近年來，在AI算力爆發與先進封裝浪潮的牽引下，半導體產業鏈的重心正悄然從晶圓製造向後道封裝轉移。先進封裝裝置被推上技術創新的主舞台，成為決定晶片最終性能的關鍵一環。其中，熱壓鍵合（TCB）裝置作為HBM生產的核心，一度被視為裝置領域最亮眼的增長極。
然而，就在行業對先進封裝賽道投注無限熱情之時，一則來自韓企的財報卻發出了反常訊號。
2026年第一季度，韓國半導體裝置巨頭韓美半導體交出了一份堪稱“暴雷”的成績單：合併營收509億韓元，營業利潤僅84.5億韓元，同比分別暴跌65.5%和87.9%。淨利潤也從去年同期的547億韓元降至190億韓元，同比下滑65.2%。
據悉，韓美半導體盈利勢頭自去年第二季度達到峰值以來持續減弱，當時營收高達1800億韓元，營業利潤為863億韓元。第三季度，營收環比下降7.7%至約1662億韓元，營業利潤下降21.4%至678億韓元。第四季度，營收環比暴跌約50%至830億韓元，營業利潤下降59.3%至276億韓元。
至今年一季度，這已是該公司連續第三個季度盈利大幅下滑。財報發佈後，韓美半導體股價單日重挫超20%。
市場的驚訝並非沒有理由。
韓美半導體業績“暴雷”的核心原因直指其主力產品——TCB熱壓鍵合裝置銷售的斷崖式下滑。
要知道，TCB裝置是HBM高階封裝不可替代的核心裝備，直接決定HBM良率、成本與交付能力，曾被視作AI算力時代的“印鈔機”。作為HBM TCB裝置的頭部企業，韓美半導體的潰敗，與行業火熱的預期形成尖銳反差。
究竟是什麼原因，讓一家佔據HBM TCB裝置市場主導地位的龍頭企業，在行業景氣度看似高漲的時刻，遭遇了斷崖式下滑？TCB裝置，這個被奉為HBM封裝“卡脖子”環節的關鍵裝備，是否正在失速？還是說，產業動態和表象背後隱藏著更深層的結構性變局？
TCB：HBM封裝的核心剛需
在剖析原因前，首先需要回到技術本身。
熱壓鍵合（Thermal Compression Bonding，TCB），是一種通過同時施加熱量和壓力，將晶片與基板或其他晶片緊密連接的先進封裝工藝，其核心技術靈魂在於溫度、壓力、時間三者精準協同控制。
與傳統倒裝晶片封裝（C4 Flip Chip）需要將整個基板加熱至200°C以上不同，TCB採用局部加熱方式——僅對晶片及其焊球加熱，頂部加熱頭可達450°C以上，而基板整體保持在較低溫度。
這一創新大幅降低了熱應力與翹曲風險，使得超薄晶片、高密度堆疊成為可能。
TCB工藝的核心優勢在於：支援亞10μm甚至5μm的細間距互聯，搭配非導電薄膜（NCF）或模塑欠填膠（MUF），可有效解決熱膨脹係數失配、晶片翹曲、氧化等問題。在HBM生產中，TCB主要用於Die-to-Die或Die-to-Wafer堆疊，是實現多層DRAM晶片垂直整合的不可替代的核心裝置。其技術水平與產能能力，直接決定了HBM晶片的良率、成本與交付能力，進而在一定程度上影響輝達等AI晶片廠商的性能上限。
正因如此，目前三星、SK海力士、美光三大HBM巨頭的產品，均將TCB作為標配封裝方案。據Yole Group資料，2025年全球TCB鍵合機收入約為5.42億美元，預計到2030年將增長至9.36億美元，年複合增長率11.6%。
摩根大通則更為樂觀，預測HBM用TCB鍵合機市場規模將從2024年的4.61億美元飆升至2027年的15億美元，三年增長超兩倍。
在這樣一個被普遍看好的高增長賽道，韓美半導體的業績“失速”則顯得格外刺眼。
六強爭霸：玩家分化與戰略歧途
目前，全球TCB鍵合機市場呈現六強格局：韓國韓美半導體、韓華SemiTech、SEMES，日本新川，以及新加坡ASMPT、庫力索法（K&S）等，CR6市佔率超過90%。此外，中國普萊信（PrecisioNext）也以國產替代姿態加入戰局。
韓美半導體的潰敗，或許並非TCB行業的寒冬，而是格局重構下的結構性分化。
面對“TCB是否失速”這一問題，不同玩家的答案截然不同。各大廠商的財報與市場動態，正在清晰勾勒出一條分化曲線。
韓美半導體：從巔峰到懸崖
作為曾經的絕對龍頭，韓美半導體自2017年與SK海力士深度繫結，伴隨其成為輝達獨家HBM供應商而崛起。2024年，公司業績爆棚，銷售額同比增長252%，營業利潤激增639%，並成功打入美光供應鏈，成為首個推出HBM4專用裝置“TC Bonder 4”的廠商。
但2025年Q2業績見頂後，形勢急轉直下，業績連續三個季度大滑坡。據業內人士分析，SK海力士與美光已基本完成第五代HBM3E生產用TCB裝置的投資，新裝置訂單驟然減少。儘管韓美半導體在今年1月仍從SK海力士獲得一筆96億韓元訂單，但此後數月再無新合同。
為此，韓美半導體被迫採取收縮與轉型平行的策略：清算成立僅三年的越南子公司Hanmi Vietnam，出售所持上市公司股份以籌措流動資金；同時加速佈局下一代技術，計畫2026年下半年推出專為20層以上HBM5/HBM6設計的寬溫控鍵合機，並聯合TES開發第二代混合鍵合原型機，投資1000億韓元在仁川建設混合鍵合生產基地。
韓華半導體：過渡期陣痛，靜待HBM4放量
韓華半導體同樣遭遇訂單缺口，2025年第一季度，韓華銷售額831億韓元，營運虧損137億韓元。其核心問題在於：去年下半年主要客戶（SK海力士）在從HBM3E向HBM4過渡前暫停了新裝置採購，而通過改造現有裝置即可應對初期HBM4生產，進一步推遲了新訂單。
但市場普遍認為，韓華一季度業績已觸底。隨著HBM4在下半年正式量產，TC鍵合機訂單有望從第二季度開始恢復。韓國投資證券預測，SK海力士今年訂購的TC鍵合機數量將在70至100台之間，較去年增長近一倍。此外，韓華計畫向海外OSAT客戶供應扇出型面板級封裝裝置，以拓展業務邊界。
ASMPT：逆勢高歌
與韓系廠商形成鮮明對比的是，ASMPT的TCB業務正處於高速增長通道。
2025年全年，ASMPT的TCB收入同比增長約146%，創歷史紀錄。2026年第一季度，營收5.08億美元，同比增長32%，其中半導體解決方案業務受先進封裝中高端固晶機及TCB的強勁出貨帶動。公司指引全球TCB裝置市場規模將在2028年達到約16億美元，目標佔據35%-40%份額。
在邏輯領域，ASMPT的C2S解決方案保持行業標準主導地位，C2W超微間距TCB方案已獲領先邏輯客戶多台訂單。在儲存領域，公司已獲得HBM4-12Hi多家客戶訂單，並推進HBM4-16Hi開發。ASMPT的TCB裝置已進入SK海力士HBM3E試產線，支撐16層堆疊產品量產，2025年訂單可見度達12個月。
ASMPT的戰略是雙軌平行：一方面深耕TCB，目標2028年拿下35%-40%市場份額；另一方面推進混合鍵合裝置商業化，同時佈局CPO光子解決方案，打造第二增長曲線。
ASMPT的強勢表現證明，TCB裝置的需求或許並未失速，而是在加速向具備技術硬實力和多元化客戶基礎的頭部玩家集中。
庫力索法：TCB與混合鍵合互補，明確“現在與未來”
庫力索法（K&S）對TCB與混合鍵合的關係給出了清晰判斷：“混合鍵合是未來，而TCB更多對應現在。這兩種技術是平衡、互補的關係，並非替代。”
K&S認為，HBM4將繼續沿用TCB工藝，行業普遍認為TCB在未來將有1-3年的應用窗口期。當HBM發展到16層以上、20層以上時，混合鍵合才會成為主流。但12層、16層甚至8層的產品仍會持續使用TCB。只要TCB仍能實現量產，客戶就不會輕易切換。
K&S的TCB業務FY26預計環比增長約70%，新一代系統計畫於2026年底推出。
TCB“失速”真相： 三重邏輯交織下的結構性調整
回到文章開篇的問題：TCB裝置，是否正在失速？
從韓美半導體的業績來看，答案似乎是肯定的。但從ASMPT、K&S的訂單與增長來看，答案又是否定的。這種“悖論”背後，實際上是多重邏輯疊加下的結構性調整，而非行業性衰退。
原因一：行業周期波動與代際投資空窗
半導體裝置市場具有明顯的投資周期性，TCB 裝置需求直接繫結 HBM 擴產節奏。
HBM3E的產能投資高峰在2024年基本完成，而HBM4的大規模裝置採購尚未全面啟動。這期間出現的代際空窗，對於高度依賴少數大客戶、單一產品線的供應商而言，衝擊尤為劇烈。
韓美半導體正是這一“空窗期”的典型受害者。其核心客戶SK海力士與美光在完成HBM3E裝置部署後，自然放緩了新訂單節奏。但這並不代表TCB裝置的長期需求萎縮。隨著HBM4在下半年正式量產，新一輪採購周期可能即將開啟。
值得注意的是，當前HBM市場存在結構性的供不應求：SK海力士2026年全年HBM產能已全部售罄，美光部分關鍵客戶只能滿足需求的50%至2/3，三星主要靠轉換現有DRAM產線，HBM4良率仍在追趕中。新產能依賴於新工廠建設（如美光ID1、SK海力士龍仁Y1），但首批產能最早要到2027年下半年才能放量。
記憶體廠商裝置投資遵循“量產前置”原則，HBM3E量產前已完成TCB裝置採購，當前僅需小批次補充，無需大額招標。這意味著，裝置訂單的空窗並非需求不足，而是產能物理極限與客戶投資節奏錯配的結果。
可以認為，不是TCB裝置需求不行了，而是客戶已經買完了。
韓美半導體的困境，更多是客戶結構單一與技術代際切換的產物，行業的真實矛盾，更多是短期訂單暫緩與長期需求剛性的錯位，而非TCB市場的整體萎縮。
原因二：供應鏈調整與多供應商策略
過去HBM TCB裝置高度依賴韓國廠商，韓美半導體曾壟斷SK海力士核心訂單。但隨著AI供應鏈安全上升為核心戰略，HBM製造商正紛紛推進供應鏈多元化，以降低對單一裝置供應商的依賴。
SK海力士已從早期主要依賴韓美半導體，轉向同時採購韓華Semitech和ASMPT裝置。分散供應鏈風險。三星則加速由旗下SEMES替代日本新川產品，2025年HBM3E產線已部署自研TCB裝置，實現供應鏈自主可控。美光在與韓美合作過程中，甚至將50台TCB裝置訂單拆分成多個低價合同，以防止產能資訊外洩。
這種“去單一化”趨勢，對韓美半導體這樣的傳統龍頭形成了直接衝擊，也解釋了其業績暴跌，或許是市場份額重新分配的體現，而非行業需求萎縮。ASMPT、韓華等廠商的份額上升，恰恰印證了這一點。
原因三：技術替代衝擊，混合鍵合的長期挑戰
市場對TCB的擔憂，很大程度上來自混合鍵合（Hybrid Bonding）的技術替代預期。
混合鍵合被認為是TCB的長期挑戰者。當HBM堆疊層數突破20層，晶片間距縮小至10μm以下，傳統微凸塊+熱壓鍵合面臨熱堆積、應力失配等物理極限。混合鍵合採用銅對銅直接互連，無需凸塊，可實現1μm以下間距，頻寬提升超30%、功耗降低超40%。
但二者並非“你死我活”的態勢，而是分層互補、長期共生。
業內普遍認為，混合鍵合將從HBM4E/HBM5世代開始逐步匯入，預計2027年後在HBM5+成為主流。三大HBM巨頭均已確定在HBM5世代全面應用混合鍵合技術。
目前混合鍵合在晶圓鍵合裝置市場中佔比僅1%-2%，TCB仍佔據90%-96%的絕對主導地位。Yole Group估計，2025年TCB鍵合機收入約為5.42億美元，而混合鍵合裝置市場規模尚不足千萬美元等級。
TCB的短期不可替代性在於，混合鍵合面臨三大量產瓶頸：
- 成本極高：對表面平整度、清潔度要求嚴苛，良率爬坡緩慢，短期不具備大規模量產經濟性；
- 標準放寬：JEDEC已放寬HBM堆疊高度標準，TCB可完美支撐16層及以下HBM4量產，降低廠商切換壓力；
- 產能缺口：混合鍵合裝置產能有限，無法滿足2026-2027年HBM爆發式需求。
正如K&S所判斷：TCB與混合鍵合是互補共存關係。TCB將繼續主導成本敏感、間距要求相對寬鬆（Pitch≥20-30μm）的應用場景；混合鍵合則聚焦於極致性能、間距極小的超高層HBM和AI晶片。在過渡期內，TCB仍將維持可觀規模，只要TCB能實現量產，客戶就不會輕易切換到成本更高的混合鍵合。未來3-5年，TCB仍將是HBM主流封裝方案，混合鍵合僅用於超高層前沿研發，無法衝擊TCB的基本盤。
TCB失速，偽命題？
綜合周期、格局、技術三大維度來分析，可以得出一個更加合理的判斷：TCB裝置行業的“失速”是偽命題，而是進入了一個結構性分化與代際蓄力的新階段，真實走勢是短期階段性觸底，長期結構化增長。
短期來看，2026年為TCB訂單低谷，核心原因是HBM代際切換、新產能未落地。2027年下半年，隨SK海力士龍仁Y1、美光Idaho Fab1新產能投產，TCB裝置訂單有望將重回高增趨勢。
對於市場整體，TCB裝置的長期增長邏輯並未動搖——HBM4量產、HBM4E研發、16層/20層堆疊演進，都將繼續拉動TCB需求。
而混合鍵合的遠期替代，聚焦20層以上超高層HBM、極致性能AI晶片，成為高端技術方向，二者形成“量產+前沿”的互補格局；與此同時，新技術趨勢也在倒逼行業加速技術迭代與產品升級。例如，ASMPT已推出第二代混合鍵合方案，韓美、韓華也在積極佈局混合鍵合裝置。傳統TCB裝置商正通過技術延伸避險單一工藝衰退的風險。
寫在最後
所以，答案也許並不複雜：TCB裝置沒有失速，只是在經歷一場由技術迭代、供應鏈重構與投資節奏錯配共同驅動的洗牌期。
韓美半導體的業績暴雷，更像是這場洗牌周期下的個案困境，而非TCB裝置行業衰退的訊號。至於未來混合鍵合的到來，大概也不是TCB的終結，而是先進封裝技術迭代的新起點，未來很長一段時間，兩種技術將分層共生，共同支撐AI算力的持續升級。
對於行業而言，這場“洗牌”恰恰敲響了警鐘：過度依賴單一客戶、固守單一技術路線，終將被產業變革淘汰。唯有緊跟周期節奏、擁抱供應鏈多元化、佈局創新技術，才能在先進封裝的浪潮中站穩腳跟。 (半導體行業觀察)