短期缺晶片，長期缺能源，永久缺儲存！
受益於全球市場對儲存晶片的需求激增，全球儲存類股票的歷史性漲勢仍在延續。
繼周二美國儲存巨頭美光科技股價飆升11%，推動市值首次突破7000億美元，躋身美股科技前十行列後，韓國兩大儲存巨頭三星年內更是上漲了118%，海力士市值漲破7750億美元。帶動韓國綜合指數首次站上7300點。
從業績上看，多家儲存企業2026年一季度業績創歷史新高：佰維儲存營收68.14億元，同比增341.53%；香農芯創淨利潤13.27億元，同比增7835%；三星電子營業利潤57.2兆韓元，同比增755%。
儲存晶片，作為晶片行業的第二大產業（僅次於 CPU和GPU），佔半導體整體市場的26%，當前正迎來晶片的整體盛宴和狂歡。
而儲存行業，本質是一個“周期行業”，但在AI時代，正在變成了，周期 + 技術壁壘 + AI成長，三重疊加的超級行業。
之前解析過儲存的相關賽道，都是上萬的閱讀量，具體可翻看：
（1）不能輸掉的戰爭！AI儲存晶片--行業解析（附細分標的）
（2）中國國產率不足2%！儲存界的“頂級超跑”--HBM全解析
今天我們換一個維度來解析。以下從 ：① 深度剖析上漲的原因、② 海外大廠產能擴張、③ 未來預測、④並附上國記憶體儲公司，等主要角度來梳理。
一、為什麼說“短期缺晶片，長期缺能源，永久缺儲存”
前半句“短期缺晶片，長期缺能源”是全球 AI 科技巨頭（如 OpenAI 的 Sam Altman 和馬斯克）針對 AI 算力發展瓶頸達成的行業共識。
而後半句“永遠缺儲存”，則是近期中國半導體產業界、金融分析師在探討 AI 時代的資料需求時，總結出的精闢論斷。
這句話之所以現在被奉為圭臬，是因為它精準概括了AI發展在不同時間維度的物理瓶頸：
1、短期缺晶片--算力瓶頸
AI、算力需求爆發，比如大模型訓練、推理，Agent、龍蝦的部署火爆，導致GPU/高端晶片階段性供不應。
另外，隨著台積電產能擴張、輝達產品迭代以及各國自研算力晶片的跟進，算力晶片的短缺最終會被摩爾定律和龐大的資本開支抹平。
2、長期缺能源--物理瓶頸
資料中心是“吃電怪獸”，AI 的盡頭是電力。雖然擴建電網和核電站周期長，但地球的能源供給在物理層面有明確的擴張路徑。
3、永遠缺儲存--資料無底洞
資料會持續指數級增長，算力和能源產生的結果是“資料”。世界上的資訊是熵增的。從文字到圖片，再到爆發的視訊生成多模型，AI 不僅在消耗海量資料進行訓練，還在時刻“吐出”海量的新資料。
算力總有閒置的時候，但生成的資料需要被永久、安全地存放，這決定了儲存的需求沒有天花板，儲存的需求沒有上線。
二、當前儲存一直缺的核心原因
一言以蔽之，當前儲存晶片市場正處於一個AI疊加的“超級周期”，AI把需求抬高了10倍，一個AI伺服器用的記憶體≈幾十台普通伺服器。
當前的儲存短缺是供給端主動減產後的滯後反應”與“AI 算力革命帶來結構性需求暴增”共同碰撞的結果。
只要人類對資料和 AI 的渴望不停止，對更高速、更大容量儲存的渴求就會永遠存在。具體原因可以歸結為以下四個維度：
1、AI 浪潮引發的 HBM產能擠兌
當前最缺的並不是普通的 U 盤儲存，而是與 AI GPU 繫結的“HBM”（高頻寬記憶體）。AI 大模型的參數量動輒千億甚至兆等級，需要極高的資料吞吐能力。
HBM 通過先進封裝（如 CoWoS）直接堆疊在 GPU 旁邊，技術壁壘極高。SK 海力士、美光、三星的 HBM 產能幾乎被輝達和各大雲廠商提前一年買斷。
HBM 產線的擴充嚴重擠佔了普通 DRAM 的晶圓產能，導致整體記憶體市場供不應求。並且，HBM已經提前鎖單，被預定到2026年底，甚至2027年。
下圖：預計 HBM 市場空間在 2030 年達到 980 億（資料來自YOLE）
2、儲存原廠的“控產保價”策略”
在 2022 年至 2023 年期間，半導體行業經歷了嚴重的下行周期，儲存巨頭蒙受巨虧，隨後採取了極為激進的“減產”措施。
隨著 2024 到 2026 年 AI 需求的意外爆發，以及消費電子的溫和復甦，原廠並沒有立刻全量恢復普通儲存的產能，而是通過嚴格控制供給來維持價格上漲的趨勢，以修復自身的利潤表。
3、Agent多模態與端側 AI 的爆發（容量狂飆）
雲端：大模型正在從“文字為主”向“視訊、音訊與物理世界模擬”躍遷。視訊資料的體積是文字的數萬倍，這導致雲端溫冷資料儲存需求呈指數級上升。
端側（AI Agent 與 AI 智能硬體）：首先，OpenClaw等智能體對Tokens的指數需求，OpenClaw 默認優先端側儲存，Agent 任務越多，執行階段間越長，本地SSD佔有會越快，越用越吃儲存。
另外，為了在本地流暢運行百億參數的小模型，智能硬體（如手機、AI眼鏡）和 PC 的標配記憶體和儲存底線正在被迅速拉高（例如手機記憶體從 8GB 向 16GB/24GB 躍升），這直接吃掉了大量的 NAND Flash 和 DRAM 產能。
4、傳統技術瓶頸與結構性短缺
當前，AI 資料中心按資料訪問頻率分為熱資料、溫資料、冷資料，對應不同儲存晶片：
① 熱資料：模型權重、即時 KVCache，放在 SRAM 與 HBM。
② 溫資料：掛起對話、低頻呼叫參數，放在 DRAM 或企業級 SSD。
③ 冷資料：歷史記錄、原始訓練語料，放在 NAND 或 HDD。
目前海量溫冷資料的儲存仍高度依賴傳統的高容量機械硬碟（HDD），但這部分技術讀寫速度已逐漸無法滿足 AI 資料清洗的效率要求。
行業正處於向高容量固態硬碟（SSD）和新型儲存架構過渡的階段，舊產能無法滿足新需求，新產能還在爬坡，加劇了高性能儲存介質的結構性短缺。
三、市場格局
1、全球市場格局
儲存晶片是晶片行業的第二大產業，僅次於 CPU、GPU 等邏輯晶片。根據WSTS資料，我們預計 2026 年儲存行業市場規模或將超 3000 億美元。
從全球市場來看，儲存晶片一直被韓國的三星 NAND、海力士，還有美國的美光壟斷，市場份額佔據全球 95%以上。
DRAM 作為儲存器第一大產品，三星、海力士、美光壟斷了全球 96.5%的市場份額，行業集中度高，寡頭明顯。
NAND領域，競爭格局相對 DRAM 領域較分散，三星、鎧俠、SK 海力士、西部資料、美光合計佔據 95.5%的市場份額。
HBM 領域，目前主要由海力士、三星、美光佔據主要市場，分別佔據 54%、39%、7%的市場份額。據 YOLE 資料，HBM 市場在2025 年達到 340 億美元，預計到 2030 年將會到達 980 億美元，其 CAGR24-30 為33%。
下圖：HBM 競爭格局（資料來自YOLE）
2、中國的情況
中國雖然是全球最主要的儲存晶片消費市場，但由於產業起步較晚，市場佔有率仍相對較低，中國國產替代空間廣闊。
當前，長江儲存率先推出 128 層 3D NAND Flash 產品，長鑫儲存在 DRAM 領域實現技術突破，逐步縮小與國際領先企業的差距。
在儲存晶片設計環節，兆易創新在全球 NORFlash 市場位居前三；北京君正在汽車電子儲存領域形成特色；紫光國芯專注 DRAM 技術，這些企業共同推動中國國產儲存晶片生態完善。
四、海外大廠產能擴張情況：
（1）三星：
地位全球第一：DRAM市佔 ~40%、NAND ~35%、HBM市佔39%；AI伺服器核心供應商。
產能規劃
① 三星電子計畫在平澤 P4 晶圓廠綜合體建設一條用於生產 HBM4 記憶體所需 1c nm DRAM Die 的大型生產線，月產能達 10~12 萬片晶圓。並將平澤 P4 工廠的投產時間從 27Q1 提前至 26Q4，生產規劃前移約三個月。
② 三星已決定重啟其位於韓國平澤市的先進晶圓廠 P5 的建設工程，預計將於
2028 年投入營運，且不排除因市場需求緊迫而提前投產的可能性。
③ 三星電子計畫在 2026 年大幅提升其高頻寬記憶體（HBM）生產能力，目標是將理論產能從目前的每月約 17 萬片晶圓提升至約 25 萬片，增幅接近 50%。
（2）海力士：
全球第二：DRAM市佔 ~38%、HBM市佔54%，第一；輝達/AMD主力HBM供應商。公司 2026 年的HBM 已全部售罄，滿足客戶需求的生產計畫已經分配完畢。
產能規劃：
① SK 海力士將提前實現韓國清州 M15X 工廠產能最大化，主要用於提
升 1b nm DRAM 產能，支援 HBM3E 和 HBM4 生產；公司計畫 26Q2 啟動 321 層第 9 代 NAND 的轉換投資，目標是在清州 M15 確保月產約 3 萬片晶圓的V9 產能 。
② SK 海力士加速韓國龍仁叢集建設，首座工廠總投資飆至 31至六階段 5 個潔淨室同步鋪開，首座潔淨室提前至 2027 年 2 月投產。
③ SK力士將在其忠清北道清州市生產基地投資 19 兆韓元建設面向 HBM 等 AI 記憶體的需求的先進封裝後端晶圓廠 P&T7，計畫於 2026 年 4 月開工建設，預計於 2027 年底竣工。
④ SK 海力士計畫在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）建立其首條 2.5D 先進封裝量產線，定位為 AI 記憶體專用的最先進封裝生產基地，總投資額約為 38.7 億美元，目標是在 2028 年下半年正式投入營運。
（3）美光：
美國龍頭：DRAM市佔 ~20%、NAND ~13%；HBM佔比約7%，車規儲存領先。HBM 佔比提升限制整體 DRAM 供給增長。
供給側新增產能主要在 27H2 之後。公司已經完成了 2026 年全年 HBM 供應的價格和數量協議，包括美光行業領先的HBM4。美光 HBM4 擁有業界領先的 11Gbps 以上速度，正按計畫推進量產，預計將於 2026 年第二季度實現高良率量產。
產能規劃：
① 愛達荷州 1 號工廠預計首片晶圓將於 2027 年中期投產。
② 公司宣佈在愛達荷州建設第二座晶圓廠的計畫，該晶圓廠將於 2026 年開工建設，並於2028 年底投入營運。
③計畫於 2026 年初在紐約州啟動首座晶圓廠的建設，預計該晶圓廠將為 2030 年及以後提供晶圓供應。
④ 在日本推動未來 DRAM 技術的轉型，還在廣島工廠增設潔淨室空間，以支援這些先進節點。
⑤ 公司印度組裝和測試工廠的進展順利，該工廠已啟動試生產，並將於 2026 年量產。
⑥ 公司將在新加坡投資擴產 NAND 快閃記憶體，計畫未來 10 年內在新加坡追加投資 240 億美元，預計 2028 年下半年投產。公司在新加坡建設有價值 70 億美元的 HBM先進封裝廠，預計於 2027 年投產。
⑦ 計畫收購力積電銅鑼鄉的 P5 晶圓廠區，該廠區將於 2027 年下半年開始為其帶來顯著的 DRAM 晶圓產量，預計 P5 廠區滿載後每月可生產約 5 萬片 12
英吋晶圓，有望在短期內提升美光整體 DRAM 年產能約 10%至 15%。
（4）晟碟：
公司專注於 BiCS8 過渡階段的穩健執行，力爭實現長期平均 bit 增長率維持在 15%-20%區間公司已完成 PCIe Gen5 高性能 TLC 固態硬碟在第二家超大規模資料中心的認證。
預計未來幾個季度將在更多超大規模資料中心完成認證，BiCS8 TLC 解決方案也將很快推出。 Stargate 正在繼續推進與兩家主要超大規模資料中心的認證。
產能規劃：
① 公司擁有兩大核心生產基地，分別是四日市工廠和北上工廠。晟碟和鎧俠宣佈正式將雙方位於鎧俠四日市工廠的合資協議延長五年，原協議將於2029年 12 月 31 日到期，此次延期後有效期將順延至 2034 年 12 月 31 日。當下所有工廠均處於滿產狀態，而北上基地是產能擴張核心。
② 公司剛落成了北上二期工廠Fab2(K2)，預計將在2026年上半年開始實現規模化產出。
五、兩個預測：
1、供給側：供需緊張有望持續到 2027年之後
供需關係：目前儲存行業供需持續緊張，尤其是 SSD、HBM、DDR5 等高端產品持續供不應求，本輪景氣周期有望延續至 2027 年以後。
三星：預計未來幾年 DRAM 與 NAND 的位元需求增長將顯著超過供應增長。
海力士：由於標準型 DRAM 目前的供需極度緊張，這為海力士在談判桌上贏得了更多籌碼。這種緊張局勢可能會為 2027 年的 HBM。
美光：HBM 佔比提升和潔淨室建設周期延長等因素共同導致儲存行業供應緊張，預計這種緊張局面將持續2027年及以後。
2、儲存價格上漲有望貫穿 2026年
在AI強勁需求下，我們預計儲存價格上漲有望貫穿2026年全年。根據TrendForce最新儲存器價格調查，2026 Q2 因 DRAM 原廠積極將產能轉向 HBM、Server 應用，預估整體一般型 DRAM合約價格仍將環比增長 58-63%。
年全年NAND Flash 市場持續由 AI、資料中心需求主導，全產品線連鎖漲價的效應不減，預計Q2整體合約價格將環比增長 70-75%。
下圖：儲存價格預測，來自TrendForce
六、細分標的
以下是儲存行業相關標的，為不完全列舉：
（1）長鑫儲存：已經遞交招股書，國記憶體儲的巨無霸。一體化儲存器製造公司，專注於動態隨機存取儲存晶片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售。
（2）長江儲存：已完成股改，中國3D NAND快閃記憶體領域的龍頭，集晶片設計、生產製造、封裝測試及系統解決方案產品於一體的儲存器IDM企業。全球NAND市佔率約11.8%，穩居全球第三。
（3）江波龍：中國儲存模組龍頭。從事Flash及DRAM儲存器的研發、設計和銷售，提供消費級、工規級、車規級儲存器以及行業儲存軟硬體應用解決方案；形成嵌入式儲存、固態硬碟、移動儲存及記憶體條四大產品線。
（4）德明利：儲存晶片&模組一體化龍頭，專注於儲存控制晶片與解決方案的創新研發，提供從晶片底層演算法開發到終端應用適配。產品涵蓋固態硬碟SSD、嵌入式儲存、記憶體條及移動儲存四大類。
（5）兆易創新：易創新是儲存晶片（NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM）和MCU微控製器領域的雙龍頭，在中國國產半導體替代和端側AI、汽車電子等新興領域具有顯著競爭優勢。
（6）香農芯創：電子元器件分銷龍頭，並且自主品牌“海普儲存”專注於企業級SSD及DRAM產品，2025年正式進入量產階段並首次實現年度規模盈利。
（7）佰維儲存：AI端側儲存龍頭+嵌入式儲存頭部廠商+工車規儲存中國國產第一梯隊+先進封測領域的綜合型龍頭，憑藉“研發+封測+生產”全鏈條佈局，成為中國國產儲存替代的核心力量。
（8）普冉股份：業內領先的低功耗非易失性儲存器晶片及基於儲存晶片的衍生晶片供應商，主要產品包括中小容量NOR Flash和EEPROM兩大非易失性儲存器晶片、MCU微控製器晶片及模擬產品。
（9）聚辰股份：是EEPROM晶片、DDR5 SPD晶片和音圈馬達驅動晶片領域的中國及全球細分龍頭，在非易失性儲存晶片領域具有顯著技術優勢和市場地位。 (Aiden的硬科技行研)