，到2029年將再增長11%，達到1720億美元。這些增長主要由AI晶片、先進節點、區域化製造和儲存投資拉動，其中邏輯/微處理器、DRAM、3D NAND都是未來幾年裝置投資大頭。

據知情人士透露，美光科技公司是推動美國國會通過立法的主要力量，該立法將對其中國競爭對手用於製造晶片的裝置施加新的出口限制。美國眾議院一個委員會昨日就《MATCH法案》進行投票表決。該法案旨在彌補晶片製造裝置限制方面的漏洞，並向向中國晶片製造企業出售裝置的外國公司施壓，要求其遵守針對美國公司（如Lam Research Corp和Applied Materials Inc.）的出口限制。該法案針對的是中國儲存和晶圓廠的設施，以及全國範圍內的關鍵技術。據知情人士透露，美光公司已向立法者表示，華盛頓需要採取更多措施來抑制中國在儲存器市場的發展。他們表示，美國必須加大力度，防止中國像在太陽能產業和其他領域那樣主導儲存器製造業，這是一個國家安全問題。韓國晶片製造商三星電子和SK海力士目前主導著儲存器市場，美光是第三大製造商，也是美國唯一的主要供應商。然而，儘管美國商務部對中國儲存公司實施了出口限制，但這兩家公司仍在快速增長。該法案草案將限制更多裝置出口到中國——包括深紫外線浸沒式光刻機（該市場由荷蘭 ASML Holding NV 主導）——並立法規定如果外交手段失敗，如何實施限制。此外，ASML 和其他外國公司若要為受監管設施的裝置提供維修服務，也需要獲得許可證。《防止出口管製法案》（MATCH Act）只是眾議院外交事務委員會即將投票表決的眾多出口管製法案之一。其他法案則針對商務部的許可制度、跨部門流程、實體清單、執法和處罰措施。眾議院外交事務委員會的一名工作人員稱，這份名單是自 2018 年《出口管制改革法案》以來該領域最大的立法推動。如果《MATCH法案》和其他相關法案獲得通過，這僅僅是它們最終成為法律的第一步。參議院已提出一項配套法案，該法案最終可能會作為修正案納入《國防授權法案》。 (半導體芯聞)

TrendForce今日援引Newsswitch及路透消息披露，中國正系統性推進半導體裝置國產化攻堅，目標2027年將成熟製程（28nm及以上）裝置本土化率從當前約55%提升至70%，並在14nm及以下先進節點取得突破。上海微電子（SMEE）、北方華創（NAURA）、中微公司（AMEC）等國產裝置商處於技術攻關最前沿。報導稱，中國新建晶圓廠已強制要求50%以上裝置採購國產化，2027年目標上調至70%。這一政策由中芯國際、華為等龍頭牽引，配套國家大基金三期及地方專項補貼。與此前"鼓勵替代"不同，此次設定量化硬指標，未達標企業將無法獲得新建產線批文及稅收優惠。裝置進展：光刻、刻蝕雙線突破光刻機：SMEE 28nm ArF浸沒式光刻機已進入產線驗證階段，套刻精度<2.5nm，目標2026年Q4匯入中芯國際量產；路透援引消息人士稱，中國已利用舊ASML裝置元件組裝出EUV原型機，計畫2028年試產功能晶片，2030年量產更現實。刻蝕機：北方華創28nm CCP/ICP刻蝕機已批次出貨，14nm裝置正在中芯國際驗證；中微公司5nm以下電漿體刻蝕機通過台積電驗證，成為首個進入國際大廠先進產線的國產裝置。清洗/薄膜：盛美上海、拓荊科技在12英吋單片清洗、ALD原子層沉積領域市佔率突破20%，驗證周期較外資裝置縮短至約一年。除製造裝置外，中國正加速EDA工具與先進材料替代。華大九天、概倫電子14nm以上EDA工具已通過華為海思驗證；滬矽產業12英吋矽片、南大光電ArF光刻膠進入中芯國際供應鏈，目標2027年材料本土化率同步達到70%。Newsswitch指出，國產裝置驗證周期普遍短於外資裝置，約一年內即可完成產線匯入，而ASML、應用材料等裝置驗證通常需18-24個月。這一"速度優勢"使國產廠能快速響應本土晶圓廠擴產需求，尤其在成熟製程領域形成替代窗口。分析師提醒，70%目標聚焦成熟製程，14nm以下光刻機、量測裝置仍存代差；EUV原型機若2028年試產，與ASML量產EUV仍有5-8年差距。TrendForce認為，中國裝置國產化加速將重塑全球供應鏈。2027年若實現70%成熟製程自給，ASML、應用材料、東京電子在中國區收入可能下滑30%-40%；但同時，中國晶圓廠擴產速度將提升，全球成熟製程產能佔比有望從當前25%提升至35%，進一步壓低28nm以上晶圓價格。從50%到70%，不僅是數字躍升，更是中國半導體產業"去美化"的深水區攻堅。當SMEE的28nm光刻機與中微的5nm刻蝕機同時進入驗證，國產裝置正從"可用"邁向"好用"。2027年能否如期達標，將決定中國在全球晶片產業格局中的最終站位。 (晶片行業)

日經亞洲今日發佈半導體裝置行業前瞻報告，指出受AI晶片產能擴張與先進製程投資激增驅動，全球前五大晶片裝置製造商2026年營收有望實現兩位數增長，增速創2022年以來新高。ASML、應用材料、泛林集團、東京電子與科磊（KLA）集體上調資本開支預期，訂單能見度已延伸至2027年。報告指出，2025-2027年全球晶圓廠裝置支出預計達1560億美元，較2022-2024年增長42%。其中，AI相關裝置（HBM堆疊、CoWoS封裝、GAA電晶體）佔比從15%躍升至35%，成為裝置商最大增長極。ASML 2026年EUV與High-NA EUV訂單已排滿，應用材料先進封裝裝置營收預計同比增長60%。從地域看，美國亞利桑那、德克薩斯及紐約州新廠裝置投資增速達45%，超越台灣（28%）與韓國（22%）。台積電Fab 21、三星泰勒廠、英特爾18A廠同步擴產，帶動美系裝置商本土訂單激增。應用材料預計2026年美國市場營收佔比將從25%提升至35%，首次超越中國。儘管美國出口管制收緊，中國仍是第二大裝置市場，預計2026年佔比約28%（2024年為31%）。成熟製程（28nm及以上）投資維持高位，中芯國際、長江儲存持續擴產，DUV、刻蝕、薄膜裝置需求穩健。但EUV與部分先進製程裝置對華銷售歸零，拖累整體增速。ASML：2026年High-NA EUV量產，單價3.8億美元，已獲台積電、英特爾、三星合計18台訂單；應用材料：推出"AI晶片一站式平台"，整合GAA、HBM、CoWoS工藝，目標2026年AI相關裝置營收破100億美元；泛林集團：原子層刻蝕（ALE）裝置訂單翻倍，用於3D NAND 400層以上堆疊；東京電子：浸沒式塗膠顯影裝置市佔率突破90%，受益於HBM3E產能擴張；科磊：量測裝置需求激增，3nm以下套刻精度檢測成為新增長點。裝置商面臨零部件短缺挑戰。德國Zeiss光學元件、美國MKS真空系統交期延長至12個月，可能拖累裝置交付。同時，地緣政治風險猶存——美國對華DUV出口審查趨嚴，若ASML對華銷售受限，全球裝置市場增速或下調3-5個百分點。費城半導體指數（SOX）2025年漲超35%，裝置類股領漲。ASML市值突破3000億歐元，應用材料、泛林集團創歷史新高。投行高盛上調行業評級至"超配"，目標價上調15%-20%。國內裝置商迎來替代窗口。北方華創、中微公司、盛美上海2025年營收增速均超40%，刻蝕、薄膜、清洗裝置進入長江儲存、中芯國際產線。但光刻機、量測裝置仍存代差，2026-2027年需突破28nm DUV量產與14nm套刻精度檢測。日經亞洲結論認為，全球半導體裝置行業正經歷"AI驅動的超級周期"，兩位數增長有望延續至2027年。對於仍在擴產的中國晶圓廠而言，裝置供應趨緊意味著"搶單"窗口縮小；對於國產裝置商，則是技術驗證與市場份額提升的關鍵兩年。 (晶片行業)

根據美國國會議員的一項兩黨聯合調查，美國及其盟友為限制中國製造先進計算晶片能力所做的努力中存在漏洞，這使得中國能夠購買近 400 億美元的尖端晶片製造裝置。美國民主黨和共和黨政府都曾試圖限制中國製造微晶片的能力，認為該行業對國家安全至關重要。這份報告發佈的幾天前，美國商務部工業與安全域擴大了對敏感產品（包括晶片製造工具）的出口管制，從僅指定公司擴展到包括這些公司直接或間接擁有 50% 或以上股份的任何公司。但眾議院委員會在其報告中表示，這些限制措施還不夠。包括委員會民主黨領袖、伊利諾伊州議員拉賈·克里希納穆爾蒂在內的議員寫道，中國實體“無需官方企業聯絡即可有效合作以規避美國出口管制”。具體來說，立法者希望對中國實施全國範圍的管制，並採用推定拒絕的許可政策，適用於任何用於製造先進和傳統晶片的晶片製造工具和相關元件。他們還建議擴大受限制實體名單，並禁止所有盟國製造商向更多中國軍事實體出售產品。根據路透社看到的美國眾議院中國問題特別委員會（U.S. House of Representatives Select Committee on China）的一份報告，美國、日本和荷蘭發佈的規定存在不一致之處，這導致非美國的工具製造商得以向一些美國公司不能出售的中國公司進行銷售。該委員會呼籲盟友群體對向中國出售的晶片製造工具實施更廣泛的禁令，而不是僅僅針對特定的中國晶片製造商實施更狹隘的禁令。報告發現，去年中國公司從五家頂級半導體製造裝置供應商那裡購買了 380 億美元的裝置，這並未違反法律。這一數字比許多工具出口限制措施出台的 2022 年增加了 66%。該數字還佔應用材料（Applied Materials）、泛林集團（Lam Research）、科磊（KLA）、阿斯麥（ASML）和東京電子（Tokyo Electron）五家公司總銷售額的近 39%。美國援引國家安全問題，正致力於限制中國製造最先進晶片的能力，因為這些晶片對 人工智慧（AI）和軍事現代化等領域至關重要。這兩個經濟超級大國也在爭相向其他國家銷售 AI 資料中心等先進技術。報告稱：“正是這些銷售使得中國在廣泛的半導體製造領域變得越來越有競爭力，這對世界各地的人權和民主價值觀產生了深遠影響。”在一次採訪中，東京電子美國部門總裁馬克·多爾蒂（Mark Dougherty）表示，該行業對中國的銷售今年已開始下降，部分原因是新的法規，並對美國和日本政府之間加強協調表示歡迎。多爾蒂對路透社表示：“我認為很明顯，從美國的角度來看，仍然有一個尚未實現的目標。”應用材料和泛林集團沒有回應置評請求。阿斯麥和科磊表示，在看到報告全文之前無法置評。該委員會表示，這些工具製造商就該報告與委員會進行了合作，並被告知了調查結果。該報告建議盟友之間加強協調並擴大限制範圍，包括限制中國可用於製造其自己晶片製造工具的零部件。智庫“民主防禦基金會”（Foundation for Defense of Democracies）高級研究員克雷格·辛格爾頓（Craig Singleton）表示：“中國正試圖改寫整個供應鏈。過去的小眾工具領域現在已成為戰場。” (半導體行業觀察)

在此前美國的一場討論會上，面對高盛分析師Jim Schneider關於2025年晶圓廠裝置市場前景的提問，Applied Materials CEO Gary Dickerson給出“低單位數成長”的保守預測，KLA Corporation CFO Bren Higgins卻預期“中單位數增長”，Lam Research CFO Doug Bettinger則完全迴避數字預測。這種分歧並非市場判斷能力的差異，而是三家巨頭對半導體技術發展方向有著根本性的不同看法。半導體裝置產業向來以技術門檻極高著稱，Applied Materials的材料工程、KLA的檢測系統、Lam Research的蝕刻工藝，每項技術都需要十年以上的深度積累。然而，AI製程需求的爆發與地緣政治限制正在壓縮產業的技術更新周期，迫使裝置商在不確定性中做出戰略押注。從2022年管制啟動到當前市場格局重塑，整個產業正在經歷從技術分歧到競爭邏輯重構的深層變革。三大裝置巨頭將透過技術路線差異、產業生態斷裂、製造方式革命，以及政治風險內化四個維度，展現這場產業轉折點的真實面貌。同一個問題，三種技術賭注Gary Dickerson的謹慎表態背後，隱藏著Applied Materials對未來技術路線的深度思考。這位執行長在會議上強調iCAPS市場的“消化期”，實際上反映了該公司對摩爾定律平面縮放到達極限的判斷。 Applied Materials正在押注先進封裝技術，認為AI晶片的複雜性將迫使產業從2D轉向3D整合。該公司位於奧巴尼的EPIC Center已投入15億美元，專門開發CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技術，這是一場對異質整合未來的豪賭。 Dickerson相信，當CPU、GPU、記憶體必須整合在同一封裝內時，傳統的晶圓製造將讓位給材料工程和封裝技術。Bren Higgins的樂觀預測則建立在製程複雜化不可逆轉的技術判斷上。 KLA Corporation這位財務長在會議中詳細描述了一個技術現實：台積電3奈米製程的檢測步驟比7奈米製程增加60%，每當製程節點向前推進，電晶體尺寸就更接近物理極限。 Higgins押注的是“製程越先進，檢測越重要”的技術邏輯，該公司的電子束檢測裝置能夠發現10奈米以下的缺陷，正好契合AI晶片的零容錯要求。 KLA相信，即使地緣政治風險持續，先進製程的檢測需求也不會減少，反而會因為良率壓力而持續增長。Doug Bettinger的策略迴避顯露出Lam Research對技術路線的複雜判斷。該公司財務長在會議中反覆提及“etch-and-deposition intensity”概念，暗示公司同時押注兩個技術方向：3D NAND的垂直擴展和先進邏輯的3D架構。 3D NAND從96層向200層演進需要深寬比超過100:1的垂直蝕刻技術，而AI晶片的3D電晶體結構同樣需要原子級精度的工藝控制。然而，這兩個技術方向都面臨物理極限的挑戰，Lam Research選擇保留戰略彈性，等待市場需求進一步明朗化。當營收數字掩蓋了生態鏈的崩塌Applied Materials中國營收從32%暴跌至18%，每季損失10億美元的數字震撼市場，但真正的危機遠超財務報表。這家裝置巨頭失去的不僅是收入來源，更是與全球最大半導體消費市場的技術共同發展機會。中國市場向來是新技術驗證和工藝最佳化的重要場域，當Applied Materials被迫退出時，該公司實際上失去了一個關鍵的技術改進回饋機制。更嚴峻的是，中國本土裝置商北方華創、中微公司正在成熟製程領域快速追趕，Applied Materials重返中國市場的技術門檻正在不斷提高。KLA Corporation面臨的5億美元損失看似溫和，但技術生態的影響更加深遠。該公司的檢測裝置不只是硬體產品，更是整個製程監控體系的技術核心。中國晶圓廠被迫尋找替代方案時，正在重新建構獨立的檢測標準和供應鏈體系。長期而言，這種技術標準的分化將導致全球半導體產業出現兩套平行的品質管控系統，所有參與者的研發成本和技術複雜度都將大幅增加。 KLA面臨的真正挑戰不是短期收入損失，而是全球技術標準統一性的瓦解。Lam Research中國營收佔比從32%縮減至24%的過程中，客戶支援業務群組（CSBG）受到最嚴重衝擊。半導體裝置的商業模式特性決定了裝置銷售只是開始，後續十年的技術支援、升級改造、備件供應才是真正的利潤來源。一台蝕刻裝置的使用周期通常超過十年，服務收入往往是裝置價值的兩倍以上。中國市場的服務中斷不僅是當期現金流損失，更意味著未來十年收益的永久消失。這種產業生態鏈的斷裂正在重塑全球半導體裝置產業的商業邏輯。AI革命重新定義半導體製造的遊戲規則AI晶片對半導體製造技術提出的挑戰遠超外界想像：NVIDIA H100晶片包含800億個電晶體，採用台積電4奈米製程製造，不是最先進製程，但技術難點仍然極高，原因在於異質整合的複雜性。 CPU、GPU、HBM記憶體必須透過先進封裝技術整合在同一模組內，對準精度要求達到1微米以下，散熱管理技術面臨前所未有的挑戰。 Applied Materials押注的CoWoS技術需要在矽基板上精確放置數十顆晶片，任何微小偏差都可能導致整個模組失效。KLA Corporation面對的技術現實更加嚴峻：AI晶片的良率要求遠高於傳統邏輯晶片。傳統CPU中少數電晶體失效不會影響整體功能，但AI晶片的矩陣運算特性決定了任何一個運算單元故障都可能導致整批資料錯誤。這種零容錯要求推動檢測裝置從統計抽樣轉向全面檢測，檢測密度呈指數級增長。 KLA的先進檢測技術能夠在製程中即時發現奈米級缺陷，正好契合AI晶片對製造精度的極致要求。該公司預期AI晶片檢測步驟將比傳統晶片增加40%以上。Lam Research的技術押注關聯到AI運算的功耗挑戰。 AI模型訓練的高能耗特性要求晶片設計從平面結構轉向3D架構，透過縮短電子傳輸路徑來降低功耗密度。 3D電晶體的製造需要更複雜的蝕刻和沉積工藝，每一層結構都必須達到原子級的對準精度。該公司開發的Halo工具專門針對高層數3D NAND設計，能夠實現深寬比超過100:1的垂直通道蝕刻。這種技術複雜度的大幅提升正在重新定義半導體製造的物理邊界。三種押注，一個未來Applied Materials賭的是封裝技術將取代傳統製程，KLA賭的是檢測需求將無限放大，Lam Research賭的是保持選擇權比下注更安全。三家公司看似預測市場，實際上是在選擇生存方式：是押注單一技術路線獲得先發優勢，還是分散風險等待局勢明朗？時間會證明誰的判斷更準確。 AI晶片的製造需求能否真正彌補中國市場的損失，先進封裝技術能否如Applied Materials所願成為新的增長引擎，檢測裝置的重要性是否如KLA預期般持續提升，市場終將給出答案。但無論結果如何，有一點已經確定：半導體裝置產業已經從純粹的技術競爭，轉變為技術與政治並重的復合競爭。在這個新的競爭環境中，技術領先不再是唯一的勝負標準，政治風險管控能力同樣決定企業的生死存亡。遊戲規則已經改變，回不去了。 (半導體行業觀察)

美國商務部近日將兩家中國半導體裝置企業列入實體清單，指控其向中芯國際提供受管制的晶片製造裝置。這是美國近期加強對華晶片出口管制系列措施的最新行動，預計將對全球半導體裝置供應鏈產生影響。據瞭解，被列入清單的企業主要從事半導體前道裝置的研發和生產，產品包括刻蝕裝置、薄膜沉積裝置等。美方聲稱這些企業涉嫌違反出口管制規定，向中芯國際提供了可用於先進製程的裝置。根據制裁要求，美國企業將不得向這兩家公司出口相關技術和產品。"這是單邊主義和保護主義的又一表現，"中國半導體行業協會發表聲明稱，"我們將堅定維護中國企業的合法權益。"據悉，相關企業正在評估制裁影響，並表示始終嚴格遵守國際貿易規則。行業資料顯示，2023年中國半導體裝置市場規模達300億美元，其中國產裝置佔比已提升至20%。在刻蝕、清洗、薄膜沉積等裝置領域，國產裝置技術不斷突破，部分產品已達到國際先進水平。值得注意的是，此次制裁正值中國半導體裝置國產化加速推進的關鍵時期。北方華創、中微公司等國內裝置龍頭企業近期紛紛宣佈技術突破，28nm製程裝置已實現量產，14nm裝置進入客戶驗證階段。"外部壓力將加速我們自主創新的步伐，"一位行業專家表示。據悉，國家積體電路產業投資基金三期已將半導體裝置作為重點投資領域，支援產業鏈上下游協同創新。市場分析指出，雖然短期可能面臨供應鏈調整壓力，但長期來看將促進中國半導體裝置產業的自主化處理程序。目前，中國在半導體裝置領域的專利數量位居全球前列，技術創新能力持續提升。業內人士認為，全球半導體產業鏈已經形成"你中有我、我中有你"的格局，任何單邊制裁都會破壞產業鏈的穩定性和可預測性。中國將繼續堅持開放合作，與各國共同維護全球半導體產業鏈供應鏈的穩定。 (晶片行業)

在半導體產業全球競爭格局中，美國對中國的技術限制政策出現新動向。據彭博社報導，即將卸任的拜登政府正在制定新規定，旨在減緩或限制中國半導體產業的發展。與最初預期相比，新措施的嚴厲程度有所降低，主要目標是遏制中國晶片製造裝置生產商的發展，並限制晶圓廠裝置的供應，這些裝置對於推動中國人工智慧行業至關重要。 新規定將重點限制對特定中國實體的出口，而非廣泛類別的晶片製造商。特別是中芯國際（SMIC）旗下的兩家晶圓廠將成為制裁對象，而包括華為在內的其他公司則可以繼續為客戶提供服務。 值得注意的是，新規定將涵蓋100多家新興半導體製造裝置企業，這些企業通常受到政府資助，目標是開發晶片製造裝置，以期最終取代ASML、應用材料、KLA、Lam Research和東京電子等全球最大裝置供應商。 目前，擬議的限制並非最終版本，總統簽署法案後情況可能會有所改變。不斷髮展的計畫反映了在遏制中國技術進步與減輕對美國及其盟國公司經濟損害之間的妥協。這些限制措施預計將在下周一宣佈，據信其嚴厲程度將低於最初的考慮。