功率半導體，密集漲價

“近期產品價格上調了10%，所有類型產品類型都有漲價。”某國際功率半導體公司人士向財聯社記者表示道。

這並非個例，2026年開年以來，功率半導體行業迎來一輪密集漲價潮。

英飛凌、德州儀器等海外廠商率先發佈漲價函，國內廠商隨後跟漲。其中，宏微科技(688711.SH)方面表示，已對部分IGBT提價約10%；捷捷微電（300623.SZ）MOSFET產品此前已上調10%-20%，IGBT產品自本月起上調10%-20%；新潔能(605111.SH)MOSFET產品自3月1日起上調10%起。

這輪漲價的核心推手是AI資料中心。

英飛凌在漲價函中明確表示，AI專用資料中心的部署導致多款功率開關及積體電路出現供應短缺。

在需求爆發的同時，全球8英吋成熟製程產能持續收縮，上游原材料和代工封測成本全線上漲，功率半導體正面臨供需兩端的擠壓。

AI擠佔8英吋產能 漲價潮短期難退

MOSFET是本輪漲價中最先告急的品類。

新潔能在漲價函中指出，上游原材料及關鍵貴金屬價格大幅攀升，導致晶圓代工及封測成本持續上漲，公司MOSFET產品自2026年3月1日起價格上調10%起；捷捷微電MOSFET成品自2月1日起上調10%至20%，公司在投資者關係活動中表示，目前南通高端功率半導體器件產業化項目已實現約13萬片/月產出，旨在緩解MOSFET產能緊張；芯聯整合（688469.SH）也在今年一季度完成了對MOSFET產品的價格調整。

MOSFET率先提價，原因在於其對8英吋晶圓產能的消耗更大。

單台AI伺服器對高壓 MOSFET、電源管理 MOSFET 的需求更高，AI伺服器對高壓MOSFET需求大幅增長，加劇了8英吋產能的緊缺。

IGBT的漲價節奏略慢於MOSFET，但近期已經確立趨勢。

Trendforce集邦諮詢分析師王昊駿告訴財聯社記者，部分海外龍頭廠商及部分國產廠商已發出漲價通知，車規級矽基IGBT晶片漲幅約在10%至20%之間。

宏微科技證券部人士近日向以投資者身份致電的財聯社記者表示：“我們低端產品普遍漲價10%左右，主要是IGBT部分。上游成本上漲，下游需求也漸漸回暖。”

某功率半導體大廠人士也向財聯社記者確認，包括IGBT在內的所有產品均有大約10%的價格上升，原因是“市場在恢復、成本在上升。”

芯聯整合管理層近期在公司業績交流會上表示，IGBT產品近期需求增長明顯，“判斷未來IGBT產品供需均衡將打破，將出現需求大於市場供給的情況”。

不過，王昊駿也指出，並非所有廠商都選擇了跟漲。仍有許多國產廠商為了借漲價潮搶佔市場或維持訂單量，選擇自行吸收成本，晶片或模組仍維持原價。

某國內廠商在被問及是否跟漲時向財聯社記者表示目前仍“關注中”。

MOSFET和IGBT同時漲價的背後，是AI資料中心、新能源車和上游成本三重因素的疊加。

需求端，AI資料中心是最大的增量來源。德州儀器2026年第一季度財報顯示，其資料中心業務營收同比增長約90%。

英飛凌科技CEO Jochen Hanebeck在2026財年第一季度財報會上表示，AI資料中心的電源解決方案仍是公司重點，英飛凌預計2027財年AI資料中心相關營收將達約25億歐元，2025財年該項營收已增長近三倍、超過7億歐元。

王昊駿進一步指出，廠商選擇優先向AIDC產業鏈客戶供貨，由於AIDC產品目前對標類車規標準，兩者產品規格及特性有一定通用度，廠商為搶佔AIDC市佔率，進一步擠壓了車規級晶片的供應。

新能源車的需求也在同步拉動。華潤微在近期機構調研中表示，新能源領域太陽能、儲能、充電樁等需求持續釋放，部分料號已出現滿載溢出；汽車電子方面，去年匯入的新客戶與新項目正進入放量階段。

供給端的收縮在放大這種緊張。

根據TrendForce集邦諮詢資料，台積電、三星持續削減8英吋成熟製程產能，全球8英吋產能至2027年上半年將維持負增長，集邦諮詢預估，2026年全球8英吋晶圓代工廠平均產能利用率將從2025年的75%至80%攀升至85%至90%，部分晶圓廠已通知客戶調漲代工價5%至20%，且為不分客戶、不分製程平台的全面性調價。封測端同樣緊張，部分封測大廠產能利用率直逼滿載，近期啟動漲價，漲幅近30%。

王昊駿表示，從成本端看，只要原材料價格維持高位、封裝成本居高不下，相關功率半導體產品價格下探空間有限。從產能端看，多數新產能預計在2026年底或2027年後才會釋放，供需緊張預計將持續6至12個月。

多家企業的產能和訂單資料也在印證這一判斷。

華潤微(688396.SH)近期在調研中表示，6英吋、8英吋及重慶12英吋產線自去年四季度以來持續滿載，在手訂單能見度已至今年下半年。

揚傑科技（300373.SZ）預計2026年一季度歸母淨利潤同比增長20%至40%，公司在業績預告中指出，當前正處於上行周期的初期階段。

輝達800V架構來了 碳化矽、氮化鎵加速擴產

在傳統功率半導體供需緊張的同時，以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正在迎來一個全新的需求入口——AI資料中心。

輝達在2025年技術大會上將800V高壓直流（HVDC）架構確立為下一代AI工廠的核心供電方案。這套架構已獲得廣泛支援，包括英飛凌、安森美、意法半導體、德州儀器、英諾賽科（02577.HK）在內的主流半導體廠商均已宣佈支援800V供電方案。

在這其中，功率半導體是電力電子系統中實現電能轉換、控制與傳輸的核心器件。傳統的54V機架配電系統專為千瓦級機架設計，當機架功率超過200千瓦後，空間受限、銅纜過載、散熱困難等問題接踵而至。

在此情況下，市場研究機構行家說三代半半導體研究總監張文靈告訴財聯社記者，AIDC將成為第三代半導體的下一個爆發式增長市場，需求強勁且明確。

碳化矽和氮化鎵在800V架構中各有分工。張文靈介紹，在配電端，傳統工頻變壓器將逐步被固態變壓器（SST）、中壓直供800V電源系統等新型方案取代，這些方案通常採用碳化矽，單台固態變壓器的碳化矽器件用量可達數百顆。

在機櫃內部，板載電源需要氮化鎵來提升效率和功率密度，兆瓦級DC-DC模組的氮化鎵器件用量可超1000顆。

張文靈還指出，AIDC對效率和功率密度要求高，且對成本不敏感，為碳化矽和氮化鎵開闢了高附加值的空間，可以緩解企業在新能源汽車和消費電子領域的價格和利潤壓力。

但從滲透進度看，第三代半導體在AIDC中的應用仍處於早期。

王昊駿指出，碳化矽匯入AIDC電源類零部件目前處於起步階段，市場仍以車用領域為主。碳化矽與800V電壓架構發展明顯繫結，但800V架構最大的門檻在於電網升級，因此碳化矽整體滲透率的成長速度相對較慢。

王昊駿同時表示，目前，隨著AIDC需求加入，碳化矽相關器件也面臨成本上漲，但漲幅相較矽基IGBT較為緩和。

需求方向明確，國產廠商亦已經具備接住這波需求的實力。

根據Omdia發佈的2025年功率半導體報告，前四名廠商英飛凌、安森美、意法半導體和三菱電機依然穩固，中國廠商士蘭微（600460.SH）在2025年首次進入全球前五行列。

第三代半導體或將成為國內功率半導體企業擴大聲量的重要機遇。

張文靈確認，國產碳化矽和氮化鎵廠商已具備在AI領域應用的實力。碳化矽方面，通用算力伺服器電源已廣泛匯入國產碳化矽二極體，部分領先廠商的SiC MOSFET已與資料中心電源、固態變壓器等領域達成實質性合作。

氮化鎵方面，國內頭部廠商技術水平已與國際廠商並駕齊驅，產品已成功進入輝達、浪潮等頭部客戶供應鏈。

從企業層面看，天岳先進（688234.SH）2025年碳化矽襯底全球市佔率躍居首位，打破了Wolfspeed多年的壟斷，8英吋產品全球市佔率突破50%。

英諾賽科是輝達800V系統供應商名單中唯一的中國本土企業，近期已成功供貨Google，其8英吋氮化鎵晶圓產線月產能已從1.3萬片提升至2萬片。

比亞迪半導體則推出了全球首款可批次裝車的1500V高耐壓大功率碳化矽晶片。

面對AI和新能源車的雙重拉動，國內外企業均在密集擴產。

海外方面，英飛凌斥資50億歐元在德累斯頓建設的智能功率半導體工廠將於2026年夏啟用；意法半導體在義大利卡塔尼亞新建8英吋碳化矽工廠，總投資50億歐元，預計2026年投產；安森美斥資20億美元在捷克建設碳化矽工廠。

國內企業的擴產節奏同樣緊湊。

時代電氣（688187.SH）三期株洲碳化矽產線已於2025年12月底拉通，正式投入生產；芯聯整合日前表示，公司正積極推進12英吋碳化矽產線擴產；揚傑科技在越南投資建設首座車規級6英吋晶圓工廠，設計年產能240萬片，預計2027年一季度量產；株洲中車8英吋碳化矽晶圓線於去年底通線，總投資53億元，年增36萬片產能；斯達半導（603290.SH）15億元可轉債已獲批用於加碼車規級SiC和GaN模組產能建設。 (財聯社)