中國通訊專家：光刻機已進行交付，美國的制裁明明沒能遏制中國發展，但他們還要這麼幹

前沿導讀

中國通訊專家、復旦大學特邀研究員汪濤在做客東方衛視《今晚》欄目中指出，雖然美日荷三國的晶片裝置佔主導地位，但中國的裝置也起來得很快。乾式DUV光刻機已經交付，浸潤式光刻機也已經交付並進入測試階段。

美國最新的match法案對於我們來說，已經感到有些麻木了，美國製裁的次數太多，而且沒有真正起到對中國的遏製作用，但他們還是要這麼幹。這樣只會傷害到美國和盟友國企業，這是非常不理智的。

法案影響

美國對中國晶片產業的制裁，經歷了以下幾個階段：

1、重啟對中興的制裁，開始對華為實施晶片斷供。禁止台積電用一定比例的美國技術為華為製造晶片，隨後又完全禁止台積電為華為製造晶片。

2、在切斷華為晶片供應之後，開始將華為、中芯國際、北方華創、拓荊科技等中國本土企業拉入實體清單，實施尖端技術禁運。

3、美國持續將中國本土企業以及多所高校拉入實體清單，並且不斷收緊出口管制，對EUV、浸潤式DUV、刻蝕機、離子注入等製造裝置實施更加苛刻的限制。

多輪制裁下來，製造14nm及以下邏輯晶片、128層及以上快閃記憶體晶片、18nm記憶體晶片所需的裝置材料已經被美國封鎖了一大圈。

除美國企業之外，美國還聯合日本、韓國以及台灣地區台積電在內的60多個企業組成四方聯盟，禁止這些企業為中國大陸地區提供技術支援。

雖然美國的制裁手段步步緊逼，但中國企業依然使用曾經採購的浸潤式DUV光刻機，通過自對準多重圖案化技術成功量產了國產7nm晶片，在先進晶片領域實現了技術突破。

時任美國商務部長的雷蒙多對此表示稱，美國沒有證據能夠證明中國企業擁有量產晶片的能力，也沒有證據能夠證明華為可以源源不斷的推出產品。

但是隨著華為不斷推出搭載升級款麒麟晶片的產品，雷蒙多最終承認之前的制裁是徒勞，還呼籲美國政府將未來的眼光重點放在支援本土企業的技術發展上，在技術領域拉開與中國的差距。

此次最新的match法案，要求在之前制裁標準的基礎上，對華為、中芯國際、華虹集團、長鑫儲存、長江儲存這五家中國企業實施全面的制裁限制。

無論這些企業是製造先進晶片還是成熟晶片，均不允許繼續獲得來自於美國的製造裝置。

而且美國政府要求荷蘭ASML、日本東京電子等企業在150天內對齊美國的制裁標準，ASML對浸潤式DUV光刻機實施全面限制，東京電子對刻蝕機實施全面制裁，否則美國將動用“外國產品直接規則”強制性對盟友國企業實施限制。

在實施制裁的同時，還要對以上五家企業手中此前已購的裝置實施售後限制政策，禁止相關企業的技術人員為中國企業手中的裝置提供售後服務和技術支援。

該法案看似針對性很強，但實際上與美國之前的制裁方法如出一轍，依然還是在裝置領域實施限制，並沒有想出新招式。

這也對應了汪濤研究員所表達的觀點：美國這麼做，我們已經感到有些麻木了。

國產技術

從華為發佈搭載國產7nm工藝的終端產品後，中國半導體產業進入快速發展時期。許多國產製造裝置開始進入商業化發展，國內晶圓廠建設新生產線，也是以國產裝置作為首要採購目標，推動自主技術的市場佔比及滲透率。

2024年，中國工信部正式公佈了兩台全新的國產DUV光刻機，一台是KrF裝置，一台是ArF裝置。並且ArF光刻機的解析度來到了65nm，套刻精度為8nm，對比之前的國產裝置進步明顯。

而更加先進的浸潤式DUV光刻機，則是在2026年的產業報告當中透露了相關消息。

包括中國半導體行業協會第八屆理事長陳南翔、副理事長趙晉榮、劉偉平、魏少軍在內的13位中國半導體產業從業者，在2026年撰寫了一篇名為《建構自主可控的積體電路產業體系》報告。

據報告指出，在自主可控與國產替代的大背景下，中國晶片的本土化趨勢愈發明顯。

上海微電子公司推出的28nm浸潤式DUV光刻機已經進入測試階段，其他國產裝置也已經陸續進入生產線上，對同類型的海外裝置實現了部分替代。

雖然國產EUV光刻機目前沒有精準消息，但是浸潤式DUV光刻機已經提上商業化發展的日程，重點解決在前端光刻機領域被卡脖子的困境。 (逍遙漠)