韓國晶片巨頭暴力反攻！
今日早間，韓國股市開盤後，儲存晶片巨頭三星電子大幅拉升，一度暴漲超10%，SK海力士亦大幅走強，大漲超5%。消息面上，此前有報導稱三星電子可能宣佈90兆韓元的股份回購。
與此同時，多家華爾街機構看好半導體行業前景，美國銀行在最新發佈的報告中表示，大幅上調包括英特爾、美光科技在內的多家半導體巨頭的目標股價，理由是AI（人工智慧）相關支出的可見性已清晰延伸至2028年。美銀還將半導體市場的總潛在規模(TAM)預期從此前的2.3兆美元大幅上調至2.7兆美元。
晶片巨頭飆漲
台北時間6月24日早間，韓國股市開盤後，SK海力士、三星電子股價集體走強，截至08:30，漲幅分別為5.09%、9.19%。受此推動，韓國KOSPI指數大漲4.02%。日本股市亦小幅反彈，日經225指數漲0.14%。
然而隔夜美股晶片全線重挫，費城半導體指數大跌超7%，成分股悉數收跌，美光科技暴跌超13%，安森美半導體暴跌超11%，Arm大跌超10%，應用材料、德州儀器、高通大跌超8%，艾斯摩爾ADR、恩智浦大跌超7%，台積電ADR、英特爾大跌超6%。
消息面上，據《韓國經濟日報》報導，SK海力士周三或就其計畫的美國存托憑證(ADR)上市向韓國金融監督院提交證券註冊聲明。SK海力士預計金融監督院最早將於7月3日完成檔案稽核；其ADR預計可能在7月完成上市。
另據韓國媒體最新報導，三星電子正在HBM4賽道上全力提速。據韓聯社報導，三星電子HBM4營收已超過10億美元，成為業內首個在量產後四個月內達到這一里程碑的公司，按6月底預測，這一數字有望進一步突破12億美元。
TrendForce指出，三星電子在HBM4上的技術優勢來自於底層晶片採用4nm FinFET製程節點，其認證時間線領先於競爭對手。受益於此，三星電子全年HBM4出貨量預測已從3500億Gb小幅上調至4000億Gb。
報導稱，相比之下，SK海力士則在放緩HBM4產能爬坡節奏，並削減部分原定從HBM3E升級至HBM4的產線轉換計畫。該公司認為，在HBM市場已佔據強勢地位的情況下，沒有必要激進押注下一代產品擴產。
SK海力士放緩HBM4擴產的核心邏輯，在於對利潤率的主動管理。據韓媒Chosun.biz報導，HBM業務目前已佔該公司總營收逾40%，在現有市場地位穩固的前提下，繼續大規模投入HBM4擴產的邊際收益有限。
普通DRAM市場的盈利前景正變得愈發吸引人。分析師預計，DRAM營運利潤率有望在年內接近90%的理論峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售價已環比上漲約60%，公司表示，將重點聚焦高密度伺服器模組及移動端需求。此外，該公司與微軟簽訂的三年期DDR5供應協議，也被市場普遍視為強化了其在普通DRAM領域的長期盈利能見度。
在產能規劃層面，據TrendForce，SK海力士HBM4大規模量產時間節點已推遲，有效放量預計將延至2026年第三季度。受此影響，其全年HBM4出貨量預測從4500億Gb下調至4000億Gb。
美銀：大幅上調
美國銀行在最新發佈的報告中表示，大幅上調包括英特爾、美光科技等在內的多家半導體公司的目標股價，理由是人工智慧相關支出的可見性已清晰延伸至2028年。
在報告中，美銀還對晶圓製造裝置(WFE)的支出預測做出了顯著上調，將2029年、2030年的WFE預測分別上調至2680億美元(+7%)、2920億美元(+9%)。
美銀在報告中給出了以下三大理由：
1.潔淨室可用性提高。隨著全球晶圓廠建設逐步推進，此前制約產能擴張的潔淨室瓶頸正在緩解，為裝置安裝提供了更充裕的空間。
2.儲存器長期協議(LTA)帶來的高能見度。儲存晶片廠商與下遊客戶簽訂的長期供應協議，為資本支出決策提供了前所未有的確定性，使得裝置採購計畫能夠提前鎖定。
3.關鍵技術轉折點推高每片晶圓的WFE強度。 在儲存器和邏輯器件的周期性升級中，先進製程對裝置的需求密度持續攀升。
美銀還指出，英特爾和三星在先進晶圓代工與邏輯器件產能上的進展，以及Terafab項目的潛在貢獻，均為行業注入了強心針。
值得注意的是，美銀並非唯一看好WFE前景的投行。摩根大通此前已將2026年全球WFE增長預測從21%上調至28%，預計2027年進一步增長29%，2028年仍將保持16%的增長。富國銀行也同步上調了2027年和2028年的WFE預測。
美銀在此次報告中還將半導體市場的總潛在規模(TAM)預期從此前的2.3兆美元大幅上調至2.7兆美元，意味著2025年至2030年間行業復合年增長率將達到28%。 (券商中國)