中微公司連發四款新品
3月25日，在全球半導體盛會SEMICON China 2026期間，中國國產半導體裝置大廠中微半導體裝置（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，證券程式碼“688012”）一口氣推出了四款新產品。
這四款新產品覆蓋了矽基及化合物半導體關鍵工藝，包括新一代電感耦合ICP電漿體刻蝕裝置Primo Angnova™、高選擇性刻蝕機Primo Domingo™、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍綠光Micro LED量產MOCVD裝置Preciomo Udx®。
中微公司表示，這四款新產品進一步豐富了公司在刻蝕裝置、薄膜沉積裝置及核心智能零部件領域的產品組合及系統化解決方案能力，持續夯實平台化發展的基礎，助力公司在規模化拓展的處理程序中實現高品質發展。
Primo Angnova™：應對先進節點高深寬比挑戰的ICP解決方案
隨著邏輯晶片向5奈米及以下節點邁進和先進儲存晶片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕裝置面臨著對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰。Primo Angnova™ ICP單腔刻蝕系統正是為應對這些挑戰而生。
該產品採用中心抽氣設計，配備業界領先的對稱氣流控制閥、高流導和高速分子泵系統，可實現極高的反應氣體通量，大幅度擴展反應腔體壓力控制範圍。在功率源和電漿體方面，Primo Angnova™整合了具有中微公司自主智慧財產權的第二代LCC射頻線圈和直流磁場輔助線圈MFTR，並配備先進的四段脈衝控制，可實現對離子濃度和離子能量的高精度獨立控制。尤其突出的是，其搭載的超低頻射頻電漿體源，能夠產生極高的離子能量，顯著增強了裝置在高深寬比ICP刻蝕工藝中的處理能力。
在溫度控制方面，Primo Angnova™採用超過200區獨立溫控的Durga III ESC靜電吸盤，分區控溫精度顯著提升，結合晶圓邊緣連續AEIT（晶圓邊緣阻抗主動調節） 設計，實現了優異的片內刻蝕均勻性。在系統整合與效率方面，Primo Angnova™搭載了中微公司成熟的Primo C6V3傳送平台，最多可配置6個主刻蝕腔體與2個LL Strip除膠腔體，有效降低綜合運行成本。
Primo Angnova™的推出，為5奈米及以下邏輯晶片技術以及同等技術節點難度的先進儲存晶片的製造領域， 提供了自主可控、技術領先的ICP刻蝕工藝解決方案，助力客戶提升先進製程產能，降低生產成本，持續增強市場競爭力。
Primo Domingo™：攻克GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題
如今，晶片架構三維化正成為支援晶片持續縮微的重要動能, 而高選擇性刻蝕工藝是三維器件製造的最關鍵工藝之一。針對GAA、3D NAND、DRAM等器件工藝需求, 中微公司正式推出Primo Domingo™ 高選擇性刻蝕裝置。
該產品採用全對稱腔體結構與最佳化流場設計，在氣體注入、溫度控制、壓力調控等關鍵環節實現系統整合，確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重複性。Primo Domingo™獨特的整合氣櫃設計，可縮短氣體注入距離，實現更快脈衝氣體精密控制，為刻蝕工藝提供精準保障。裝置內部採用了高抗腐蝕管路與特殊塗層材料以應對工藝所需的高活性刻蝕氣體，保障裝置長期可靠運行。此外，Primo Domingo™配備了雙製冷/雙加熱晶圓基座，支援寬範圍精準溫控，顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩定性。Primo Domingo™同樣搭載中微公司量產的Primo C6V3傳輸系統，可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔，滿足不同刻蝕應用的需求。
Primo Domingo™的推出，標誌著公司在高選擇性刻蝕裝置領域實現了重要突破，填補了中國在下一代3D半導體器件製造中關鍵刻蝕工藝的自主化空白。該產品的成功研發，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕裝置領域的產品矩陣，更有力支撐了積體電路產業在先進工藝節點上的技術攻堅，為客戶實現更高性能、更小尺寸的器件製造提供了關鍵工藝裝置保障。
Smart RF Match：從“被動響應”到“主動預測”的智能革命
此次發佈的Smart RF Match 智能射頻匹配器，是中微公司在高端半導體刻蝕裝置中關鍵子系統的又一創新突破。Smart RF Match智能射頻匹配器用於在裝置腔體內實現穩定的電漿體生成與控制，專為半導體前道製程，特別是介質刻蝕、矽刻蝕、金屬刻蝕，以及先進封裝、MEMS、化合物半導體等精密刻蝕的應用而設計。它首次在半導體裝置領域引進了射頻回路專網概念，通過EtherCAT實現射頻電源與智能匹配器之間射頻狀態資訊的即時精準傳輸，使智能匹配器能夠作為主動裝置，在調節匹配網路的同時向射頻電源下發控制指令。
基於具有自主智慧財產權的新型智能射頻匹配控制演算法，Smart RF Match可實現微秒級的射頻環境響應，能夠根據電漿體狀態即時自動調節阻抗，確保射頻能量高效、穩定地傳輸。獨特的智能調控演算法根據工藝條件對電源頻率調節範圍以及匹配調節模式等進行自動選擇及切換，實現比傳統匹配器快百倍以上的匹配速度。
在客戶端高端邏輯工藝的實際測試中，在相同工藝條件下，與傳統的固定式匹配方案相比，智能射頻匹配系統不僅將射頻訊號匹配速度提升了225%，還助力整體刻蝕效率提高15%。這一性能提升，直接轉化為更高的裝置單位產能與更穩定的工藝一致性。
智能射頻匹配器的推出，標誌著中微公司在電漿體控制領域實現了從“被動響應”到“主動預測”的關鍵跨越。它不僅有效解決了行業長期面臨的匹配精度、效率與穩定性的核心難題，顯著提升了工藝性能與裝置產能，更通過為下一代高端裝置嵌入智能核心，為客戶持續創造更高良率、更優成本與更強競爭力的價值，推動半導體製造向更高效、更智能的未來邁進。
Preciomo Udx ®：為Micro LED量產打造的關鍵MOCVD裝置
為滿足Micro LED量產對高波長均勻性與低顆粒度的嚴苛要求，中微公司推出了專為Micro LED量產設計的Preciomo Udx ® MOCVD裝置。該裝置從氣體輸運、加熱模式、溫場控制等關鍵技術均採用了全新的設計理念，突破了現有垂直氣流MOCVD的技術路線，採用新型水平式雙旋轉反應室結構，並通過對溫場與流場的模擬設計，及硬體與工藝最佳化，顯著提升了波長均勻性，為客戶實現Micro LED量產提供了關鍵支撐。
中微公司此次發佈的具有自主智慧財產權的Preciomo Udx®專為MOCVD量產設計，最多可配置兩個反應腔，可同時加工18片6英吋或者12片8英吋高性能氮化鎵藍綠光Micro LED外延片。每個反應腔均可獨立控制，具有高度生產靈活性。同時，Preciomo Udx®採用水平式雙旋轉反應器結構，並配備符合積體電路行業標準的EFEM和SMIF系統，可實現片盒到片盒的全自動化傳輸模式，有效降低Micro LED外延片的顆粒數。該裝置基於模型的溫度控制系統與業界領先的單腔產能，使其憑藉優異的波長均勻性、低缺陷密度以及高產出穩定性，滿足了Micro LED量產的嚴苛技術要求。
自2004年成立以來，中微公司始終站在先進製程工藝發展的最前沿，堅持“技術創新性，產品差異化和智慧財產權保護”。作為行業領先的半導體裝置企業，中微公司持續推動技術突破與產品創新，平台化戰略全面落地，產品覆蓋度持續提升，正穩步邁入規模化發展新階段。近年來，公司不斷提高開發新的裝置產品的質量和效率，將新產品的開發從傳統的3到5年周期大幅縮短至2年以內， 2025年公司開發的項目涵蓋六大類，超過二十款新裝置。通過“有機生長和外延擴展”，公司在五年內將覆蓋60%以上的高端關鍵裝置。持續且高強度的研發投入，為公司的技術突破與產品創新，以及未來持續高速發展奠定了堅實基礎。
隨著四款新品的加入，公司已覆蓋從宏觀控制到微觀感知、從成熟製程到前沿節點的多個維度，為加速向高端半導體裝置平台化公司邁進注入了全新動能。
未來，中微公司將繼續堅持“三維立體生長“ 與 ”有機生長和外延擴展”相結合的戰略，持續鞏固在積體電路關鍵裝置領域的核心競爭力和優勢，不斷拓展泛半導體關鍵裝置應用，並通過持續的技術升級和深度的產業鏈合作進行新興領域探索，通過“科創企業五個十大”的學習和傳承，使企業總能量、對外競爭的淨能量最大化，實現高速、穩定、健康、安全的高品質發展，為2035年在規模、產品競爭力和客戶滿意度上成為全球第一梯隊的半導體裝置公司打下堅實的基礎。 (芯智訊)