近日，國內半導體產業再添重磅投資力量。企查查APP工商資訊顯示，上海智微凌峰創業投資合夥企業（有限合夥）正式設立，企業認繳出資額達21億元，聚焦未上市企業創業投資領域。 公司由中微公司、瀾起科技聯合多家機構共同出資組建，為國內硬科技尤其是半導體領域創新創業注入全新資本動能。 據公開工商資料披露，上海智微凌峰創業投資合夥企業（有限合夥）經營範圍明確為創業投資（限投資未上市企業），業務定位精準聚焦一級市場科技企業孵化與投資，重點佈局未上市優質科創企業，契合硬科技產業長期發展趨勢。本次基金落地落地上海，依託區域科創產業集聚優勢，將進一步完善本土半導體產業投融資生態。 股權穿透資訊顯示，該基金背後出資陣容堪稱豪華，核心出資方均為行業頭部企業及專業投資機構。其中包含瀾起科技（688008）全資子公司瀾起投資有限公司、中微公司（688012）全資子公司中微半導體（上海）有限公司兩大核心主體。除此之外，日聯科技全資子公司上海日聯智測科技有限公司、東莞信託有限公司、上海金橋投資合夥企業（有限合夥）等多家機構亦參與出資，多元出資結構為基金穩健營運提供堅實支撐。

Q1：這次高盛整體看好中國半導體裝置賽道，最核心的底層邏輯是什麼？ 一句話說，就是先進節點擴產+ AI 需求共振，疊加國產化率持續提升，行業長期增長的確定性變強了，已經不能只用短期業績來估值了。 具體來說，一方面國記憶體儲廠、先進邏輯晶圓廠的資本開支援續上行，直接拉動上游裝置和材料需求；另一方面生成式AI 爆發，本土雲廠商對高端晶片、儲存的需求暴漲，倒逼本土供應鏈加速升級，從成熟製程往高端走，產品結構持續升級。 這次報告覆蓋的北方華創、中微公司、ACMR、安集科技四家，全都是裝置和材料環節的核心龍頭，直接受益於這波擴產+ 升級的雙重紅利。

一台裝置等14個月，國內廠商何時突圍？ “現在下單AIXTRON的MOCVD裝置，要等到2027年第二季度才能交貨。” 這不是危言聳聽，而是光通訊領域磷化銦MOCVD裝置市場的真實寫照。2026年過半，全球光通訊產業正在經歷一場由裝置短缺引發的“焦慮”。 一、兩大巨頭壟斷市場，交貨周期長達14個月

當散戶們還在憧憬國產替代的星辰大海，大股東們卻早已憋不住，反手上演一波精準高位套現！ 5月25日，半導體類股再度領漲A股，裝置、封裝、設計、儲存、功率器件多點開花，彷彿絲毫未受任何消息的影響。 然而，就在這波火熱行情的背後，大股東們早已悄然行動——5月22日晚，A股直接炸出名場面！中微公司、瀾起科技、翱捷科技、長芯博創、燦勤科技、晶升股份、廣立微七家半導體核心企業，連夜組團官宣減持，動作整齊劃一堪稱教科書等級。 按當日收盤價及轉讓價格測算，這波集體減持合計套現高達123億，堪稱年度高位兌現名場面。

5月25日消息，半導體集體狂飆，兆巨頭中芯國際觸及漲停，寒武紀盤中創下歷史新高！ 據報導，半導體集體走強，東芯股份、華虹公司20%漲停，盛美上海一度觸及20%漲停，甬矽電子漲20%，拓荊科技漲近17%，中芯國際漲超18%，艾森股份漲12%、燕東微漲超11%，納芯微漲超9%，捷捷微電漲9%、燦芯股份漲8%、廣立微漲超8%，新潔能、雅克科技、晶方科技、華天科技10%漲停。 其中，盛美上海、揚傑科技、寒武紀、兆易創新、大族數控創歷史新高。 集體套現，減持潮將來襲

3月25日，中微公司新品發佈會。一口氣推出四款新產品，覆蓋刻蝕裝置、薄膜沉積裝置及核心智能零部件，實力拉滿。這是中微公司對高端半導體裝置領域的全面發力。第一款新品Primo Angnova™，專門應對先進節點高深寬比的刻蝕挑戰，是妥妥的“硬核選手”。它採用中心抽氣設計，搭配業界領先的氣流控制閥和高速分子泵系統，能實現極高的反應氣體通量，大幅拓寬腔體壓力控制範圍。功率源和電漿體技術上，它整合了中微自主智慧財產權的第二代LCC射頻線圈，還有超低頻射頻電漿體源，能產生極高離子能量，強化高深寬比刻蝕能力。溫控方面更是亮眼，超過200區獨立溫控的靜電吸盤，結合晶圓邊緣阻抗主動調節設計，實現了優異的片內刻蝕均勻性。搭載成熟的傳送平台，最多可配置6個主刻蝕腔體和2個除膠腔體，既能保證性能，又能有效降低企業綜合運行成本。第二款Primo Domingo™，精準攻克了GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題，填補了國內技術空白。全對稱腔體結構和最佳化流場設計，讓氣體注入、溫度控制等關鍵環節實現系統整合，確保刻蝕的均勻性和工藝重複性。獨特的整合氣櫃設計，縮短氣體注入距離，實現更精準的脈衝氣體控制，再加上高抗腐蝕管路和特殊塗層，保障裝置長期穩定運行。雙製冷/雙加熱晶圓基座支援寬範圍精準溫控，搭配量產級傳輸系統，能靈活滿足不同刻蝕應用需求，實用性拉滿。這款產品的推出，標誌著中微在高選擇性刻蝕裝置領域實現重大突破，打破了海外在下一代3D半導體器件刻蝕工藝的壟斷。第三款Smart RF Match智能射頻匹配器，實現了從“被動響應”到“主動預測”的智能革命，解決了行業核心痛點。基於中微自主智慧財產權的控制演算法，它能實現微秒級射頻環境響應，即時自動調節阻抗，確保射頻能量高效穩定傳輸。智能調控演算法可自動選擇匹配模式，匹配速度比傳統產品快百倍以上，實測中射頻匹配速度提升225%，刻蝕效率提高15%。這一提升直接轉化為更高的裝置產能和更穩定的工藝一致性，徹底解決了行業長期面臨的匹配精度、效率與穩定性難題。第四款Preciomo Udx®，是專為Micro LED量產打造的關鍵MOCVD裝置，精準適配產業量產需求。它擁有自主智慧財產權，最多可配置兩個反應腔，能同時加工18片6英吋或12片8英吋氮化鎵藍綠光Micro LED外延片，靈活性極高。採用水平式雙旋轉反應器結構，搭配行業標準的自動化傳輸系統，實現片盒到片盒全自動化傳輸，有效降低外延片顆粒數。優異的溫度控制系統和單腔產能，讓它具備出色的波長均勻性、低缺陷密度和高產出穩定性，完全滿足Micro LED量產的嚴苛要求。 (1 ic芯網)

3月25日，在全球半導體盛會SEMICON China 2026期間，中國國產半導體裝置大廠中微半導體裝置（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，證券程式碼“688012”）一口氣推出了四款新產品。這四款新產品覆蓋了矽基及化合物半導體關鍵工藝，包括新一代電感耦合ICP電漿體刻蝕裝置Primo Angnova™、高選擇性刻蝕機Primo Domingo™、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍綠光Micro LED量產MOCVD裝置Preciomo Udx®。中微公司表示，這四款新產品進一步豐富了公司在刻蝕裝置、薄膜沉積裝置及核心智能零部件領域的產品組合及系統化解決方案能力，持續夯實平台化發展的基礎，助力公司在規模化拓展的處理程序中實現高品質發展。Primo Angnova™：應對先進節點高深寬比挑戰的ICP解決方案隨著邏輯晶片向5奈米及以下節點邁進和先進儲存晶片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕裝置面臨著對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰。Primo Angnova™ ICP單腔刻蝕系統正是為應對這些挑戰而生。△新一代電感耦合ICP電漿體刻蝕裝置Primo Angnova™該產品採用中心抽氣設計，配備業界領先的對稱氣流控制閥、高流導和高速分子泵系統，可實現極高的反應氣體通量，大幅度擴展反應腔體壓力控制範圍。在功率源和電漿體方面，Primo Angnova™整合了具有中微公司自主智慧財產權的第二代LCC射頻線圈和直流磁場輔助線圈MFTR，並配備先進的四段脈衝控制，可實現對離子濃度和離子能量的高精度獨立控制。尤其突出的是，其搭載的超低頻射頻電漿體源，能夠產生極高的離子能量，顯著增強了裝置在高深寬比ICP刻蝕工藝中的處理能力。在溫度控制方面，Primo Angnova™採用超過200區獨立溫控的Durga III ESC靜電吸盤，分區控溫精度顯著提升，結合晶圓邊緣連續AEIT（晶圓邊緣阻抗主動調節） 設計，實現了優異的片內刻蝕均勻性。在系統整合與效率方面，Primo Angnova™搭載了中微公司成熟的Primo C6V3傳送平台，最多可配置6個主刻蝕腔體與2個LL Strip除膠腔體，有效降低綜合運行成本。Primo Angnova™的推出，為5奈米及以下邏輯晶片技術以及同等技術節點難度的先進儲存晶片的製造領域， 提供了自主可控、技術領先的ICP刻蝕工藝解決方案，助力客戶提升先進製程產能，降低生產成本，持續增強市場競爭力。Primo Domingo™：攻克GAA與3D-DRAM的高選擇比刻蝕難題如今，晶片架構三維化正成為支援晶片持續縮微的重要動能, 而高選擇性刻蝕工藝是三維器件製造的最關鍵工藝之一。針對GAA、3D NAND、DRAM等器件工藝需求, 中微公司正式推出Primo Domingo™ 高選擇性刻蝕裝置。△中微公司高選擇性刻蝕機Primo Domingo™該產品採用全對稱腔體結構與最佳化流場設計，在氣體注入、溫度控制、壓力調控等關鍵環節實現系統整合，確保晶圓表面刻蝕的高度均勻性與工藝重複性。Primo Domingo™獨特的整合氣櫃設計，可縮短氣體注入距離，實現更快脈衝氣體精密控制，為刻蝕工藝提供精準保障。裝置內部採用了高抗腐蝕管路與特殊塗層材料以應對工藝所需的高活性刻蝕氣體，保障裝置長期可靠運行。此外，Primo Domingo™配備了雙製冷/雙加熱晶圓基座，支援寬範圍精準溫控，顯著提升了刻蝕工藝的均勻性與穩定性。Primo Domingo™同樣搭載中微公司量產的Primo C6V3傳輸系統，可靈活搭配主刻蝕腔和輔助退火腔，滿足不同刻蝕應用的需求。Primo Domingo™的推出，標誌著公司在高選擇性刻蝕裝置領域實現了重要突破，填補了中國在下一代3D半導體器件製造中關鍵刻蝕工藝的自主化空白。該產品的成功研發，不僅進一步豐富了公司在高端刻蝕裝置領域的產品矩陣，更有力支撐了積體電路產業在先進工藝節點上的技術攻堅，為客戶實現更高性能、更小尺寸的器件製造提供了關鍵工藝裝置保障。Smart RF Match：從“被動響應”到“主動預測”的智能革命此次發佈的Smart RF Match 智能射頻匹配器，是中微公司在高端半導體刻蝕裝置中關鍵子系統的又一創新突破。Smart RF Match智能射頻匹配器用於在裝置腔體內實現穩定的電漿體生成與控制，專為半導體前道製程，特別是介質刻蝕、矽刻蝕、金屬刻蝕，以及先進封裝、MEMS、化合物半導體等精密刻蝕的應用而設計。它首次在半導體裝置領域引進了射頻回路專網概念，通過EtherCAT實現射頻電源與智能匹配器之間射頻狀態資訊的即時精準傳輸，使智能匹配器能夠作為主動裝置，在調節匹配網路的同時向射頻電源下發控制指令。△中微公司Smart RF Match智能射頻匹配器基於具有自主智慧財產權的新型智能射頻匹配控制演算法，Smart RF Match可實現微秒級的射頻環境響應，能夠根據電漿體狀態即時自動調節阻抗，確保射頻能量高效、穩定地傳輸。獨特的智能調控演算法根據工藝條件對電源頻率調節範圍以及匹配調節模式等進行自動選擇及切換，實現比傳統匹配器快百倍以上的匹配速度。在客戶端高端邏輯工藝的實際測試中，在相同工藝條件下，與傳統的固定式匹配方案相比，智能射頻匹配系統不僅將射頻訊號匹配速度提升了225%，還助力整體刻蝕效率提高15%。這一性能提升，直接轉化為更高的裝置單位產能與更穩定的工藝一致性。智能射頻匹配器的推出，標誌著中微公司在電漿體控制領域實現了從“被動響應”到“主動預測”的關鍵跨越。它不僅有效解決了行業長期面臨的匹配精度、效率與穩定性的核心難題，顯著提升了工藝性能與裝置產能，更通過為下一代高端裝置嵌入智能核心，為客戶持續創造更高良率、更優成本與更強競爭力的價值，推動半導體製造向更高效、更智能的未來邁進。Preciomo Udx ®：為Micro LED量產打造的關鍵MOCVD裝置為滿足Micro LED量產對高波長均勻性與低顆粒度的嚴苛要求，中微公司推出了專為Micro LED量產設計的Preciomo Udx ® MOCVD裝置。該裝置從氣體輸運、加熱模式、溫場控制等關鍵技術均採用了全新的設計理念，突破了現有垂直氣流MOCVD的技術路線，採用新型水平式雙旋轉反應室結構，並通過對溫場與流場的模擬設計，及硬體與工藝最佳化，顯著提升了波長均勻性，為客戶實現Micro LED量產提供了關鍵支撐。△中微公司藍綠光Micro LED 量產MOCVD裝置Preciomo Udx®中微公司此次發佈的具有自主智慧財產權的Preciomo Udx®專為MOCVD量產設計，最多可配置兩個反應腔，可同時加工18片6英吋或者12片8英吋高性能氮化鎵藍綠光Micro LED外延片。每個反應腔均可獨立控制，具有高度生產靈活性。同時，Preciomo Udx®採用水平式雙旋轉反應器結構，並配備符合積體電路行業標準的EFEM和SMIF系統，可實現片盒到片盒的全自動化傳輸模式，有效降低Micro LED外延片的顆粒數。該裝置基於模型的溫度控制系統與業界領先的單腔產能，使其憑藉優異的波長均勻性、低缺陷密度以及高產出穩定性，滿足了Micro LED量產的嚴苛技術要求。△中微公司產品家族自2004年成立以來，中微公司始終站在先進製程工藝發展的最前沿，堅持“技術創新性，產品差異化和智慧財產權保護”。作為行業領先的半導體裝置企業，中微公司持續推動技術突破與產品創新，平台化戰略全面落地，產品覆蓋度持續提升，正穩步邁入規模化發展新階段。近年來，公司不斷提高開發新的裝置產品的質量和效率，將新產品的開發從傳統的3到5年周期大幅縮短至2年以內， 2025年公司開發的項目涵蓋六大類，超過二十款新裝置。通過“有機生長和外延擴展”，公司在五年內將覆蓋60%以上的高端關鍵裝置。持續且高強度的研發投入，為公司的技術突破與產品創新，以及未來持續高速發展奠定了堅實基礎。隨著四款新品的加入，公司已覆蓋從宏觀控制到微觀感知、從成熟製程到前沿節點的多個維度，為加速向高端半導體裝置平台化公司邁進注入了全新動能。未來，中微公司將繼續堅持“三維立體生長“ 與 ”有機生長和外延擴展”相結合的戰略，持續鞏固在積體電路關鍵裝置領域的核心競爭力和優勢，不斷拓展泛半導體關鍵裝置應用，並通過持續的技術升級和深度的產業鏈合作進行新興領域探索，通過“科創企業五個十大”的學習和傳承，使企業總能量、對外競爭的淨能量最大化，實現高速、穩定、健康、安全的高品質發展，為2035年在規模、產品競爭力和客戶滿意度上成為全球第一梯隊的半導體裝置公司打下堅實的基礎。 (芯智訊)

TrendForce今日援引Newsswitch及路透消息披露，中國正系統性推進半導體裝置國產化攻堅，目標2027年將成熟製程（28nm及以上）裝置本土化率從當前約55%提升至70%，並在14nm及以下先進節點取得突破。上海微電子（SMEE）、北方華創（NAURA）、中微公司（AMEC）等國產裝置商處於技術攻關最前沿。報導稱，中國新建晶圓廠已強制要求50%以上裝置採購國產化，2027年目標上調至70%。這一政策由中芯國際、華為等龍頭牽引，配套國家大基金三期及地方專項補貼。與此前"鼓勵替代"不同，此次設定量化硬指標，未達標企業將無法獲得新建產線批文及稅收優惠。裝置進展：光刻、刻蝕雙線突破光刻機：SMEE 28nm ArF浸沒式光刻機已進入產線驗證階段，套刻精度<2.5nm，目標2026年Q4匯入中芯國際量產；路透援引消息人士稱，中國已利用舊ASML裝置元件組裝出EUV原型機，計畫2028年試產功能晶片，2030年量產更現實。刻蝕機：北方華創28nm CCP/ICP刻蝕機已批次出貨，14nm裝置正在中芯國際驗證；中微公司5nm以下電漿體刻蝕機通過台積電驗證，成為首個進入國際大廠先進產線的國產裝置。清洗/薄膜：盛美上海、拓荊科技在12英吋單片清洗、ALD原子層沉積領域市佔率突破20%，驗證周期較外資裝置縮短至約一年。除製造裝置外，中國正加速EDA工具與先進材料替代。華大九天、概倫電子14nm以上EDA工具已通過華為海思驗證；滬矽產業12英吋矽片、南大光電ArF光刻膠進入中芯國際供應鏈，目標2027年材料本土化率同步達到70%。Newsswitch指出，國產裝置驗證周期普遍短於外資裝置，約一年內即可完成產線匯入，而ASML、應用材料等裝置驗證通常需18-24個月。這一"速度優勢"使國產廠能快速響應本土晶圓廠擴產需求，尤其在成熟製程領域形成替代窗口。分析師提醒，70%目標聚焦成熟製程，14nm以下光刻機、量測裝置仍存代差；EUV原型機若2028年試產，與ASML量產EUV仍有5-8年差距。TrendForce認為，中國裝置國產化加速將重塑全球供應鏈。2027年若實現70%成熟製程自給，ASML、應用材料、東京電子在中國區收入可能下滑30%-40%；但同時，中國晶圓廠擴產速度將提升，全球成熟製程產能佔比有望從當前25%提升至35%，進一步壓低28nm以上晶圓價格。從50%到70%，不僅是數字躍升，更是中國半導體產業"去美化"的深水區攻堅。當SMEE的28nm光刻機與中微的5nm刻蝕機同時進入驗證，國產裝置正從"可用"邁向"好用"。2027年能否如期達標，將決定中國在全球晶片產業格局中的最終站位。 (晶片行業)