美光科技計劃在今年年底前將HBM月產能大幅提升至約10萬片晶圓,較去年接近翻倍,以此縮小與SK海力士和三星電子的產能差距。公司正加速量產面向輝達「Vera Rubin」架構的HBM4 12層產品,預計其產能佔比將在年底提升至50%,力圖打破當前18%市場份額的偏後格局。
$美光科技 (MU.US)$正大舉擴張高帶寬內存(HBM)生產能力,劍指全球AI內存市場更大份額。
據韓聯社4日援引業內知情人士透露,美光計劃在今年年底前將HBM月產能提升至約10萬片晶圓,較去年增幅接近一倍,屆時與三星電子和SK海力士之間的產能差距有望縮小至目前的一半左右。與此同時,該公司正加速推進最新一代HBM4 12層產品的量產爬坡,以匹配輝達新一代AI加速器的需求。今日美股開盤,美光科技升近4%。
這一動向折射出AI內存市場需求持續旺盛的底色。以輝達為代表的AI晶片廠商對HBM的需求居高不下,供給仍追趕不上需求節奏。對於市場份額僅18%、長期位居第三的美光而言,此輪產能擴張既是爭奪市場地位的關鍵一役,也是將AI內存需求紅利轉化為實際營收的必要之舉。