近期，中國國產儲存晶片利多消息不斷。
5月17日，長鑫科技更新科創板IPO招股書，披露了炸裂的業績資料，2026年一季度，公司實現營業收入508億元，同比增長719.13%；歸母淨利潤247.62億元，同比暴增1688%。
5月19日，長江儲存控股股份有限公司發佈首次公開發行股票並上市輔導備案報告。
消息一出，5月20日開盤，儲存器指數漲1.02%。
伴隨大模型推理、AI伺服器及資料中心對高容量儲存晶片的需求井噴，DRAM和NAND Flash雙雙進入新一輪超級周期。
兩家公司分別聚焦儲存領域的不同技術路線，長鑫科技專攻DRAM，長江儲存主攻3D NAND快閃記憶體晶片，由此共同構成了中國儲存產業的雙引擎，二者的衝刺上市，將為A股注入真正的儲存龍頭標的，其估值體系也將與國際巨頭估值體系對標，市場對兩家公司抱有兆市值的想像空間。
值得注意的是，中國國產儲存雙雄相繼加速資本化處理程序，募集資金將有力支撐其大規模產能擴張與技術迭代升級，其背後帶動的是一條中國儲存產業鏈的結構性機遇。
上市之後，長鑫科技和長江儲存也將接受公開市場的審視，它們的競爭對手早已不是中國同行，而是國際巨頭，這個轉變意味著市場給的估值錨點將從自主創新溢價逐步切換到全球市場份額對標，全球儲存市場的格局或將迎來深刻重塑。
DRAM與NAND的雙雄突圍
儲存晶片，被稱為AI時代的資料糧倉，主要分為記憶體（DRAM）和快閃記憶體（NAND Flash）兩類。記憶體斷電後資料會立即消失，專門為高速運算服務，比如電腦記憶體條、手機的運存；快閃記憶體容量更大、成本更低，斷電後資料不會丟失，比如電腦裡的固態硬碟、手機標註的儲存空間和日常使用的USB 隨身碟等。
長鑫科技和長江儲存二者的主攻方向恰好對應這兩大類別，長鑫科技做DRAM，長江儲存做NAND，分別卡住了儲存產業最核心的兩條賽道。
長鑫科技已完成 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 等產品覆蓋和迭代升級，2025年11月，長鑫發佈DDR5產品系列，速率達8000MT/s，顆粒容量和速率處於國際領先水平。長鑫17nm DDR5晶片實現規模化出貨，良率突破90%，核心性能與國際一線產品差距不足5%。
產能方面，長鑫在合肥、北京兩地共擁有3座12英吋DRAM晶圓廠，預計2026年現有三廠產能全部達產。招股書顯示，報告期內，公司產能處於持續建設狀態，DRAM產品銷量快速增長，DDR系列和LPDDR系列的銷量複合增長率分別高達107.16%和76.93%，均呈現快速上升趨勢。
根據Omdia的資料，按照產能、出貨量和銷售額統計，長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。目前，公司已與阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想、小米、傳音、榮耀、OPPO、vivo等行業核心客戶開展了深度合作，進入伺服器、移動裝置、個人電腦、智能汽車等各大領域。
長江儲存主攻3D NAND快閃記憶體晶片，也是中國唯一能自主研發、生產3D NAND快閃記憶體的IDM廠商。公司自主研發了Xtacking晶棧架構，該技術通過將外圍電路與儲存單元分別製造於兩片獨立的晶圓上，再通過垂直互聯通道進行鍵合，大幅提升傳輸效率和儲存密度。
產能方面，公開資訊顯示，長江儲存在武漢已有兩座晶圓廠，合計月產能約20萬片；武漢三期項目已進入裝置安裝階段，預計年內投產，計畫在2027年實現約5萬片/月階段性產能目標。
另外，長江儲存自主研發的Xtacking架構已實現232層以上堆疊3D NAND Flash量產，產能裝置中國國產化率達45.00%，並計畫啟動全中國國產化裝置產線試生產。
從財務表現看，兩家公司業績呈現爆表態勢。據招股書披露，長鑫科技預計，2026年1—6月歸母淨利潤500億元至570億元，同比大幅增長2244.03%至2544.19%。這意味著今年上半年，長鑫科技預計至少日賺3.6億元。
根據市場研究機構資料，長江儲存2025年前三季度營收約320.84億元，同比增長97.79%；2026年第一季度營收突破200億元，較去年同期實現翻倍增長。在全球NAND Flash市場，公司的出貨量份額已超過10%。
在估值量級層面，兩家公司均獲得了資本市場的高度預期。長鑫科技此次IPO擬募資295億元，這一規模僅次於中芯國際，有望成為科創板開板以來募資規模第二大的IPO項目，填補A股市場真正儲存晶片IDM企業標的的空白。有機構估算，按照2026年歸母淨利潤1500億元—2000億元、20倍市盈率測算，長鑫科技市值至少達3兆元，甚至有部分機構人士給出4兆元以上的估值。
長江儲存母公司長存集團於2025年9月完成股改後估值約1616億元。如今市場普遍預計，長江儲存上市後，市值至少將達到5000億元至8000億元，甚至突破兆元。
兩家預期市值合計將撐起一條兆賽道，在科創板當前市值結構中，這意味著儲存產業鏈可能成為僅次於晶片製造的權重類股。
長鑫和長江儲存同時迎來業績和估值的雙重爆發，不僅僅是巧合，源於全球儲存產業正在經歷一場史無前例的供需裂變。
供給端上，三星、SK海力士將70%以上的DRAM產能優先鎖向高頻寬記憶體，縮減通用DRAM和消費級NAND的產能投放。需求端上，單台AI伺服器記憶體配置是普通伺服器的8到10倍，全球超三分之二的DRAM產能被AI與伺服器市場消化，Meta、微軟、Google通過長期協議提前鎖定絕大部分可用產能。
供需缺口撕開了行業史詩級漲價的窗口。根據TrendForce資料，2026年二季度價格還在加速上漲，預計傳統DRAM將繼續上漲58%-63%，NAND Flash上漲70%-75%。
高盛直稱全球儲存晶片市場正面臨過去15年來最嚴重的供應短缺，並大幅上調2026年儲存晶片價格預測，預計DRAM全年漲幅達250%-280%，NAND快閃記憶體漲幅達200%-250%，預計儲存晶片短缺至少延續至2027年，部分高端產能可能持續到2028年。
全球儲存格局重塑前夜
兩家儲存龍頭競速上市帶來強烈的市場高預期，不僅在於企業自身能賺多少錢，還在於中國國產半導體產業鏈迎來的結構性機遇。
過去，中國國產半導體裝置和材料缺乏驗證機會，但長江儲存和長鑫科技的出現，扭轉了這一局面。市場資料顯示，目前，長江儲存武漢三期工廠的中國國產裝置佔比已達到52%，其中刻蝕機、薄膜沉積、清洗、檢測等裝置的中國國產化率超過60%；長鑫儲存的中國國產裝置佔比也達到了45%。
兩家企業作為IDM模式的代表，其擴產和上市將直接拉動產業鏈上游的IP、EDA軟體、半導體裝置及零部件、材料，到中游環節的DRAM設計、晶圓製造以及封裝測試環節的自主創新。
隨著長江儲存三期工廠中國國產裝置採購佔比逐漸提升，核心裝置自研與本土化替代加速，北方華創、中微公司、拓荊科技等中國國產裝置廠商直接受益於擴產訂單；鼎龍股份、安集科技、南大光電等材料供應商有望隨產能爬坡迎來量價齊升。
長鑫科技作為中國最大的DRAM廠商，則成為中國國產半導體裝置最重要的驗證和應用平台，中國的儲存產業鏈也在圍繞長鑫科技加速集聚。兆易創新（603986.SH）是長鑫科技的關聯公司，兩家公司董事長均為朱一明，兆易創新2026年預計從長鑫科技採購代工DRAM約57億元人民幣，而上一年的採購額是11.8億元。
招股書顯示，長鑫2025年的採購資料中，化學品、光阻劑和矽片的採購佔比分別達到37.29%、12.16%和8.55%，中國材料廠商正迎來放量拐點。
目前，在裝置中國國產化浪潮中，中微公司（688012.SH）的刻蝕裝置、北方華創（002371.SZ）的PVD/CVD裝置、精智達（688627.SH）的儲存測試裝置、拓荊科技（688072.SH）的薄膜沉積裝置、長川科技（300604.SZ）的測試裝置、盛美上海（688082.SH）的濕法清洗裝置等中國國產裝置正加速匯入供應鏈。
多家行業機構觀點認為，長鑫科技連續兩個季度業績大幅超出市場預期，未來兩至三年產能擴建計畫落地確定性增強，整個中國國產儲存產業鏈具備長期佈局價值。
招商證券研究認為，長鑫目前單座DRAM產線投資超百億美元，隨著製程升級裝置投入進一步攀升，有望帶動裝置開支援續提升，預計儲存產線擴產有望提速，隨著中國裝置技術水平持續突破，中國國產化率將持續提升，前道及後道先進封裝裝置訂單增長趨勢明確。此外，儲存裝置訂單向好有望向零部件廠商拉貨，零部件訂單及收入有望快速增長，同時隨著中國材料產品工藝能力不斷增強，產能突破瓶頸後收入利潤有望持續增長。
除了對中國國產儲存產業鏈價值的重塑，長鑫科技、長江儲存兩家公司在有史以來最強景氣周期的當下，帶來的更深刻意義在於，向全球展現了中國終於有了能在儲存關鍵賽道上充分參與全球競爭，並且業績快速增長的公司。
過去，全球DRAM市場長期由三星、SK海力士、美光三家壟斷。根據Omdia的資料，基於銷售額測算，2025年三星電子、SK海力士和美光科技在全球DRAM市場的佔有率分別為33.96%、34.48%和23.41%，上述三家企業合計佔全球DRAM市場90%以上的市場份額。
隨著長鑫科技逐步進入主要廠商陣營，長鑫科技的全球份額在快速增長。根據Omdia的資料，2025年二季度，其市場份額還是3.97%，四季度已經到了7.67%，半年時間市場份額上升了近一倍。
NAND快閃記憶體市場亦是如此，三星、SK海力士、鎧俠、美光、閃迪佔據超90%的市場份額。不過，長江儲存的NAND晶片產量正在逼近。
Counterpoint的資料顯示，2025年第一季度長江儲存全球NAND快閃記憶體出貨量份額首次達到10%，第三季度進一步增長至13%，接近美光科技。長江儲存設定的目標是，2026年底前將全球銷售份額拉高至15%，屆時產能將佔全球供應量的約20%，有望超越日本鎧俠，直逼韓國SK海力士。
據集邦諮詢預測，長江儲存2025年NAND Flash市佔率約為12%；長鑫科技DRAM市場份額約為4.5%。
不過需要看到的是，儘管市場份額逐步提升，但中國國產儲存雙雄與國際巨頭相比仍有一定差距。HBM是這輪AI算力行情裡利潤最豐厚的DRAM品類，也是三大國際廠商最重要的利潤來源，目前SK海力士已量產HBM3E/HBM4，但長鑫目前的產品組合以DDR和LPDDR為主，尚未將HBM作為主要產品納入招股書。
此外，儲存行業具有強周期特徵，當三星、SK海力士等巨頭補足消費級記憶體產能後，市場可能進入下行周期，長鑫的爆發式利潤能否持續面臨考驗。
三星半導體（DS）部門前總裁慶桂顯（Kye-hyun Kyung）在近期公開表示，記憶體價格的大幅上調推動中國進行大規模的晶片製造產能擴張。如果這些擴產投資取得成功，市場將很快迎來大量新增供應，並迫使記憶體價格回歸理性，市場格局可能會在明年下半年或2028年上半年發生轉變。
長江儲存技術追趕速度加快，但在NAND層數上仍需持續突破。同時，產能擴張需要巨額資本投入，三期及後續工廠能否按時達產、良率能否穩步提升，都是影響長期競爭力的關鍵變數。
眼下，兩家儲存龍頭相繼衝向A股，資本市場對此看法兩極分化。看好的一方覺得，這類硬核科技企業上市，能補齊A股短板，甚至可能成為中長期牛市的重要支撐。而持謹慎態度的人則擔心，現在資金都在AI細分賽道上抱團，市場上本就沒多少餘糧，如此大手筆的IPO很可能會把場內僅存的流動性抽乾。 (21深科技)