HBM5基礎晶片製程升至2奈米，目標是在性能上達到HBM4E的兩倍，單瓦性能提升20%，同時將熱阻降低20%，預計2028年量產。全新架構的zHBM，目標性能為HBM4E的8倍，單瓦性能提升3倍，熱阻降幅達75%至90%，預計在2029年之後推出。 三星電子在SEMICON Taiwan 2026上披露了新一代高帶寬記憶體器（HBM）及下一代記憶體架構的詳細技術路線圖，涵蓋HBM5、zHBM及zNAND-O等多項前沿技術，顯示出這家韓國記憶體巨頭在AI基礎設施記憶體市場的長期佈局意圖。 三星記憶體產品規劃企業副總裁Jangseok Choi在9月1日的活動上表示，HBM5的目標是在性能上達到HBM4E的兩倍，單瓦性能提升20%，同時將熱阻降低20%。此前三星已於8月的Hot Chips 2026上透露了部分相關進展。 三星同時宣佈正在開發全新架構的zHBM，目標性能為HBM4E的8倍，單瓦性能提升3倍，熱阻降幅達75%至90%。

HBM的競爭，正在從"誰堆得更高、誰跑得更快"，升級為一場更深層次的"軍備競賽"——三星要把2nm GAA工藝塞進記憶體，SK海力士把基底晶片交給台積電3nm代工，美光則把HBM4E定義為"定製HBM時代的開端"。一個更深刻的轉變正在發生：記憶體廠商與邏輯晶片廠商的邊界，正在模糊。 開篇：當記憶體開始"定製" 過去，HBM是一個"標準品"——三大廠按照JEDEC標準生產，誰參數高、良率好，誰就贏。但從HBM4開始，遊戲規則變了：基礎晶片（邏輯裸片）開始採用代工廠級邏輯工藝，可以承載客戶定製的邏輯電路。 這意味著，輝達的HBM4和AMD的HBM4，在物理結構上將是不同的產品。記憶體晶片，這個曾經最"標準化"的半導體品類，正在走向"半定製"。

🔷HBM4到HBM8演進路線曝光 🔷TSV、先進封裝、近存計算開啟AI儲存新時代 AI大模型的競爭，正在進入一個全新的戰場。 過去幾年，我們關注更多的是GPU算力、先進製程和晶片架構，但隨著ChatGPT、LLM等AI應用規模不斷擴大，一個隱藏在晶片背後的關鍵技術正在成為決定未來算力上限的核心——HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬儲存器）。

三星官方首次明確披露HBM5核心技術路線：下一代高帶寬內存將採用GAA架構2奈米製程，速度較HBM4E提升逾50%，電力效率同步大幅躍升。三星還透露已拿下特斯拉車規級2奈米訂單，並持續獲AI及雲服務商追單——這是三星能否在HBM市場重奪競爭主導權的關鍵信號。 三星電子正式披露下一代高帶寬內存HBM5的核心技術路線，確認將在基礎晶片上引入採用GAA架構的2奈米製程，目標是將速度較HBM4E提升50%以上，同時大幅改善電力效率。 上述資訊來自三星半導體官方新聞室於7月27日發佈的一篇專訪文章，受訪者為三星電子半導體部門代工事業部技術開發室負責人、副社長具子勳。這是三星迄今最為明確地對外闡述HBM5技術規格與製程路線圖，標誌著AI晶片軍備競賽中內存與邏輯製程的深度融合進入新階段。對於正密切關注三星能否在HBM市場重奪競爭優勢的投資者而言，此次披露提供了重要的技術進展信號。 三星同時透露，其代工部門已於去年下半年啓動2奈米第一代工藝量產，並計劃於今年下半年開始量產性能與良率進一步提升的2奈米第二代工藝，應用於移動端新產品。此外，三星還披露已獲得特斯拉車規級2奈米產品訂單，並持續獲得多家AI/HPC及雲服務商大客戶的追加訂單。

"過去十年，半導體行業靠堆電晶體贏得市場。下一個十年，靠什麼？靠把熱量帶走的能力。" 這句話放在兩年前，會被當作危言聳聽。但在剛剛結束的Computex 2026上，三星、SK海力士、美光同時亮出各自的散熱技術牌，這個行業的答案已經不言而喻。 為什麼現在？為什麼是HBM5？ 🔵 聚焦：數字會說話

三星電子在Computex 2026展會上首次公開第八代高頻寬儲存器HBM5原型，展現出搶佔下一代HBM技術制高點的意志，標誌著這家韓國晶片巨頭在AI儲存市場的產品佈局持續提速。在儲存價格全面走高的背景下，市場對韓國儲存廠商今年盈利的預期已大幅上調。 三星電子首席技術官（CTO）Song Jaehyuk於2日在台灣台北舉行的“Computex 2026”三星顯示展台接受採訪時表示，“人工智慧（AI）技術並非單一技術，涵蓋儲存、封裝以及熱管理在內的整個系統最佳化至關重要。”他稱，“三星作為同時擁有儲存和晶圓代工（半導體委託生產）的綜合半導體企業（Integrated Device Manufacturer），具備最佳化整體系統的優勢。”並表示，“將通過這一優勢滿足包括輝達在內的最終客戶需求。” 三星電子此次展會首次正式公開HBM5模型，並介紹了將首次應用於HBM5的核心熱管理技術“HPB（Heat Path Block）”結構，三星電子計畫在HBM5中率先採用由自家晶圓代工2奈米（1奈米=十億分之一米）工藝製造的基礎裸片。 Song Jaehyuk表示：“在HBM5中，為最佳化基礎裸片，將引入2奈米尖端工藝。”他稱，“公司正準備滿足市場所要求的頻寬和電力效率。”他還表示：“自引入環繞柵極（GAA）技術以來，過去3至4年積累的研發成果正得到良好體現，將借此實現差異化競爭力。”