今日（5月27日），中國國產DRAM（動態隨機存取儲存器）龍頭——長鑫科技集團股份有限公司（下稱： “長鑫科技”）順利通過科創板上市委審議，即將登陸資本市場。
作為科創板首單 “預先審閱” 項目、擬募資295億元的硬科技巨無霸，長鑫科技此次過會恰逢其成立十周年之際，不僅是企業自身發展的里程碑，更標誌著中國儲存晶片產業打破海外長期壟斷、邁向自主可控的重要一步。
從獲受理到過會 用時不到5個月
從科創板IPO受理到過會，長鑫科技用時不到5個月。
作為2025年7月科創板市場改革新政後，首家採用IPO“預先審閱機制”申報上市的公司，長鑫科技上市稽核流程特殊、優先順序高，大幅縮短上市周期的同時，也避免了因過早披露業務技術資訊，而帶來的同業針對性競爭。
從交易所此前多輪問詢來看，關切主要聚焦行業周期、技術差距、盈利可持續性三大核心，均直擊DRAM產業痛點與企業發展關鍵。
對此，長鑫科技在問詢回覆中表示，DRAM行業受市場供需波動影響較大，具有顯著的周期性特徵。同時，由於DRAM市場供給端高度集中，三星電子、SK海力士及美光科技三家廠商佔有絕大部分市場份額，各家資本開支較為集中，新增或縮減產能決策往往同步釋放從而加劇行業的周期性特徵，使得DRAM市場價格呈現顯著的波動性。DRAM產品標準化程度較高，公司參考市場價格進行產品的銷售定價，市場價格的波動對公司產品單價及收入產生直接影響進而影響公司利潤。
三星電子、SK海力士、美光科技已歷經數十年發展，具有技術先發優勢和成本優勢，抵禦風險及市場衝擊的能力更強。而長鑫科技發展起步較晚，仍處於產能建設及爬坡階段，而新建產線的產能爬坡通常需要多個季度，新建晶圓廠從資本開支到產能釋放更是需要長達數年，使得該公司現階段在收入規模、產能規模、產品結構等方面與國際頭部廠商仍存在一定差距，不僅生產成本相對較高，同時當市場競爭加劇、產品價格下降時相比頭部廠商更容易出現產品負毛利或存貨跌價損失增加。
2024年全球DRAM市場中，三星電子、SK海力士、美光科技的市場佔有率分別為 40.35％、33.19％、20.73％，該公司全球市場佔有率位列全球第四、中國第一。
交易所還在問詢中，重點關注長鑫科技與上述幾家海外龍頭的技術差距及產業國產化進展。
長鑫科技已實現DDR5/LPDDR5X量產，填補國內通用DRAM空白，但HBM（高頻寬儲存）與三星、SK海力士仍存差距。
長鑫科技表示，經過多年發展，公司已成為中國規模最大、技術最先進、佈局最全的DRAM研發設計製造一體化企業，已形成DDR、LPDDR兩大主流產品系列佈局，並且各系列均能提供當前市場最先進的DDR5、LPDDR5/5X產品，產品廣泛應用於伺服器、移動裝置、個人電腦、智能汽車等市場領域，主要產品性能已達到國際先進水平，具備較強的產品競爭力。
2025年下半年起，AI算力爆發帶動儲存價格暴漲，長鑫科技首次迎來年度業績扭虧。2025年全年公司實現歸母淨利潤18.75億元，至2026年一季度，該公司歸母淨利潤達247.62億元，日均盈利超2.75億元。
在上交所問詢中，要求對長鑫對未來盈利前景、未來發展不確定性因素等作出披露。
長鑫科技表示，DRAM作為人工智慧算力系統的核心樞紐，隨著人工智慧快速發展，相關基礎設施投資高速增長，DRAM的市場需求呈現爆發式增長，是2025年下半年以來公司業績增長的主要原因之一。
然而，DRAM行業公司業績易隨周期性影響波動。以三星電子、SK 海力士、美光科技為代表，這些公司起步相對較早，經過多年的發展積累，構築了較強的規模、產品與技術優勢，在行業周期波動中具備了一定的抗周期性波動風險能力。
不過長鑫科技也表示，隨著產能持續釋放，該公司產能規模快速追趕國際前三家廠商，競爭力持續增強，同時隨著產品銷量實現高速增長，具備了較強的抗周期波動風險能力。因此當前市場預期向好的背景下，該公司預計2026年或2027年實現盈利具有合理性和審慎性。
股東名單豪華 眾多A股公司或將受益
由於採用IDM模式的儲存晶片廠商，前期生產與研發投入極為高昂，長鑫科技發展歷經多輪融資，最終形成了規模龐大、結構多元的股東陣營。
長鑫科技無控股股東和實際控制人。長鑫科技第一大股東為合肥清輝集電企業管理合夥企業（有限合夥），直接持有公司21.67%股份。
在長鑫科技的股東名單中，囊括了國家積體電路產業投資基金二期（大基金二期）、安徽省投資集團、國調基金等國資背景股東。
同時，還有兆易創新這樣的產業資本與之深度繫結，美的資本、小米、阿里、騰訊等網際網路及消費電子巨頭也現身股東名單。
此外，長鑫科技前期投資者還包括招商資本、君聯資本、安元基金、基石資本、燕創資本、蘭璞投資、雲鋒基金、燕園創投、銘盛資本、前海母基金、華富嘉業等一眾知名市場化的投資機構。
長鑫科技上市前夕，因多家上市公司旗下基金此前曾對長鑫參股出資，市場由此衍生出長鑫科技相關概念類股，從長鑫科技輔導備案至上會，每當其上市進展更新，都會牽動市場的高度關注。
長鑫科技最新的招股說明書中，招商證券、華安證券、中信建投、方正證券及中金公司五家券商現身，分別通過旗下子公司或參股基金入股長鑫科技。考慮到長鑫科技上市後或即買入兆市值，以上幾家券商股權帳面價值預計將對淨利潤資料帶來大幅增益，券商股也因長鑫IPO處理程序推進，受到市場資金追捧。
另外自今年以來，多家上市公司透過投資者互動平台等管道，披露與長鑫科技的股權投資關聯。
除兆易創新外，正帆科技、上峰水泥、合肥城建、合百集團、中山公用等多家A股公司前後透露曾通過旗下私募基金對長鑫科技參股。
兆易創新在2024年披露的公告顯示，其以自有資金15億元參與長鑫科技融資後，增資完成後持有約1.88%的股權。正帆科技則早於2025年7月便在互動平台表示，正帆對長鑫儲存有早期投資。正帆科技是長鑫儲存的長期合作夥伴和重要供應商，跟長鑫合肥、北京、上海廠均有合作。上峰水泥也於2025年10月在互動平台表示，公司通過私募股權投資基金上海君摯璞創業投資合夥企業（有限合夥）向長鑫科技投資了2億元，間接持股比例約0.15%。
朱一明的硬核造芯與突圍之路
在國產DRAM從“卡脖子”到突圍的浪潮中，朱一明是繞不開的核心人物。其一手締造兆易創新，成為“國產儲存設計第一股”；另一手創辦長鑫科技，打破三星、SK 海力士、美光近四十年的DRAM壟斷，成為全球第四大記憶體廠商。
1972年，朱一明出生於江蘇鹽城阜寧的普通家庭，家境清貧卻天賦卓絕。17 歲時，他以全縣高考第二名的成績考入清華大學物理系，五年內拿下本科、碩士學位，展露技術天賦。
1997年，朱一明赴美深造，進入紐約州立大學石溪分校攻讀電子工程碩士，畢業後先後入職ipolicy Networks Inc.、Monolithic System Technologies Inc.公司，在行業內從資深工程師做到項目主管，手握百萬年薪、定居加州。但優渥生活從未磨滅初心，朱一明在行業研究歷練多年，其親眼見證儲存產業從美國轉移至日韓、台灣，也深知中國每年千億級儲存晶片進口的“卡脖子”困境，深刻認識到，中國不能“無芯”，“無芯就是無魂。不掌握核心技術，國家的強盛只是建立在沙灘上”。
2004年，在積累了豐富經驗之後，朱一明決定回國創業，開啟造芯之路。
朱一明對儲存產業廣為流傳的一段論斷是，如果把電腦比喻為皇冠，CPU是皇冠上的明珠，儲存器就是皇冠的底座，底座自然要更多的黃金珠寶。儲存器的市場是IC產業裡最大的，任何一個新工藝誕生，它要做的第一個東西都是儲存器。隨著半導體工藝走向深亞微米時代，各類儲存器在積體電路中所佔的比重逐漸增大，誰領導了儲存器技術，誰就能稱雄整個積體電路產業。
2005年，在北京清華科技園一間毛坯房裡，朱一明創立兆易創新前身 “芯技佳易”，啟動資金僅湊到92萬美元，創業初期堪稱“地獄開局”。為此在戰略選擇上，朱一明避開巨頭紮堆的DRAM賽道，選擇相對小眾的NOR Flash快閃記憶體領域，直到2016年，兆易創新登陸A股上交所主機板，成為國產儲存第一股。如今，兆易創新已經成長為全球第二大NOR Flash供應商、國內領先MCU晶片企業，最新市值達3600億元。
世人眼中的“功成名就”後，朱一明毅然轉身，選擇與合肥市政府聯手，在2016年5月成立長鑫科技，目標直指被海外壟斷的DRAM賽道，項目總投資超500億元。
2018年7月，朱一明辭去兆易創新總經理職務，全職出任長鑫科技董事長兼CEO，並立下“軍令狀”：長鑫盈利前，絕不領一分工資、一分獎金。至2025年長鑫科技首次實現年度盈利前的八年時間當中，長鑫持續虧損，受到外界質疑“中國造不出DRAM”，但朱一明咬牙堅持。
2026年5月，在長鑫科創板上會在即，朱一明釋出一份A股史上最大規模的個人股權激勵。
長鑫科技更新後的招股書顯示，朱一明自願作出承諾，將其持有的合肥集鑫肆拾壹號企業管理合夥企業（有限合夥）合夥份額中的50%，約有7.68億股，在長鑫科技上市滿36個月後的10個自然年度內，全部分配給長鑫科技及其並表子企業的在職員工，用於員工激勵。
值得關注的是，激勵對象不包含朱一明本人。
按市場給出的2兆元市值保守估算，激勵市值或超200億元，將創A股個人股權激勵紀錄。
與此同時，朱一明還承諾了超長股份鎖定，即在長鑫科技上市後的第一個十年，不轉讓所持股份，在上市滿10年後的第2個十年中，每年最多減持上一年末剩餘鎖定股份總數的20%。這一超長股份鎖定期安排在A股歷史上也較為罕見。
有熟悉長鑫科技的投資人向《科創板日報》記者表示，國產儲存的高端化發展已進入從突破到放量的關鍵階段，前景十分廣闊，而以長鑫科技為代表的國產儲存企業，已經從跟隨者向並跑者，乃至未來領跑者的角色轉變。
在技術層面，以國內實現量產的DDR5記憶體晶片切入主流伺服器供應鏈為代表，國產DRAM已在產品代際上實現與國際主流接軌；產業層面，從儲存介質、晶片到系統，國內已實現全鏈條的自主突破，產業鏈協同和自主可控能力持續增強；市場層面，AI算力、資料中心建設以及智能終端普及，對HBM、DDR5等高端儲存產品形成了強勁且持續的需求拉動。 (科創日報)