2023 年 10 月，佳能發佈了一台很不像光刻機的光刻機。它沒有 EUV 那套錫滴、雷射、真空腔和蔡司反射鏡，也不靠鏡頭把電路圖案縮小投到晶圓上。它的辦法更直接，把刻好電路圖案的石英模具壓到晶圓表面的樹脂上，再用紫外光固化，揭開模具，圖案就留在了晶圓上。
像蓋章。
這台機器叫 FPA-1200NZ2C，佳能把它歸入奈米壓印光刻。嚴格說，它沒有擺脫所有光，因為樹脂固化還要用紫外光；它擺脫的是傳統投影曝光裡的光源、透鏡和縮小成像。EUV 要先造出 13.5 奈米極紫外光，再用一組反射鏡把圖案轉移過去。奈米壓印繞開了這條路，模具上是什麼尺寸，晶圓上就儘量複製什麼尺寸，中間少了一套昂貴的光學系統。
佳能官方說，FPA-1200NZ2C 可以形成最小 14 奈米線寬圖案，相當於現有 5 奈米節點邏輯晶片製造所需水平。如果繼續改進掩模，未來有望做到 10 奈米線寬，對應 2 奈米節點。DNP 也說，在佳能、Kioxia 和 DNP 的合作開發中，奈米壓印可把曝光環節功耗降到傳統方法約十分之一。對於一台 EUV 機器動輒上億美元、整套工藝耗電驚人的行業來說，這個路線當然有吸引力。
但“能壓出 14 奈米圖案”和“已經大規模製造 5 奈米邏輯晶片”，中間隔著一座生成製造的晶圓廠。佳能 2025 年報的表述：奈米壓印裝置已經向客戶出貨，客戶現場用於量產的評估驗證進展順利。Integrated Report 2025 里還寫到，裝置正在 Kioxia 做量產驗證，也就是佳能的機器已經進了真實客戶場景，尤其是儲存晶片方向。
NIL 最適合先打儲存。3D NAND 的圖案更規則，重複結構多，局部缺陷還有冗餘設計可以兜住。邏輯晶片更麻煩，CPU 和 GPU 的版圖複雜得多，每一層都要和前後幾十層對準，任何顆粒、變形、殘膠、模具磨損，都可能把良率往下拖。Semiconductor Engineering 採訪中，Canon Nanotechnologies 高管說他們在閉環系統已做到 1.8 奈米套刻，混合套刻做到 2.3 奈米，並滿足 3D NAND 需求。這個成績很硬，也說明戰場先從儲存開始。
奈米壓印的難處來自它的優點。模具直接接觸樹脂，所以圖案可以很細，裝置也可以更簡單；接觸本身又帶來顆粒和損傷，晶圓上只要有一粒髒東西，就可能污染模具，下一片晶圓繼續複製這個問題。光刻是隔空投影，髒了也難辦，但奈米壓印是把模具貼上去，缺陷控制要更狠，模具壽命要更長，清潔和檢測要變成生產線的一部分。
我把它看成 ASML 壟斷之外的一條側路，而非馬上替代 EUV 的正面決戰。ASML 的優勢在先進邏輯關鍵層，那裡客戶已經圍繞 EUV 建起工藝、材料、掩模、檢測和良率體系。佳能的機會在另一邊，儲存、部分重複圖案、先進封裝、光學元件，以及那些對成本和功耗特別敏感、對工藝遷移又願意付出時間的場景。它可能先省掉若干層昂貴曝光，再慢慢往更難的層推進。
這條路走了二十多年。佳能從 2004 年開始做 NIL，2014 年收購美國 Molecular Imprints，把技術收入自己體系，2023 年才正式推出半導體量產導向裝置。晶片行業喜歡談最先進節點，但真正能改變成本曲線的技術，往往先在不那麼耀眼的環節站穩腳跟。
奈米壓印的故事還沒有贏，卻已經證明一件事，製造晶片的未來並不只有更短的光。 (小馬如是觀)