長鑫儲存——中國國產HBM的破局者
大家好，我是老張。
上文章我們系統瞭解了HBM——AI的專用高速記憶體。文章寫完之後，有讀者在後台問我：老張，HBM被三星、SK海力士和美光三家壟斷，如果這三家斷供，中國國產AI晶片的視訊記憶體怎麼辦？
這是個很現實的問題。答案其實不複雜——中國只有一家公司有希望接住這根接力棒。它的名字，叫長鑫儲存。從HBM2到HBM3，從0到12層堆疊，它只用了三年，而且2026年這年發生的很多大事件，都直接跟它有關。
在正式講長鑫之前，先交代一下背景：為什麼這家公司這麼重要？
當前最前沿的AI晶片，比如輝達的B200/B300，單顆GPU需要搭載192GB甚至288GB的HBM記憶體。沒有HBM，高端AI訓練幾乎寸步難行。
而HBM這個領域，長期被三星（韓）、SK海力士（韓）和美光（美）三家公司壟斷，它們的合計市佔率超過98%。
更讓人警惕的是，美國對華晶片出口管制政策並不穩定——2025年4月曾經收緊到禁止輝達H20出口，雖然政策後來有所鬆動，但誰能保證明天不會再次收緊？一旦管制升級，HBM的供應隨時可能被切斷。這種情況下，中國國產HBM就不是一個“錦上添花”的技術追求，而是一個“必須要有”的戰略底線。
而這條底線上，目前只有一個真正的選手在往前衝——長鑫儲存。
一、長鑫是誰？
長鑫儲存（CXMT）成立於2016年，總部位於合肥，是中國大陸目前唯一實現DRAM全產業鏈自主可控的IDM（垂直整合製造）企業。/
IDM是個重要概念——它意味著從晶片設計、製造、封裝測試到銷售，整個鏈條都由自己來完成，而不是像很多晶片公司那樣只做設計，把製造交給台積電。這個模式對資金和技術的要求極高，但在供應鏈安全上有著不可替代的價值。
長鑫的創始人是朱一明，他同時也是另一家儲存晶片上市公司兆易創新的創始人。長鑫無控股股東和實際控制人，前三大股東分別是清輝集電（21.67%）、長鑫整合（11.71%）和國家大基金二期（8.73%），阿里、騰訊、小米產投等也在股東名單中。
它的技術基石是17奈米DRAM工藝，產品線覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5/5X等主流規格。其DDR5產品傳輸速率高達8000Mbps，LPDDR5X更是提升至10667Mbps，性能對標國際一線廠商。
長鑫的起步並非坦途。DRAM行業是半導體領域技術門檻最高、資本投入最密集的賽道之一，歷史上中國曾有多家企業嘗試突圍，但因資金壓力、技術瓶頸或外部制裁而折戟——紫光集團陷入財務困境，福建晉華因美國制裁而發展受阻。長鑫能在這種環境中“活下來”並壯大，本身就說明了一些問題。
二、切入HBM賽道的戰略選擇
長鑫在DRAM領域的積累是它進軍HBM的基礎。但HBM的難度遠高於普通DRAM。普通記憶體晶片是平鋪在電路板上的，而HBM需要把8到16層DRAM晶片垂直堆疊在一起，每一層之間用矽通孔（TSV）精密連接。
長鑫正式進入HBM領域是在2023年前後，2024年下半年實現了4層堆疊HBM2的量產，當時SK海力士已經實現12層HBM3E量產，中韓差距比較大。
但這個追趕速度是驚人的——僅三年時間，到2026年4月，長鑫已經啟動12層堆疊HBM的大規模生產，將技術差距縮短至不到三年。
長鑫的策略是全押。目前公司將DRAM總產能的約20%投入HBM製造，月產能約6萬片晶圓。在半導體行業，這個比例非常高。HBM的附加值遠高於普通記憶體晶片，但技術風險和資金消耗也同樣巨大。
三、爭議與挑戰：冰火兩重天的2026
2026年對長鑫來說，既是突破之年，也是爭議之年。
好消息是，12層堆疊HBM已經啟動量產，這是目前商業化HBM的最高堆疊層數之一。公司計畫通過IPO募集295億元，其中130億元用於晶圓製造項目，90億元用於下一代DRAM前瞻技術研發。這筆錢如果順利到位，將是科創板開板以來僅次於中芯國際的第二大IPO。
但不好的消息同樣不少。有外媒報導指出，長鑫的HBM3至今尚未接到任何量產訂單，產品仍停留在測試階段。核心瓶頸有兩個：
- 一是關鍵原料儲備不足，現有資源僅能支撐初期樣品製作，尚未具備大規模量產條件；
- 二是良率問題。常規16奈米級DRAM產品的良率約在70%甚至更高水平，但在HBM複雜的後段製程中，良率會明顯下降——TSV工藝的良率只有60%-65%，而國際領先水平在70%-75%以上。從整個HBM產業來看，當前行業內整體良率約50%-60%，長鑫目前處於追趕通道的中後段。
長鑫在HBM3研發中最終選擇了與SK海力士類似的MR-MUF（大規模回流模塑底部填充）封裝技術路線。這條技術路徑的優勢在於能夠支援16層及以上的高堆疊製程，但技術門檻也不低。
業界評估，要在2026年內將HBM3良率提升到足以接單上量的水平，仍面臨不小的挑戰，實際量產時間有可能推遲。HBM的生產周期長達兩個季度，且造一顆HBM消耗的晶圓產能相當於好幾顆普通DDR5，這種高投入、長周期、低良率的特點，決定了它不可能一蹴而就。
四、產能擴張：一場豪賭
長鑫在產能擴張上同樣激進。目前公司在合肥和北京各有一座工廠，月產能約20萬片12英吋晶圓。2026年初，消息傳出長鑫正在上海建設一座新的超級工廠，規劃月產能40到60萬片晶圓，約是合肥總部產能的2到3倍。其中HBM3專屬月產能規劃達5萬片。新工廠計畫2026年下半年啟動裝置安裝，2027年正式投產，2028年滿產。
這種等級的擴產，在全球儲存行業都屬罕見。結合295億元的IPO募資計畫，可以看出長鑫正在下一盤很大的棋，賭的是全球AI算力對HBM的旺盛需求至少持續5到10年。
五、戰略意義：不只是長鑫自己的事
長鑫的意義，不能只看它一家公司的賺錢或賠錢。
從全球格局看，長鑫是目前全球第四大DRAM廠商，按產能計算市場份額約11.1%，是首家真正意義上躋身全球DRAM第一梯隊的中國企業。在HBM這個更細分的賽道上，它是全球第四家具備HBM量產能力的企業。
韓國媒體對此已有明顯的警惕，稱“長鑫已非尋常的中國廠商”，擔憂“韓國儲存帝國根基正被中國動搖”。從另一個側面也印證了長鑫的崛起並非只是中國自說自話。
總結收尾
總結一下關於長鑫儲存的幾個核心判斷。
- 第一，從“追趕者”到“攪局者”，長鑫用三年時間完成了從4層HBM2到12層HBM的跨越，技術差距從多年縮短到不到三年，這個速度在半導體行業確實少見。
- 第二，2026年是一個分水嶺——12層HBM能否真正實現大規模量產、良率能否在爬坡中突破及格線、IPO資金能否順利到位，將決定長鑫未來幾年在全球HBM市場中的真實地位。
- 第三，從更高的視角看，長鑫的存在本身就是中國半導體產業在儲存領域的一面旗幟。在DRAM這個三星、SK海力士、美光碟踞了幾十年的高壁壘領域，長鑫是唯一一家真正能擠進“第一梯隊”的中國企業。 (算力與科技茶館)