三星電子在Computex 2026展會上首次公開第八代高頻寬儲存器HBM5原型，展現出搶佔下一代HBM技術制高點的意志，標誌著這家韓國晶片巨頭在AI儲存市場的產品佈局持續提速。在儲存價格全面走高的背景下，市場對韓國儲存廠商今年盈利的預期已大幅上調。
三星電子首席技術官（CTO）Song Jaehyuk於2日在台灣台北舉行的“Computex 2026”三星顯示展台接受採訪時表示，“人工智慧（AI）技術並非單一技術，涵蓋儲存、封裝以及熱管理在內的整個系統最佳化至關重要。”他稱，“三星作為同時擁有儲存和晶圓代工（半導體委託生產）的綜合半導體企業（Integrated Device Manufacturer），具備最佳化整體系統的優勢。”並表示，“將通過這一優勢滿足包括輝達在內的最終客戶需求。”
三星電子此次展會首次正式公開HBM5模型，並介紹了將首次應用於HBM5的核心熱管理技術“HPB（Heat Path Block）”結構，三星電子計畫在HBM5中率先採用由自家晶圓代工2奈米（1奈米=十億分之一米）工藝製造的基礎裸片。
Song Jaehyuk表示：“在HBM5中，為最佳化基礎裸片，將引入2奈米尖端工藝。”他稱，“公司正準備滿足市場所要求的頻寬和電力效率。”他還表示：“自引入環繞柵極（GAA）技術以來，過去3至4年積累的研發成果正得到良好體現，將借此實現差異化競爭力。”
三星電子計畫使用其自主研發的2nm工藝製造的晶片生產HBM5，預計將在2028年左右實現量產。而HPB將是大規模應用於其中的核心熱管理技術。
尤其是，三星還公開了被視為下一代HBM核心技術的混合鍵合技術應用現狀。Song Jaehyuk表示：“混合鍵合是在無間隙狀態下直接連接的技術，能夠縮小連接焊盤間距，也更有利於提升頻寬。”他強調：“如果說現有的TCB屬於封裝技術，那麼混合鍵合則是基於三星強項——矽工藝的技術。”
關於下一代HBM堆疊結構，他表示：“正在考慮12層、16層、20層堆疊，並正根據客戶對儲存容量提升的需求推進技術開發。”
HPB是一種整合在晶片封裝內的金屬導熱結構，通常由銅基材料製成，其導熱性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出約500至1000倍。
HPB是為解決提升AI儲存性能過程中可能產生的發熱問題而開發的技術，其設計可更高效地分散並釋放裸片與裸片之間物理表面產生的熱量。三星電子已基於HBM4E完成HPB技術的實現與驗證。今後將從HBM5開始正式應用，進一步提升性能與穩定性。
在HBM4E層面，三星已於5月下旬率先向全球主要客戶發貨12層HBM4E樣品，成為業內首家出貨該產品的廠商。HBM4E引腳傳輸速度穩定在14Gbps，可擴展至16Gbps，較HBM4提升逾20%，每堆疊頻寬達3.6TB/s，容量48GB，較上一代增加逾30%。
通用DRAM價格大幅上漲顯著強化了三星和SK海力士的HBM定價主導權，兩家公司盈利預期隨之大幅上調。摩根士丹利預測，三星今年全年營業利潤同比增幅或達464%，SK海力士增幅約280%。 (半導體行業圈)