近日，韓國政府正式啟動“超級創新經濟項目”，計畫投入5000億韓元國家資金專項攻關下一代功率半導體技術。若算上民間配套資金，該研發項目總規模預計將膨脹至7500億韓元。
首爾經濟日報報導稱，韓國正將功率半導體定位為堪比儲存晶片的核心戰略產業。
在當地時間6月14日召開的緊急經濟指揮部會議上，韓國副總理兼經濟財政部長官具允哲敲定了該項目細則。韓國政府計畫於本月內最終確定下一代功率半導體的商業化技術路線圖，並要求產業鏈企業參與從材料、器件、模組到系統演示的全周期開發過程。
會議上，下一代功率半導體與小型模組化反應堆（SMR）和感測器人工智慧一起，被視為確保未來增長引擎的重要項目。
具允哲表示，“我們將認真推進結構性改革和超創新經濟項目，以發現第二、第三個半導體等未來增長引擎。”
此次攻關的焦點集中在以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的化合物半導體上。韓國產業通商資源部此前已成立專項工作組，旨在升級釜山、浦項等地的專業園區晶圓廠。
功率半導體作為電能轉換與控制的核心器件，是AI資料中心、新能源汽車、智能電網的關鍵支撐。在AI算力爆發背景下，資料中心海量電力的穩定高效運行高度依賴功率半導體。
相較於傳統的矽基半導體，SiC、GaN等第三代半導體材料在耐高壓、耐高溫及高頻環境下性能表現卓越，被視為提升人工智慧資料中心能效、延長電動汽車續航及穩定國家電網的關鍵零部件。
機構最新研報顯示，功率半導體正迎來景氣上行周期。工銀瑞信基金6月研報指出，受晶圓代工成熟製程產能收縮、AI算力需求爆發雙重驅動，全球功率半導體呈現結構性緊缺，MOSFET、第三代半導體器件價格持續上漲，部分企業年內已二度調價。中信建投同步提到，AI伺服器800V高壓直流、固態變壓器等新應用，正加速拉動高端功率器件需求，SiC/GaN市場進入高增長通道。 (財聯社)