1. 全球半導體產業宏觀圖景與中國市場韌性在全球科技演進的宏觀敘事中，2025年被確立為半導體產業從“周期性調整”向“結構性擴張”過渡的關鍵元年。根據最新的行業統計資料，全球半導體市場規模在2024年達到6,591億美元的基礎上，預計2025年將增長至7,893億美元，增速表現出顯著的加速態勢 [1]。這一增長的核心動能已從傳統的智慧型手機與PC消費驅動，深化為以人工智慧（AI）基礎設施、高性能計算（HPC）以及汽車電動化為核心的多維驅動架構 [2]。中國半導體市場作為全球產業鏈中增長潛力最強、市場腹地最深的區域，其發展節奏與全球步調既有共振亦有差異。2024年中國半導體市場規模為1,769億美元，而2025年預計將達到2,067億美元，年度同比增長率約16.8%，增速保持在全球均值的高位區間 [1]。這一增速背後的底層邏輯，不僅在於終端需求的復甦，更在於國家戰略引領下的“全產業鏈自主可控”處理程序進入了從量變到質變的突破階段 [3]。資料來源：綜合整理自 [1, 4]。從產業周期視角來看，2025年標誌著半導體行業打破了傳統的“四年小周期”規律。受人工智慧算力需求的強力支撐，半導體行業有望迎來長達六年的上行增長周期 [2]。在這一宏觀背景下，中國半導體產業在裝置端（北方華創、中微公司等）、製造端（中芯國際、華虹半導體等）以及功率與儲存等細分賽道，均展現出了極強的盈利彈性與技術進化速度。2. 半導體裝置環節：國產替代進入“深水區”與平台化擴張在半導體產業鏈的最上游，裝置環節的自主化率被視為衡量一國半導體實力的硬指標。2025年，中國本土半導體裝置企業在資本支出保持高位的背景下，實現了營收與淨利潤的雙重突破，產品線正從單一環節向平台化、全覆蓋方向加速演進。2.1 北方華創 (NAURA)：全產業鏈平台化的領軍效應北方華創作為國內產品線最為齊全的半導體裝置龍頭，其在2025年的表現充分印證了“平台化戰略”的協同優勢。2025年前三季度，北方華創實現營業收入273.0億元，同比增長33.0%；歸母淨利潤達到51.3億元，同比增長15.0% [5]。通過深度拆解其財務資料可以發現，北方華創在2025年表現出明顯的“庫存換增長”特徵。截至2025年第三季度末，公司存貨規模達到302.0億元，同比大幅增長30.0% [5]。在半導體裝置行業，高額存貨往往對應著下游晶圓廠的高意向訂單和處於交付前夕的在產品。同時，公司經營活動產生的淨現金流在三季度轉正，金額達6.3億元，顯示出隨著前期大規模投入逐步進入收穫期，企業的經營現金流狀況正得到實質性改善[5]。北方華創的業務已覆蓋刻蝕、薄膜沉積（PVD/CVD）、清洗、熱處理、氧化、擴散等核心工藝環節。儘管2025年前三季度的綜合毛利率為41.4%，受新品確認及客戶結構變化影響同比略降2.8個百分點，但在關鍵工藝的市佔率提升，為其2026年的持續盈利打下了堅實基礎 [5]。2.2 中微公司 (AMEC)：刻蝕技術的高精尖突圍與北方華創的平台化不同，中微公司展現了在特定高門檻領域的極深造詣。公司專注於電漿體刻蝕裝置（CCP/ICP）和MOCVD裝置，技術水平已躋身國際第一梯隊 [6]。2025年前三季度，中微公司實現營收80.63億元，同比增長46.40% [6, 7]。資料來源：[6, 7]。中微公司的盈利邏輯在於對研發的極端重視。2025年前三季度研發支出達25.23億元，同比增長63.44%，這一投入規模即便在國際半導體巨頭中也極具競爭力 [6]。這種高強度投入直接轉化為了其薄膜裝置類股的爆發式增長，尤其是ALD（原子層沉積）裝置的國產替代處理程序在2025年出現了突破性進展。2.3 拓荊科技 (Piotech) 與華海清科 (Hwatsing)：細分賽道的隱形冠軍拓荊科技作為國內薄膜沉積裝置的龍頭，在2025年實現了業績的加速跑。前三季度營業收入達42.20億元，同比大幅增長85.3%；歸母淨利潤5.57億元，增長105.1% [8]。其PECVD、ALD等先進製程裝置已在主流晶圓廠實現量產放量，且公司在合同負債（預收款）端表現強勁，截至三季度末達48.94億元，同比近乎翻倍，預示其在2026年仍將保持高速增長態勢 [8]。華海清科則穩守化學機械拋光（CMP）領軍地位。隨著12英吋先進製程對拋光步驟要求的幾何倍增，華海清科不僅實現了CMP裝置的全面突破，更通過擴展減薄裝置和耗材業務，建構了更寬的護城河。盛美上海（ACM Research）則憑藉在清洗裝置領域的差異化競爭力（如SAPS/TEBO兆聲波清洗技術），成功向電鍍、拋光等領域延伸，成為多元化裝置陣營的重要一極。3. 晶圓代工與製造：百萬片產能里程碑與成熟製程復甦晶圓代工是半導體產業鏈的中樞，連接著上游設計與下游應用。2025年，中國大陸晶圓代工業不僅在產能規模上實現了跨越，更在產能利用率與特色工藝上展現了極強的防禦性。3.1 中芯國際 (SMIC)：月產百萬片的歷史躍遷中芯國際作為中國大陸先進製程與規模化的雙重標竿，在2025年三季度迎來了一個標誌性時刻：其月產能（折合8英吋）首次突破100萬片大關，具體達到102.28萬片[9]。相較於2024年同期的88.43萬片，中芯國際在一年內新增了約13.85萬片產能，且增量幾乎全部集中在更具盈利能力的12英吋產線上 [9]。在財務與營運端，中芯國際2025年第二季度銷售收入為22.09億美元，雖然毛利率因前期裝置計入折舊及新品推廣略有波動，但其產能利用率在三季度攀升至95.8% [9, 10]。CEO趙海軍指出，公司目前的訂單量已經超過了實際產出能力，這種“供不應求”的局面主要由模擬晶片（快充、電源管理）、CIS圖像感測器以及車規級產品的強勁需求驅動 [10]。3.2 華虹半導體 (Hua Hong)：超負荷運轉下的特色工藝盈利華虹半導體的2025年可以用“滿負荷”來形容。第二季度，華虹的產能利用率達到了驚人的108.3% [10]。儘管由於無錫新產線的折舊成本上升（物業及裝置折舊同比增加33%），導致其短期毛利率受壓，但從長遠來看，產能利用率的飽和證明了其在功率器件（超級結、IGBT）及嵌入式儲存器領域的工藝領先地位 [11]。資料來源：[10, 12]。華虹的另一重大看點在於產業整合。公司正籌備收購上海華力微電子股權，這一潛在交易若成功實施，將使華虹集團在成熟製程與准先進製程（28nm/14nm）之間形成更緊密的工藝矩陣 [11]。3.3 晶合整合 (Nexchip) 與積塔半導體：垂直賽道的專業化代工晶合整合在2025年穩固了其在全球顯示驅動晶片（DDIC）代工領域的霸主地位。上半年營收達51.98億元，歸母淨利潤同比大幅增長77.61% [13]。晶合整合的成功揭示了一個盈利邏輯：在LCD/OLED驅動、車載CIS等細分垂直市場做到極致，可以有效規避一線Foundry的價格戰，並享受規模經濟帶來的邊際效益提升 [13, 14]。積塔半導體則在汽車電子和功率器件代工賽道狂奔。隨著汽車架構向域控製器轉化，對高可靠性、高電壓工藝的需求爆發，積塔半導體作為擁有車規級全鏈條驗證能力的Foundry，其訂單可見度已排至2026年以後。燕東微（YDME）則通過多條生產線的協同，在軍事、工業等老牌製造領域保持了深厚的基本盤。4. 儲存晶片：從技術追趕到全球份額重構儲存晶片是半導體行業中產值佔比最高（約24%）且周期性最強的類股 [15]。2025年，中國儲存“雙子星”——長江儲存（YMTC）與長鑫儲存（CXMT）在全球市場的份額及技術影響力均實現了跨越。4.1 長江儲存 (YMTC)：3D NAND 的突圍與成長作為中國唯一的3D NAND快閃記憶體廠商，長江儲存在經歷“實體清單”調整後，展現了頑強的生命力。2025年一季度，長江儲存營收突破10億美元，全球市場份額提升至8.10% [16]。隨著長存三期產能的逐步釋放，行業普遍預測其市場份額將最終衝向15% [15, 17]。長江儲存的技術優勢在於其獨創的Xtacking架構，這使得其在實現高層數（如232層及以上）堆疊的同時，能夠保持較小的晶片面積和極高的I/O速度。這種技術領先性使其在全球固態硬碟（SSD）市場，尤其是高性能消費級和企業級市場，具備了與三星、美光一較高下的實力。4.2 長鑫儲存 (CXMT)：DRAM 產能的倍數級增長長鑫儲存在DRAM領域的追趕速度同樣驚人。2025年一季度其全球市場份額增至4.10% [16]。根據Counterpoint的預測，2025年長鑫儲存的出貨量將同比增長50%，整體出貨份額預計從年初的6%增至年底的8% [17]。長鑫儲存的戰略核心在於“產能規模化”。摩根士丹利預測，長鑫有望在2025年達到36萬片/月的產能水平，這將顯著降低其單位成本，使其在PC、移動端DRAM及利基DRAM市場更具競爭力 [15]。同時，隨著AI應用對LPDDR5及HBM（高頻寬儲存）的需求激增，長鑫的先進製程研發也將成為2026年的關鍵盈利看點。5. 功率半導體與IDM：新能源浪潮下的紅利挖掘在汽車電動化與太陽能儲能的加持下，功率半導體成為了中國半導體行業盈利確定性最高的細分領域之一。5.1 士蘭微 (Silan Micro)：IDM模式的經營典範士蘭微在2025年交出了一份令人矚目的成績單。上半年公司實現營業收入63.36億元，歸母淨利潤扭虧為盈達到2.65億元，同比增幅超1100% [18]。其成功的關鍵在於“深耕汽車與太陽能市場”以及“規模效應攤薄成本”。•汽車業務：2025年上半年應用於汽車的IGBT和SiC產品營收同比增長80%以上，公司成功切入比亞迪、吉利、特斯拉等頭部車企供應鏈 [18]。•SiC突破：其第IV代平面柵SiC-MOSFET性能已接近溝槽柵水平，且晶片良率超90%，顯著高於國際85%的平均水平[18]。•太陽能優勢：士蘭微在太陽能領域的IGBT單管市佔率超40%，逆變器用MOSFET全球市佔率達9.8%，僅次於英飛凌 [18]。資料來源：[18]。5.2 安世半導體 (Nexperia) 與華潤微 (CR Micro)：全球視野下的中國力量聞泰科技旗下的安世半導體在2025年表現出極強的韌性。第三季度半導體業務收入43.00億元，同比增長12.2%，毛利率高達34.56% [19, 20]。即便面臨地緣政治風波，其在中國市場的收入佔比仍升至49.29%，汽車業務收入增長超26% [19]。安世半導體的盈利能力證明了在全球功率分立器件市場，中國企業已具備成熟的IDM管理能力和全球管道優勢。華潤微作為國內領先的IDM巨頭，在2025年上半年實現營收52.18億元。雖然在利潤增速上略遜於爆發期的士蘭微，但其資產結構的穩健性和在消費電子、工業控制領域的滲透深度，使其保持了極高的市場佔有率 [18]。6. 2026年中國半導體發展趨勢與預測站在2025年的業績高峰迴望，2026年的中國半導體產業將呈現出從“單點突破”向“生態閉環”跨越的特徵。6.1 AI 基礎設施的“第二波”爆發與國產算力重構2026年，AI驅動的半導體增長將進入深水區。IDC預測，到2026年，資料計算類股的半導體營收將首次超過總營收的50% [2]。這一趨勢對中國而言意味著兩個層面的機會：1.AI伺服器晶片的高速增長：包括GPU、邏輯ASSP/ASIC以及配套的電源管理晶片。預計2026年AI加速卡市場規模將年增78% [4]。2.網路與儲存的補完：AI算力不僅看晶片性能，更看互聯速度。資料中心網路晶片（如高端乙太網路交換晶片）和高頻寬儲存（HBM）將在2026年迎來國產化高峰，預計相關市場年增27% [2, 4]。6.2 晶圓代工市場的全球份額再平衡預測顯示，到2026年，中國IC設計企業的產值佔全球市場份額將從2025年的40%進一步提升至45%，確立在該領域的全球領先地位 [4]。與之相對應的是，中國晶圓廠在國產替代政策驅動下，成熟製程的產能利用率將持續保持在90%以上的高檔水位 [4]。在製程演進上，全球主流Foundry正邁向2nm工藝，而中國本土Foundry在2026年的重點將是利用芯粒（Chiplet）和矽光子等專用技術，在現有先進製程受限的情況下，通過先進封裝技術實現性能上的“曲線救國” [2]。6.3 細分賽道的盈利關鍵與結構性機會資料綜合自 [4, 21, 22]。7. 盈利能力分析與投資洞察2025-2026年，中國半導體產業的盈利能力呈現出“馬太效應”與“成本分化”並存的格局。7.1 成本管控與規模效應的博弈士蘭微的案例深刻揭示了IDM模式在下行周期結束後的爆發力。通過自主晶圓線的滿負荷運轉，單位分攤成本的降低（12英吋IGBT晶片單片固定成本降至0.8元，遠低於代工模式的1.5元）是盈利提升的核心秘密 [18]。2026年，隨著更多國產12英吋產線度過折舊高峰期，行業整體的盈利中樞有望抬升。7.2 研發投入的“資產化”回報北方華創和中微公司極高的研發支出（佔營收10%-30%不等）在短期內壓縮了淨利潤，但從長遠看，這是建構長期盈利壁壘的唯一途徑[5, 6]。2026年，隨著多款新品（如ALD、先進刻蝕裝置）從驗證期進入大規模採購期，這些裝置企業的研發邊際成本將迅速下降，淨利潤彈性將遠高於營收增速。7.3 地緣政治與供應鏈重組的避險2026年，地緣政治引發的供應限制仍是最大變數。然而，美銀報告指出，AI基建的升級是強結構性的，甚至可以抵消部分總額經濟的不確定性 [21]。中國企業通過建立“本土供應閉環”，在成熟製程及特色工藝（如汽車級、工業級半導體）中正形成一種“內循環”式的盈利保障。8. 結論與展望綜上所述，2025年中國半導體產業已基本完成了從“逆風防守”到“順風進攻”的姿態轉換。北方華創、中微公司等裝置領軍者通過全產業鏈佈局夯實了基礎；中芯國際、華虹半導體則通過百萬片產能量級實現了規模經濟；士蘭微、聞泰安世等IDM廠商則利用新能源紅利實現了盈利的質變。展望2026年，人工智慧將不再是一個孤立的概念，而是滲透進從算力卡到電源管理、從HBM儲存到先進封裝的每一個半導體細胞中。盈利的關鍵點將聚焦於三點：第一，在先進製程受阻下通過Chiplet和3D封裝實現的性能突破；第二，在功率器件領域對第三代半導體良率與規模的絕對掌控；第三，在半導體裝置領域從“能用”向“好用”的跨越。中國半導體產業在2026年有望實現全球產值佔比的新高，其背後是中國日益成熟的產業鏈叢集效應。儘管波折難免，但技術自主化與需求智能化雙向奔赴的大趨勢，正引領中國半導體行業邁向一個更具生命力的兆級未來。 (YAH VS HYA)

外延收購，加速擴張。中國刻蝕機之父，籌劃一樁交易。12月19日，尹志堯掌舵的中微公司稱，擬發行股份，購買“杭州眾硅”控股權。其行動迅速，已與標的股東杭州眾芯硅工貿、上海寧容海川等簽署《購買資產意向協議》。作為買方，中微頭頂技術光環，產業資源豐富。其董事長尹志堯，為頂尖半導體專家，60歲時創辦中微，專注研發刻蝕裝置。經過21年的攻堅，他帶出一家市值超1700億元的晶片裝置龍頭，且6年來已投資30多家產業鏈標的。此次，尹志堯即將再下一城，沿著“平台化”路徑狂奔。“此次籌劃收購，絕非簡單的規模擴張，而是中微基於行業發展規律和自身階段作出的審慎決策。”芯謀研究首席分析師顧文軍向《21CBR》記者解釋。老驥伏櫪現年81歲的尹志堯，長期奔波在一線，幹勁十足。4月，他撰寫《董事長致詞》，強調中微的目標，是成為“國際一流半導體裝置公司”，並給團隊打氣，稱“目標一定能實現”。其精神矍鑠，今年以來，多次帶著管理層，接待投資機構，規劃未來。“我們計畫，通過外延收購和內生研發的方式，覆蓋超六成的半導體前道裝置品類。”管理層5月指出，對收購機會，中微保持積極且開放的態度。中微併購經驗豐富。尹志堯曾列出一組資料，上市以來，公司投資了30多家產業鏈上下游企業，斥資20多億，浮盈50多億，實現良好的經濟效益和戰略協同效果；參股的8家企業，已在A股上市。臨近年底，中微再度出手。其看中的杭州眾硅，成立於2018年，早就躋身“獨角獸”之列，擅長製造高端CMP（化學機械平坦化拋光）裝置。CMP屬於晶片製造的前道工序，可以理解為“拋光打磨”技術，即把晶片壓在旋轉的拋光墊上，一邊靠細小磨料做物理研磨，一邊靠化學試劑腐蝕晶片表面，共同將表面磨平整。杭州眾硅的裝置，已獲客戶認可，陸續中標上海新微、雲南創視界光電科技的訂單，還被評為杭州士蘭集昕的優秀供應商。值得注意的是，中微本就是其第二大股東，持股12%；尹志堯本人還於9月，進入杭州眾硅管理層，擔任董事。當前，半導體產業整合更注重戰略協同與技術補強，而非單純的資本擴張“中微此次籌劃收購，是經過長期觀察、先期戰略投資後的穩步推進，核心目的在於‘補全’與‘強化’。”顧文軍告訴記者，杭州眾硅主攻濕法工藝，在技術上具有稀缺性和互補性。“交易價格將以資產評估報告為基礎，經各方協商確定。”公告補充，僅達成初步意向。尹志堯團隊將在簽署正式協議後，發佈詳細方案。劍指平台尹志堯是中微的靈魂人物，履歷豐富。他是北京人，本科畢業於中科大，後拿到加州洛杉磯分校博士學位。40歲那年，他作為第一個中國留學生加入英特爾，二十年後，毅然放棄百萬年薪，帶領十五位同仁飛抵上海浦東，開啟創業。《21CBR》記者注意到，2024年財報顯示，尹志堯已放棄美國國籍，恢復中國籍。這位“發明家創始人”，正帶領中微衝刺新目標。他計畫用五至十年，逐步覆蓋半導體高端裝置的50%-60%，推動中微儘早轉型高端裝置平台化公司。到2035年，中微要進入全球半導體裝置第一梯隊。10月底，尹志堯提到，中微擁有三十多種裝置，覆蓋半導體高端裝置的25%-30%。結合處理程序來看，若達成目標，他將實現“再造一個中微”。加緊趕路，尹一手抓併購，一手抓研發。目前，中微的在研項目涵蓋六類裝置，同時開發超二十款新裝置，速度顯著加快。過去，其通常需要3-5年開發一款新裝置，現只需兩年或更短時間完成新品開發，並迅速量產。官方稱，未來數年，將加速、大規模推出多種新品。走向平台化，其重要的產品抓手，在於薄膜沉積裝置。2025年9月，尹志堯一口氣發佈6款新品，其中有四款是薄膜沉積裝置。1-9月，其薄膜裝置收入，體量已有4個多億，同比增速高達13倍。這塊業務，於2010年開始佈局，近兩年開發的新產品——LPCVD和ALD薄膜裝置，已進入市場，並獲得重複性訂單。按計畫，中微未來要開發約40種導體薄膜裝置，覆蓋全部類別的先進金屬應用。“我們很快將會把國際對國內禁運的20多種薄膜裝置開發完成，預計到2029年，完成所有開發。”尹志堯5月表示。提速擴張尹志堯圍繞平台化的大干快上，在於裝置生意迎來好周期。晶片製造，離不開“三劍客”，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置。打個比方，光刻機是打草稿的“畫筆”，刻蝕機是“雕刻刀”，薄膜沉積裝置則是給晶圓貼材料的“油漆刷”。微觀器件越做越小，結構從2D轉到3D，帶來刻蝕跟薄膜的應用總量跟步驟數，大幅增加。市場對這兩類裝置的需求量大增，這是中微業績強勁增長的底層動力。從規模來看，刻蝕裝置仍是主力，貢獻超75%收入。尹志堯主導下，中微已開發3代、18款刻蝕機，持續鞏固基本盤。其電漿體刻蝕已批次出貨給國記憶體儲、邏輯等客戶產線，截至2025年上半年，CCP刻蝕裝置累計裝機量超4500個反應台，ICP刻蝕裝置累計裝機量超1200個反應台。目前，業內量產所用刻蝕機的深寬比在60:1，尹志堯團隊正在突破90到100:1的深孔刻蝕。擴大產品覆蓋面的同時，尹志堯加緊提高產能。南昌生產研發基地、上海臨港生產研發基地，均已投入使用，產能大幅提升；上海臨港滴水湖畔，佔地約10萬平方米的總部大樓暨研發中心，也在順利建設。這三塊基地，合計新增總面積將達42萬平方米，較2022年，新增15倍。為確保今後十年有足夠的廠房，保障新品研發和產能高速增長，中微規劃，在廣州增城區及成都高新區，落地新生產基地，且已開工。擴地，也增員。截至6月底，中微員工大幅增至2638人。管理層預計，2025年也將保持穩定的人員增速。投人投錢，外部併購、自主研發雙線平行，這位半導體專家期待抓住機遇，再一次突圍。 (半導體產業縱橫)

外延收購，加速擴張。中國蝕刻機之父，籌劃一樁交易。12月19日，尹志堯掌舵的中微公司稱，擬發行股份，購買「杭州眾矽」控股權。其行動迅速，已與標的股東杭州眾芯矽工貿、上海寧容海川等簽署《購買資產意圖協議》。作為買方，中微頭頂科技光環，產業資源豐富。其董事長尹志堯，為頂尖半導體專家，60歲時創辦中微，專注於研發刻蝕設備。經過21年的攻堅，他帶出一家市值超1700億元的晶片設備龍頭，6年來已投資30多家產業鏈標的。這次，尹志堯即將再下一城，沿著「平台化」路徑狂奔。「此次規劃收購，絕非簡單的規模擴張，而是中微基於產業發展規律和自身階段作出的審慎決策。」芯謀研究首席分析師顧文軍向《21CBR》記者解釋。老驥伏櫪現年81歲的尹志堯，長期奔波在一線，幹勁十足。4月，他撰寫《董事長致詞》，強調中微的目標，是成為“國際一流半導體設備公司”，並給團隊打氣，稱“目標一定能實現”。其精神矍鑠，今年以來，多次帶著管理階層，接待投資機構，規劃未來。中微董事長尹志堯「我們計劃，透過外延收購和內生研發的方式，涵蓋超六成的半導體前道設備品類。」管理層5月指出，對收購機會，中微保持積極且開放的態度。中微併購經驗豐富。尹志堯曾列出一組數據，上市以來，公司投資了30多家產業鏈上下游企業，斥資20多億，浮盈50多億，實現良好的經濟效益和戰略協同效果；參股的8家企業，已在A股上市。接近年底，中微再度出手。其看中的杭州眾矽，成立於2018年，早就躋身「獨角獸」之列，擅長製造高階CMP（化學機械平坦化拋光）設備。CMP屬於晶片製造的前道工序，可以理解為「拋光打磨」技術，即把晶片壓在旋轉的拋光墊上，一邊靠細小磨料做物理研磨，一邊靠化學試劑腐蝕晶片表面，共同將表面磨平整。杭州眾矽的設備，已獲客戶認可，陸續中標上海新微、雲南創視界光電科技的訂單，也被評為杭州士蘭集昕的優秀供應商。值得注意的是，中微本就是其第二大股東，持股12%；尹志堯本人還於9月，進入杭州眾矽管理層，擔任董事。目前，半導體產業整合更注重策略協同與技術補強，而非單純的資本擴張。“中微此次籌劃收購，是經過長期觀察、先期戰略投資後的穩步推進，核心目的在於'補全'與'強化'。”顧文軍告訴記者，杭州眾矽主攻濕法工藝，在技術上具有稀缺性和互補性。「交易價格將以資產評估報告為基礎，經各方協商確定。」公告補充，僅達成初步意向。尹志堯團隊將在簽署正式協議後，發布詳細方案。劍指平台尹志堯是中微的靈魂人物，履歷豐富。他是北京人，本科畢業於中科大，後來拿到加州洛杉磯分校博士學位。40歲那年，他以第一個中國留學生加入英特爾，二十年後，毅然放棄百萬年薪，帶領十五位同仁飛抵上海浦東，開啟創業。《21CBR》記者註意到，2024年財報顯示，尹志堯已放棄美國國籍，恢復中國籍。這位“發明家創始人”，正帶領中微衝刺新目標。他計劃用五至十年，逐步涵蓋半導體高階設備的50%-60%，推動中微儘早轉型高階設備平台化公司。到2035年，中微要進入全球半導體設備第一梯隊。10月底，尹志堯提到，中微擁有三十多種設備，涵蓋半導體高階設備的25%-30%。結合進程來看，若達成目標，他將實現「再造一個中微」。加緊趕路，尹一手抓併購，一手抓研發。目前，中微的在研項目涵蓋六類設備，同時開發超二十款新設備，速度顯著加快。過去，其通常需要3-5年開發一款新設備，現只需兩年或更短時間完成新品開發，並迅速量產。官方稱，未來數年，將加速、大規模推出多種新品。走向平台化，其重要的產品抓手，在於薄膜沉積設備。2025年9月，尹志堯一口氣發表6款新品，其中有四款是薄膜沉積設備。1-9月，其薄膜設備收入，體量已有4個多億，較去年成長高達13倍。這塊業務，於2010年開始佈局，近兩年開發的新產品——LPCVD和ALD薄膜設備，已進入市場，並獲得重複性訂單。按計劃，中微未來要開發約40種導體薄膜設備，涵蓋全部類別的先進金屬應用。「我們很快就會把國際對國內禁運的20多種薄膜設備開發完成，預計到2029年，完成所有開發。」尹志堯5月表示。提速擴張尹志堯圍繞平台化的大干快上，在於設備生意迎來好周期。晶片製造，離不開“三劍客”，光刻機、蝕刻機、薄膜沉積設備。打個比方，光刻機是打草稿的“畫筆”，蝕刻機是“雕刻刀”，薄膜沉積設備則是給晶圓貼材料的“油漆刷”。微觀元件越做越小，結構從2D轉到3D，帶來刻蝕跟薄膜的應用總量跟步驟數，大幅增加。市場對這兩類設備的需求量大增，這是中微業績強勁成長的底層動力。從規模來看，蝕刻設備仍是主力，貢獻超75%收入。尹志堯主導下，中微已開發3代、18款蝕刻機，持續鞏固基本盤。其等離子蝕刻已批次出貨給國內儲存、邏輯等客戶產線，截至2025年上半年，CCP蝕刻設備累積裝機量超4500個反應台，ICP蝕刻設備累計裝機量超1200個反應台。目前，業界量產所用蝕刻機的深寬比在60:1，尹志堯團隊正在突破90到100:1的深孔蝕刻。擴大產品覆蓋面的同時，尹志堯加緊提高產能。南昌生產研發基地、上海臨港生產研發基地，均已投入使用，產能大幅提升；上海臨港滴水湖畔，佔地約10萬平方公尺的總部大樓暨研發中心，也順利興建中。這三塊基地，合計新增總面積將達42萬平方米，較2022年，新增15倍。為確保今後十年有足夠的廠房，保障新品研發及產能高速成長，中微規劃，在廣州增城區及成都高新區，落地新生產基地，且已開工。擴地，也增員。截至6月底，中微員工大幅增至2,638人。管理階層預計，2025年也將維持穩定的人員成長速度。投人投錢，外部併購、自主研發雙線並行，這位半導體專家期待抓住機遇，再一次突圍。 (21世紀商業評論）

坐等根據瑞銀（UBS）近期發佈的一份報告，中國半導體裝置領軍企業北方華創（NAURA）在關鍵的深孔刻蝕技術上取得了重大進展。北方華創成功攻克了 90:1 高縱橫比（HAR）深孔刻蝕技術，這為國記憶體儲晶片廠商實現300層以上3D NAND快閃記憶體的製造奠定了裝置基礎。3D NAND技術是當前儲存晶片提高密度的核心路徑，廠商通過不斷堆疊儲存單元層數來提升容量。隨著層數從128層邁向200層乃至300層，對製造工藝的要求也達到了極致。晶片製造商需要在數微米厚的多層材料中，垂直打出直徑僅幾十奈米的“通孔”，以連接各層儲存單元。當層數達到300層以上時，所需的深寬比（即深度與直徑之比）將達到90:1或更高。深孔刻蝕正是實現這一目標的最苛刻工藝之一，長期以來由美國泛林（Lam Research）和日本東京電子（TEL）等國際巨頭主導。在美國對華實施半導體裝置出口管制、先進儲存裝置禁運的背景下，國記憶體儲廠商對核心裝置的中國國產化需求已上升為“必選項”。北方華創此次的技術突破，正是在這一戰略關鍵期的重要進展。值得一提的是，中國另一家刻蝕裝置龍頭中微公司此前也已宣佈具備90:1深孔刻蝕能力，並正在加速攻克100:1技術，顯示出中國裝置廠商在這一領域整體的奮起直追態勢。瑞銀分析指出，如果北方華創的90:1刻蝕裝置能順利獲得中國NAND晶圓廠的訂單，預計將為公司打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，由於中國邏輯晶片廠商對先進製程裝置的需求持續旺盛，北方華創來自邏輯客戶的收入也有進一步增長潛力。基於對市場需求的樂觀判斷，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠裝置（WFE）收入預測分別上調1%和8%。事實上，北方華創的業務佈局已覆蓋多個高增長領域。公司近期在投資者互動平台上透露，隨著 HBM（高頻寬記憶體）市場需求的爆發，公司在HBM晶片製造領域已形成完整的解決方案。這包括深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。面對投資者關於“美系裝置斷供下訂單情況”的提問，北方華創回應稱，目前公司在儲存裝置和成熟製程裝置方面的訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用於中國主流晶片廠商的生產線。當前，AI、雲端運算等新興應用正在推動儲存晶片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025 年至2027年全球HBM產能將增長超過300%。中國作為全球最大的儲存晶片消費市場，本土製造的迫切需求為北方華創等中國國產裝置商帶來了歷史性的發展機遇。此次突破，使得國記憶體儲晶片廠商在關鍵裝置採購上擁有了可靠的本土選項，極大地降低了外部管制帶來的風險。配合中微公司的同步進展，中國國產刻蝕裝置正在形成強大的叢集效應，這對於儲存器產業實現自主可控具有里程碑意義。目前中國市場對儲存晶片的依賴度，仍以韓國的三星和 SK 海力士為主，美光也佔據重要地位，有大量的市場等待開拓。當下中國國產DRAM佔據全球市場份額僅3~5%，而NAND快閃記憶體領域也不過是5~8%。而中國是全球雲端運算和 AI 基礎設施增長最快的市場之一，對高性能伺服器記憶體的需求巨大，同時也是全球最大的智慧型手機和 PC 製造及消費市場，對DRAM的需求佔比預估為30~40%。隨著資料中心和 PC 市場對固態硬碟的需求增加，NAND快閃記憶體的需求量持續攀升，在手機儲存上也需要大量的UFS儲存晶片，因此對NAND快閃記憶體的產能需求同樣巨大，佔全球產能1/3左右。而若要實現中國國產裝置儲存全面自主化，這些待開拓的市場價值超過三千億元，這對於我們的企業既是機會也是挑戰。希望我們的儲存晶片企業能夠抓住這次機會，趁上行期好好擴充產能，為全面自主添磚加瓦。 (AMP實驗室)

近日中微公司的財報，反映出半導體裝置市場的焦點在光刻機之外，進一步向刻蝕、薄膜沉積等其他核心裝置領域拓展。2025 年前三季度，中微公司營收 80.63 億元，年增 46.40%。其中刻蝕裝置收入 61.01 億元，較去年成長 38.26%；LPCVD、ALD 等薄膜裝置收入 4.03 億元，較去年成長 1332.69%。伴隨半導體產業的發展，刻蝕、薄膜沉積正成為市場關注的核心領域。半導體裝置，最新焦點半導體製造核心器件涵蓋前道晶圓製造與後道封測兩大類，前道器件技術壁壘最高，主導市場份額。其中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置是三大主要的裝置，根據SEMI測算資料，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置分別約佔半導體裝置市場的24%、20%和20%。具體到作用：光刻機如同「投影儀」，透過光源將電路圖形轉移到晶圓，決定晶片最小線寬。刻蝕機是「雕刻刀」，選擇性去除多餘材料，精確復刻圖形。薄膜沉積裝置負責沉積導體、絕緣體等膜層，建構晶片基礎結構，主要分為物理氣相沉積（PVD​​）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三類。在這一系列裝置中，刻蝕與薄膜沉積之所以成為當前產業關注的新焦點，背後是半導體工藝演進至先進過程所帶來的必然邏輯變遷。第一點，目前EUV光刻機的波長限制在13.5nm，它做出來的線條只能做到14nm，10nm、7nm、5nm晶片要通過多重範本的方法，把20nm光刻機線條翻版成兩個10nm線條，再翻版成5nm的線條。SEMI資料顯示，在晶片製造流程裡，從65nm 製程演進至 7nm 流程，光刻步驟數量僅增加了約 30%，但刻蝕步驟數量卻激增了超過 300%。與此同時，薄膜沉積工序數量和複雜度也在大幅增加。當線寬向7nm及以下製程發展，需採用多重曝光工藝，薄膜沉積次數顯著增加，90nm CMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序，在3nm FinFET工藝產線則需要100道薄膜沉積工序。第二點，隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數​​不斷增加，目前主流產品已超過 200 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，例如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。第三點，GAAFET 是接替 FinFET 的下一代電晶體技術。GAAFET 相比於 FinFET 的刻蝕工藝用量顯著增加，FinFET 有 5 道步驟涉及刻蝕工藝，而 GAAFET 晶體管有 9 道步驟涉及刻蝕工藝。根據IMM資訊的資料，刻蝕裝置在先進製程的用量佔比將從傳統FinFET時代的20%上升至GAA架構下的35%，單台裝置價值量年增12%。薄膜沉積裝置則需要在復雜三維結構上原子級均勻地沉積多層薄膜。例如：GAA奈米片電晶體需在原子尺度控制多層堆疊（如Si/SiGe超晶格），要求PECVD沉積的介電薄膜（如柵極側牆隔離層）厚度偏差控制在±0.5Å以內，且需實現高深寬比結構的保形覆蓋（覆蓋率>95%）因此，半導體製造未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕及薄膜沉積工藝。Q3裝置進口資料，透露那些資訊根據海關總署資料，2025年Q3前道裝置進口總額為101.87億美元，年增15.28%，環比增長33.15%，創歷史新高。核心器件進口資料的變化，既是國內半導體產能佈局的「晴雨表」，也折射出全球半導體裝置產業的競爭格局。其中CVD裝置、乾式蝕刻裝置等核心工藝裝置進口數量及單價均處於歷史高點。具體來看：光刻裝置方面，「其他光刻裝置」進口數量下降，但來自荷蘭的同類裝置單價卻飆升至歷史最高。這可能意味著中低階光刻裝置的進口已在縮減，聚焦引進相對高端光刻裝置，為先進工藝擴產突破技術瓶頸。薄膜沉積裝置方面，CVD裝置量價齊升且數量創歷史最高，反映國內在先進邏輯晶片、高端儲存領域的產能擴張需求強烈，對 CVD 這類核心沉積裝置依賴度仍較高。PVD 裝置已在中低階領域實現突破，同時國內對高階 PVD 裝置的採購標準提升。薄膜沉積裝置下一步的看點在於CVD、ALD等高階薄膜沉積裝置的國產化處理程序。刻蝕裝置方面，乾法刻蝕量價雙增且增速顯著，可能意味著國內產能擴張正在向先進製程傾斜，隨著晶片結構從2D向3D演進，對高性能乾法刻蝕裝置需求激增。其他刻蝕及剝離裝置進口量及進口單價均較去年同期下滑，這可能意味著國產裝置廠商在成熟製程刻蝕方面取得一定的成果。離子注入裝置方面，目前國內市場被美國，全球競爭正在加劇。氧化擴散裝置方面，自2024年下半年起氧化擴散等熱處理裝置進口數量整體呈下滑趨勢，但進口單價半導體裝置，多點開花根據國際半導體產業協會SEMI預測，2025年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,100億美元，較2024年年增約2%。在資料中心和邊緣兩端晶片需求走高背景下，預計2026年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,298億美元，年增速高達18%。刻蝕裝置從技術路徑來看，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕與乾法刻蝕兩大路線。隨著半導體製造向7nm及更先進節點發展，晶片整合度不斷提高，裝置結構日益複雜，對刻蝕工藝的精度、選擇性和一致性提出了前所未有的要求。在這一趨勢下，乾法刻蝕憑藉其卓越的技術適配性和工藝控制能力，已在邏輯晶片、存儲晶片等高端過程中佔據絕對主導地位，成為推動半導體技術迭代的關鍵工藝。在全球競爭格局方面，半導體刻蝕裝置主要被泛林、應用材料和東京電子三家廠商所壟斷，合計佔據近90%的市場份額。其中，應用材料在CCP與ICP兩大技術路線上均展現出強勁實力，產品線覆蓋全面，尤其在導體刻蝕與介質刻蝕領域保持領先；而泛林集團則在CCP技術領域，特別是高深寬比刻蝕方面具有絕對統治力，其裝置已成為3D NAND製造過程中不可或缺的核心環節。日本東京電子作為全球第三大刻蝕裝置供應商，在CCP和ICP領域都展現出強大的競爭力，特別是在介質刻蝕領域與美系企業並駕齊驅。相較之下，國內廠商起步較晚，如中微公司、北方華創、屹唐半導體等企業仍處於追趕階段，全球市場佔有率較低。國內積體電路製造廠商及國產蝕刻裝置仍有較大的發展空間。中微公司是刻蝕裝置的領導企業，其CCP裝置已實現對28奈米以上絕大部分應用的全面覆蓋，並在28奈米及以下節點取得重要進展。在3D NAND晶片的高深寬比刻蝕和邏輯晶片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商改採用。不過，其平台化能力相對較弱，尚無法提供全流程解決方案。在ICP裝置方面，中微的產品已進入邏輯、DRAM、3D NAND等50條客戶生產線，在MEMS和先進封裝的深矽刻蝕領域表現優異，但要進入最複雜的關鍵工藝步驟，仍需經歷更嚴苛的驗證周期。北方華創作，其半導體裝置品類數量在國內同類廠商中位居前列，覆蓋光膠處理、刻蝕、清洗、熱處理、化學氣相沉積、物理氣相沉積等多個積體電路生產環節。在技​​術層面，北方華創的CCP裝置在8吋產線的矽刻蝕、介質刻蝕應用中已佔據主導地位，在12吋產線也成功應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。值得注意的是，其ICP裝置的發展勢頭更為強勁，市場認可度持續提升。不過在最先進的邏輯晶片製造和128層以上3D NAND晶片的極高深寬比接觸孔刻蝕等尖端應用領域，北方華創裝置的技術成熟度、工藝均勻性和穩定性仍有提升空間，尚未進入全球頂級晶片製造商的最先進量產線。屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法裝置業務部門，2015年透過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心裝置產品線。根據Gartner 2023年的資料，在乾法去膠裝置領域，屹唐股份2023年憑藉34.6%的市場佔有率位居全球第二；在快速熱處理裝置領域，屹唐股份2023年憑藉13.05%的市場佔有率位居全球第二；同時，也是國內社會法位可大規模蝕量單晶圓法裝置的全球數位法位積壓板。薄膜沉積裝置半導體薄膜沉積裝置主要分為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD​​）和原子層沉積（ALD）三大類。目前，全球薄膜沉積裝置市場基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日廠商壟斷：在PVD裝置領域，AMAT處於領先地位，份額佔比達85%左右；在CVD領域，AMAT、LAM、TELCR3佔比合計超80%；在ALD裝置領域，TEL和A60%合計。近年來，國內企業不斷加強技術研發，湧現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等一批薄膜沉積裝置製造商。但整體來看，薄膜沉積裝置國產化實力相對較弱，尤其是技術門檻較高的ALD裝置。拓荊科技深耕薄膜沉積裝置領域PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜裝置系列產品，在積體電路邏輯晶片、儲存晶片製造等領域廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。PECVD裝置作為拓荊科技的核心產品，已實現全系列PECVD介質薄膜材料的覆蓋，通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK-I、LoK-II、ADCI、Ha-Si等）皆已實現產業化應用，廣泛應用於國內積體電路製造產線。ALD裝置方面，拓荊科技為國產ALD裝置薄膜工藝覆蓋率頭部的裝置廠商，推出ALD SiCO、SiN、AlN等工藝裝置已實現大量出貨。SACVD系列產品持續維持產品競爭優勢，進一步擴大量產應用規模。其推出的等離子體增強SAF薄膜工藝裝置在客戶端驗證進展順利。截至2024年，SACVD系列產品反應腔累計出貨超100個。截至2024年，拓荊科技HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工藝裝置均已實現產業化，並持續擴大量產規模，HDPCVD系列產品反應腔累計出貨量達到100個。截至2024年，與FlowableCVD裝置相關的反應腔累計出貨超過15個。中微公司早在2023年就有薄膜裝置運抵客戶，主要為CVD/HAR/ALD W鎢裝置，TiN/TiAI/TaN ALD裝置。2025年Q3財報顯示，中微公司為先進儲存元件和邏輯元件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場， 並且裝置性能完全達到國際領先水平， 薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。北方華創是國內PVD龍頭，稀缺性較強，且在LPCVD、APCVD、ALD領域也有所佈局，產品已批次應用到半導體產線。微導奈米依靠ALD裝置起家，在太陽能、半導體中均有應用，且公司是國內首家成功將量產型High-k ALD應用於28nm節點積體電路製造前道生產線的國產裝置公司，在ALD領域頗具競爭優勢。盛美上海以清洗裝置起家，正逐漸往平台型裝置公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。在今年106屆中國電子展上，有業內人士向半導體產業縱橫表示，2010-2024 年國內半導體裝置銷售額復合年增長率達 30.2%，這一增速顯著高於全球市場同期水準。成長呈現明顯的階段性特徵：2017-2018 年因頭部晶圓廠集中啟動 12 吋產線建設，裝置採購需求集中釋放；2023-2024 年受惠於成熟過程（28nm 及以上）擴產及特色工藝（如 SiC、GaN勢 ）產能，預計 將 持續 約然而要注意的是，儘管刻蝕、薄膜沉積裝置本體國產化進展加速，但關鍵零件環節已成為自主可控的瓶頸之一。當前兩類裝置通用標準件的供應鏈高度依賴進口：日本企業（如 NSK、Fujikin）佔據大部分的市場份額，主要提供高精度傳動部件與特種氣體控制元件；歐洲供應商（如 Pfeiffer、Leybold）在真空系統領域佔比過半。美國零件公司仍掌握著部分核心訂製零件市場。不過，這項制約格局正迎來政策引導與市場驅動的雙重破局契機：總規模達 3,440 億元的國家積體電路產業投資基金三期（大基金三期）已明確將上游關鍵零組件列為核心投資方向之一。後續透過推動相關措施降低海外供應鏈依賴，將為刻蝕、薄膜沉積裝置的國產化築牢上游根基。 （環球老虎財經app)

中微公司2025年前三季度營業收入為80.63億元，同比增長約46.40%；歸母淨利潤為12.11億元，同比增長32.66%。中微公司今日（10月29日）發佈2025年第三季度報告。公告顯示，中微公司2025年前三季度營業收入為80.63億元，同比增長約46.40%；歸母淨利潤為12.11億元，同比增長32.66%。其中第三季度營收為31.02億元，同比增長50.62%；歸母淨利潤為5.05億元，同比增長27.50%。收入按產品來看，前三季度刻蝕裝置收入61.01億元，同比增長約38.26%；LPCVD和ALD等薄膜裝置收入4.03億元，同比增長約1332.69%。中微公司表示，公司針對先進邏輯和儲存器件製造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，先進邏輯器件中段關鍵刻蝕工藝和先進儲存器件的超高深寬比刻蝕工藝實現大規模量產。其中CCP方面，中微公司用於關鍵刻蝕工藝的單反應台介質刻蝕產品保持高速增長，60：1超高深寬比介質刻蝕裝置成為國內標配裝置，量產指標穩步提升，下一代90：1超高深寬比介質刻蝕裝置即將進入市場。ICP方面，中微公司適用於下一代邏輯和儲存客戶用ICP刻蝕裝置和化學氣相刻蝕裝置開發取得了良好進展。加工的精度和重複性已達到單原子水平。中微公司為先進儲存器件和邏輯器件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場，據稱其裝置性能達到國際領先水平，薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。中微公司矽和鍺矽外延EPI裝置已順利運付客戶端進行量產驗證，並且獲得客戶高度認可。在泛半導體裝置領域，中微公司正在開發更多化合物半導體外延裝置，已陸續付運至客戶端開展生產驗證。交銀國際在本月發佈研報觀點認為，中微公司在刻蝕領域的發展軌跡或恰好與北方華創刻蝕業務發展相互補。目前海外公司仍然佔有超過七成的中國內地刻蝕市場，國產與國際廠商分別通過開發新產品獲得市場，國產廠商間競爭相對良性。得益於工藝成熟以及AI在產品開發中的運用，中微公司今年新品研發及推出市場的節奏提速。在今年第三季度舉行的第十三屆半導體裝置與核心部件及材料展上，中微公司共宣佈推出六款半導體裝置新產品，覆蓋電漿體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關鍵工藝。根據市場需求，中微公司今年加大研發力度。2025年前三季度中微公司研發支出25.23億元，較去年同期增長約63.44%，研發支出佔公司營業收入比例約為31.29%。目前中微公司在研項目涵蓋六類裝置，20多個新裝置的開發。今年10月，中微公司成都研發及生產基地暨西南總部項目正式開工，西南地區戰略佈局全面啟動。中微成都項目總投資額約30.5億元。據介紹，中微成都項目對於提升成渝地區半導體先進製程關鍵技術研發和國產化水平，補齊西南地區晶圓加工先進裝置製造短板具有重要戰略意義。今年9月，中微公司參與出資的智微資本首期基金——上海智微攀峰創業投資合夥企業（有限合夥）啟動，並將正式進入投資期。據瞭解，該基金將聚焦半導體、 泛半導體和戰略新興領域等，募資規模人民幣15億元，中微公司認繳出資7.35億元。中微公司今年第三季度在機構調研時表示，預計公司全年新簽訂單仍然保持良好的增長。2025年上半年新簽訂單同比增速達40%。2025年上半年的新簽訂單中，電漿體刻蝕裝置中ICP裝置的佔比略高於CCP裝置的佔比，客戶結構中儲存客戶佔比約為67%，整體先進製程佔比超過70%。 (科創板日報)

2025年9月24日，正在舉辦的2025北京微電子國際研討會暨 IC WORLD 大會的會議上，SEMI中國總裁分享了一個關於中國半導體產業現狀與展望的報告。下文是從半導體產業縱橫的直播中擷取的報告分享：人工智慧和汽車半導體推動長期增長中國半導體裝置投資領先全球北方華創、中微、盛美、拓荊、華海清科、芯源微、中科飛測有望成為世界級的平台型半導體裝置企業。其中北方華創在國內的半導體裝置收入已經超過100億大關，稍微落後於KLA（量檢測裝置巨頭）。北方華創：產品涵蓋半導體工藝裝備、平板顯示製造裝備和氣體質量流量控製器等核心零部件。具體包括電漿刻蝕、物理氣相沉積、化學氣相沉積、氧化擴散、清洗、退火等半導體工藝裝備；在平板顯示領域，有 CELL 段的 ODF 工藝紫外固化爐 UV Cure 以及 Cutting 工藝的 Grind Cleaner 等裝置；氣體質量流量控製器（MFC）產品行銷歐美。中微公司：主要產品有電漿體刻蝕裝置和矽通孔刻蝕裝置，已被廣泛應用於國際一線客戶的晶片加工製造及先進封裝；用於 LED 和功率器件外延片生產的 MOCVD 裝置，在全球氮化鎵基 LED MOCVD 裝置市場佔據優勢地位；此外，還有工業用大型 VOC 淨化、本地尾氣處理等環保裝置。盛美半導體：產品包括清洗裝置、半導體電鍍裝置、立式爐管系列裝置、前道塗膠顯影 Track 裝置、電漿體增強化學氣相沉積 PECVD 裝置、無應力拋光裝置、後道先進封裝工藝裝置以及矽材料襯底製造工藝裝置等。拓荊科技：主要產品包括電漿體增強化學氣相沉積（PECVD）裝置、原子層沉積（ALD）裝置、次常壓化學氣相沉積（SACVD）裝置、高密度電漿體化學氣相沉積（HDPCVD）裝置、超高深寬比溝槽填充（Flowable CVD）裝置和先進鍵合（W2W / D2W Hybrid Bonding）裝置以及相關量測裝置等系列。華海清科：產品主要有 CMP 裝備，如 Universal - H300、Universal - 300 T 等 12 英吋 CMP 裝備，以及 Universal - 200 Smart、Universal - 200 等 8 英吋 CMP 裝備；離子注入裝備，如大束流離子注入機 iPUMA - LE、熱工藝離子注入機 iPUMA - HT 等；還有超精密晶圓減薄裝備 Versatile - GP300 等。芯源微：主營產品為光刻工序塗膠顯影裝置和單片式濕法裝置，是國內唯一能提供前道塗膠顯影機的廠家。中科飛測：主要產品包括無圖形晶圓缺陷檢測裝置、圖形晶圓缺陷檢測裝置、三維形貌量測裝置、薄膜膜厚量測裝置、套刻量測裝置等。根據公開資訊，大基金三期已經投資的公司為拓荊鍵科。2025 年 9 月 12 日晚間，拓荊科技發佈公告稱，擬與多家外部投資者對控股子公司拓荊鍵科進行增資。其中，由大基金三期持股 99.9% 的國投集新（北京）股權投資基金（有限合夥）參與了此次增資，將在增資完成後成為拓荊鍵科第二大股東，持股比例約為 12.71%。通過比較來看，我們在研發投入上還是相對較低。未來長期的發展策略，仍然是需要持續加大半導體研發投入 (銳芯聞)

中微覆蓋60%半導體高端裝置！5 月 27 日，中微公司在上海臨港召開業績說明會，其 2024 年 LPCVD 裝置實現首台銷售，多款薄膜裝置進入市場並獲重複訂單。董事長尹志堯稱，目前薄膜裝置收入體量不大，但三到五年內將快速增長。過去中微研發投入側重刻蝕，近年薄膜裝置研發投入增加。公司未來五到十年計畫覆蓋 60% 以上半導體高端裝置，成為平台式集團公司。一、戰略領航，三維佈局建構產業生態在 5 月 27 日召開的 2024 年度暨 2025 年第一季度業績說明會上，中微公司董事長、總經理尹志堯明確指出，公司將堅定踐行三維發展戰略。“深耕積體電路關鍵裝置領域、擴展在泛半導體關鍵裝置領域應用並探索其他新興領域的機會，推進公司實現高速、穩定、安全、健康發展。”在積體電路方面，中微公司的電漿體刻蝕裝置已成功打入國內外一線客戶的生產線，廣泛應用於 65 奈米到 5 奈米及更先進工藝，成為支撐積體電路製造的關鍵力量。在泛半導體領域，其製造氮化鎵基發光二極體、Mini-LED 和 Micro-LED 的 MOCVD 裝置，以及製造碳化矽和氮化鎵功率器件的 MOCVD 裝置，均已在市場中佔據重要地位。並且，公司還前瞻性地佈局光學和電子束量檢測裝置等新興領域，不斷拓寬業務邊界。為強化產業協同，中微公司自上市以來，斥資 20 多億元投資約 40 家產業鏈上下游企業，不僅收穫了超 50 億元的浮盈，更在產業協同上成果顯著，其中 8 家參股公司已成功登陸 A 股，實現互利共贏。二、研發提速，18個月可完成新產品研發談及研發效率的提升，尹志堯感慨道：“經過 20 多年的努力，公司已組建了超過千人的研發團隊，並且十分全面。十年前，我們一般需要三到五年開發一個新產品，然後再花兩年時間進入市場。比如，MOCVD 從 2010 年開始研發，2017 年才進入市場。而現在，我們只需要大約 18 個月，最多兩年就能完成新品研發，半年到一年就可以量產並進入市場。”研發投入也在持續攀升。2024 年，公司研發總投入達 24.52 億元，同比增長 94.31%，佔營收比例約為 27%。今年一季度，研發投入同比增長 90.53%，達到 6.87 億元。目前，公司有超 20 款新裝置正在研發，涵蓋新一代高能 CCP 電漿體刻蝕裝置、ICP 低能電漿體刻蝕裝置、晶圓邊緣刻蝕裝置，以及新一代電漿體源的 PECVD 裝置、LPCVD 及 ALD 等薄膜裝置、外延 EPI 裝置和電子束量檢測裝置等，全方位覆蓋半導體裝置核心領域。三、業務精進，刻蝕穩固薄膜崛起中微公司的刻蝕裝置無疑是其核心競爭力所在。尹志堯介紹，公司開發的 CCP 高能電漿體和 ICP 低能電漿體刻蝕兩大類，十幾種細分刻蝕裝置已可覆蓋大多數刻蝕應用，刻蝕裝置收入持續高增長。2024 年刻蝕裝置收入約 72.77 億元，在最近四年收入年均增長超過 50% 的基礎上，2024 年又同比增長約 54.72% 。在薄膜裝置領域，儘管當前收入體量相對較小，但發展勢頭迅猛。尹志堯稱：“目前，薄膜裝置相關的收入體量還不大，但是公司已經在全面佈局並加速開發更多產品。我相信三到五年內，薄膜裝置收入將快速增長。”2024 年，中微公司 LPCVD 實現首台銷售，全年裝置銷售額約 1.56 億元，且 LPCVD 薄膜裝置累計出貨量已突破 150 個反應台，ALD 等薄膜裝置也已進入市場並獲得重要客戶的重複性訂單，未來潛力巨大。四、行業洞察，國產替代機遇無限面對行業競爭與前景，尹志堯有著清晰的認知：“我們非常歡迎競爭，也會與同行互相學習。中微的策略是專注於開發具有差異化、自主智慧財產權的高端裝置產品。比如，國內目前除了光刻機之外，硬體最難攻克的是電子束檢測裝置，晶片越做越小，量檢測裝置重要性越來越高，中微要承擔這樣的社會責任，去補齊這塊短板。”他進一步分析行業前景時提到：“目前國內半導體裝置市場主要由海外企業所佔據，但近年來中國裝置行業技術水平不斷提高，國產裝置在產品性價比、售後服務、貼近客戶等方面的優勢逐漸顯現，半導體裝置國產化在進一步提速。作為全球最大的半導體消費市場，市場需求帶動全球產能中心逐步向中國內地轉移，為裝置行業的發展提供了機遇。”尹志堯滿懷信心地表示：“國內半導體裝置公司比較成熟的有 30 多家，其中十幾家已上市。按國際經驗，很多半導體細分行業會形成兩三家頭部公司。我們不僅有信心成為國內領先的公司，還會對標國際競爭對手。中微的長期願景是，到 2035 年，在規模、產品、競爭力和客戶滿意度上，成為全球第一梯隊的半導體裝置公司。” 中微公司正憑藉堅定的戰略、強大的研發、多元的業務以及對行業的精準洞察，穩步邁向全球半導體裝置產業巔峰。 (芯榜)