6月17日，花旗銀行（Citi）分析師Atif Malik發佈最新研報，將美光科技（Micron Technology, MU.US）目標價從840美元大幅上調至1200美元，維持"買入"評級。1200美元的新目標價對應公司2027年預期每股收益10倍估值，測算潛在總回報約17.6%。 此次上調的背景是：美光股價年初至今已上漲約258%，12個月累計漲幅達748%。花旗上調目標價的同時，德意志銀行也在同日將目標價從1000美元上調至1500美元。美光將於6月24日發佈2026財年第三季度（5月季度）財報。 一、報告核心內容詳解 1.1 DRAM價格預測

美光隔夜股價大漲10%！美股儲存類股市場情緒迅速升溫。華爾街獨立機構Aletheia Capital對美光科技祭出"核彈級"研報，目標價升至1600美元，其預判AI儲存器件在硬體系統中的價值佔比將於2027年突破70%，Aletheia預計美光2027財年EPS將較當前水平增長8.5倍，2028財年再擴張1.8倍，累計增幅達15倍，美光2026至2028財年EPS將累計增長15倍，三年累計自由現金流或達4000億美元。 報告核心要點速覽 一、報告核心內容綜述 1.1 目標價大幅上調與估值邏輯的重構

人工智慧的爆炸式增長正在改變半導體行業，而這一點在儲存器領域尤為明顯。人工智慧的訓練和推理工作負載本質上是記憶體密集型的，這推動了對先進DRAM架構、高頻寬記憶體（HBM）和企業級NAND快閃記憶體的空前需求。儘管NVIDIA的GPU佔據了新聞頭條，但事實上，如果沒有大量高性能記憶體與計算架構緊密整合，人工智慧加速器就無法高效運行。因此，儲存器供應商正在成為人工智慧熱潮的最大長期受益者之一。 此次變革的核心是HBM，這是一種3D堆疊式DRAM技術，與傳統的DDR記憶體相比，它能提供更高的頻寬和更低的功耗。HBM採用矽通孔（TSV）和先進的封裝技術，將DRAM晶片垂直堆疊，從而實現每秒TB級的記憶體頻寬。NVIDIA的H100和即將推出的Blackwell平台等AI加速器，在大型語言模型（LLM）訓練過程中，高度依賴HBM3和HBM3E將資料饋送到數千個平行GPU核心。 這一趨勢極大地改變了記憶體市場的競爭格局。SK海力士已成為HBM的主導供應商，據報導已佔據NVIDIA HBM3和HBM3E供應鏈的領先份額。該公司早期對TSV技術、先進封裝和散熱管理的投資，使其在人工智慧需求加速增長時獲得了關鍵優勢。SK海力士目前正積極提升HBM3E的產能，預計仍將是下一代人工智慧系統的重要供應商。 全球最大的儲存器製造商三星電子也在大力投資HBM產能和先進封裝技術。三星的一體化半導體模式——涵蓋邏輯電路、晶圓代工、封裝和儲存器——使其在人工智慧基礎設施領域擁有強大的競爭力。儘管三星在某些人工智慧平台的HBM認證方面最初落後於SK海力士，但憑藉其規模優勢、工藝技術領先地位以及快速擴張產能的能力，它仍然是該領域長期發展的重要參與者。

過去幾個交易日中，對 AI 行情過熱的擔憂、疊加宏觀環境的不確定性 (包括中東地緣局勢仍陷於僵局、美國非農就業資料強勁提振對聯準會加息預期等)，導致全球半導體股出現回呼。 不過，瑞銀在近日公佈的研報中給出了對全球半導體行業的積極展望。該行預計，全球半導體行業管道出貨收入將在 2026 年增長 118% 至 1.62 兆美元，並在 2027 年進一步增長 46% 至 2.38 兆美元。 全球半導體行業收入持續增長，儲存晶片 “扛大旗” 瑞銀指出，推動全球半導體行業規模大幅增長的一個重要驅動因素是儲存晶片。該行預計，儲存晶片收入將在 2026 年增長 318% 至 9610 億美元，並在 2027 年進一步增長 70% 至 1.638 兆美元。該行補充稱，Agentic AI (代理式人工智慧) 正是關鍵的 “引擎”—— 其不僅推動 HBM (高頻寬儲存) 需求增長，同時也帶動 DDR5/LPDDR5 以及 NAND 快閃記憶體需求增長。

美光科技CEO罕見深度訪談 關於儲存供需、技術趨勢、投資紀律以及塑造領導力的往事，無所不談…… 1、沒有半導體，就沒有AI。而儲存正是AI的骨幹，是支撐AI持續進化的關鍵基礎。 2、隨著模型越來越大，隨著推理需求持續增長，對儲存的需求只會越來越高——它需要更大的容量、更高的性能、更低的功耗。

摩根士丹利認為，SOCAMM採用JEDEC標準化可插拔模組，客戶可先裝96GB模組，後續隨時更換為192GB或更高版本，降配是彈性配置調整，並非永久性硬體閹割。並非AI需求降溫，而是DRAM供應短缺加劇的體現。近期行業資料顯示DRAM、NAND銷售與價格增長創歷史高位，記憶體仍是AI基礎設施最大瓶頸。 大摩大幅上調半導體行業收入預測，繼續看好美光、閃迪及輝達等AI與儲存產業鏈龍頭。 一、事件回顧：一次對"技術細節誤讀"引發的千億市值震盪 6月4日，研究機構SemiAnalysis發佈簡報稱，輝達下一代Vera Rubin NVL72機架的SOCAMM DRAM容量預計從約55TB降至28TB，多數系統將採用96GB模組而非原先預期的192GB版本。報告明確強調此次縮減不會影響GPU的HBM4記憶體配置——每個Rubin GPU仍搭載288GB HBM4，整機架約20.7TB，這部分完全未變。輝達CEO黃仁勳6月5日在首爾明確否認削減HBM用量的傳言，確認SK海力士、三星電子和美光科技均已通過HBM4資格認證並投入量產。SemiAnalysis創始人Dylan Patel也在X上吐槽"轉發報告的人把大部分內容都漏掉了"。SOCAMM採用JEDEC標準化可插拔模組，客戶可先裝96GB模組，後續隨時更換為192GB或更高版本，降配是彈性配置調整，並非永久性硬體閹割。

目前有兩家公司高度專注於DRAM和NAND快閃記憶體的生產——美光科技和SK海力士。 兩家公司都在企業級固態硬碟和高頻寬記憶體領域展開激烈競爭，能同時專注於這兩個市場，是經歷了早期業務的快速擴張，期間既有失誤也有明智之舉，而這並非一帆風順。 一家公司因英特爾而受益，另一家公司則遭遇了厄運。 美光與英特爾及其命運多舛的傲騰技術沆瀣一氣，最終以失敗告終；而SK海力士收購了陷入困境的英特爾固態硬碟和NAND快閃記憶體業務，並迅速進軍高容量固態硬碟市場，該市場蓬勃發展，至今仍保持著強勁的增長勢頭。

近日，全球儲存晶片行業迎來歷史時刻：美光科技、SK海力士市值雙雙突破兆美元，多家機構認為行業景氣度將延續至2027年。 儲存晶片的持續爆發，正不斷提升後道封裝需求，三星已計畫在越南投資15億美元建設儲存晶片測試工廠，預計2027年投產。 同時，半導體技術演進路徑也在發生深刻變化，華為近日提出“韜定律”，以“時間縮微”替代傳統的“幾何縮微”，通過邏輯折疊等創新技術實現半導體突破。 而這一方向高度依賴先進封裝技術的底層支撐，“韜定律”的提出也使得先進封裝行業熱度同步攀升。