三星目標價上調50%，海力士目標價上調94%。高盛記憶體研報，數字大得有點誇張了。
他們直接把傳統DRAM在26年的ASP漲幅從200%+拉到了316%，NAND從180%+拉到了256%。而且不只是26年好，缺口預測一直拉到28年——5.9%、4.6%、5.4%，逐年擴大。
史上最短的儲存周期，最短也有過兩年。但這次高盛說，缺口要持續到2028年。
我研究了一下他們列的三個核心差異，確實跟2017年那輪周期不一樣。
伺服器佔DRAM需求（2017年）16%
伺服器佔DRAM需求（26年預計）50%
伺服器佔DRAM需求（28年預計）60%
伺服器記憶體市場規模60億美元→4490億美元（7.4倍）
HBM TAM（26/27/28年）560億/1160億/1680億美元
第一，需求端完全不同。2017年靠的是雲端運算資料中心擴張，當時伺服器佔DRAM需求才16%。現在呢？26年預計到50%，28年要到60%。伺服器記憶體市場規模從60億美元變成了4490億美元，7.4倍。
而且HBM成了AI的核心瓶頸。高盛預測26年HBM TAM 560億美元，27年翻倍到1160億，28年到1680億。智能體AI推動全球token消費到2030年增長24倍，這個記憶體需求不是吹的，是真金白銀在燒。
傳統DRAM產能CAGR（2017-2018）12%
傳統DRAM產能CAGR（2026-2030預計）7-8%
HBM消耗晶圓 vs 傳統DRAM3-4倍
新增潔淨室分配給HBM30%
第二，供給端也被卡死了。三大廠商2017-2018年傳統DRAM產能CAGR是12%，這回2026-2030年預計只有7-8%。HBM消耗的晶圓是傳統DRAM的3-4倍，新增潔淨室30%要分配給HBM，傳統記憶體的產能更少了。
建一個晶圓廠至少要3年才能量產，遠水解不了近渴。
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第三點我比較意外——長期協議LTA。客戶為了鎖定產能，主動簽協議，包含大額預付款、違約罰金、保底價格。
三星已經跟多家客戶簽了最終合同，價格區間靈活但底部大幅提高。海力士產能緊張到連LTA都滿足不了。閃迪更猛，5份新合同覆蓋27年三分之一的產能，目標是覆蓋50%。
矽片行業已經驗證過，LTA普及之後利潤率穩定性大幅提升。儲存這個強周期行業，真要往弱周期轉型了。
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三星目標價（原→新）32萬→48萬韓元（+60%）
三星26年EPS上調+6%
三星ROE（26年）52% 歷史最高
三星HBM收入（26/27年）180億/440億美元
海力士目標價（原→新）180萬→350萬韓元（+94%）
海力士ROE（26年）95%
海力士HBM收入（26/27年）250億/470億美元
海力士DRAM/HBM OPM（26年）83% / 79%
高盛把三星目標價從32萬韓元上調到48萬韓元，60%上漲空間。26年EPS上調6%，ROE達到52%歷史最高。HBM收入26年180億美元，27年440億美元。
海力士更狠，目標價從180萬直接拉到350萬，上調94%。估值從PB切換到了PE，26年ROE高達95%。作為HBM龍頭，26年HBM收入250億美元，27年470億美元，DRAM OPM幹到83%，HBM OPM 79%。
兩家公司當前都是中個位數市盈率。高盛說如果高盈利被驗證，估值可以向20倍PE的高壁壘科技股靠攏。
我自己的看法——這輪儲存周期確實有跟以前不同的底層邏輯。AI驅動的需求爆發+供給端的結構性約束+LTA帶來的盈利穩定性，三者共振。高盛的報告資料擺在那裡，方嚮應該沒問題。
但估值能不能從7倍拉到20倍，這是另一回事。市場定價有時很瘋，有時又很吝嗇。值搏率的事，諸位自己掂量。
ps1：鎧俠也上調到買入評級，NAND價格高位更久，7.8倍PE。
ps2：我判斷不了拐點，但這輪周期的長度和強度，確實跟過去任何一輪都不一樣。 (iRich投研助手)