集邦諮詢（TrendForce）報導，英特爾正以美國新墨西哥州里奧蘭喬工廠為核心載體，推進玻璃基板與矽光子學技術的深度整合，建構面向下一代的光學輸入輸出（Optical I/O）系統，目標在 2030 年前後實現商業化落地，為 AI 基礎設施提供更高頻寬、更低功耗的互連方案。
從矽光子代工到玻璃基板量產
根據披露的技術規劃，英特爾的里奧蘭喬工廠將承擔雙重戰略角色：一方面，該基地已率先向外部晶圓代工客戶開放矽光子學製造服務，提供矽光子工藝設計套件（PDK）及量產代工能力，成為英特爾佈局光電整合領域的對外服務窗口；另一方面，這裡有望成為全球首個玻璃基板規模化量產基地，承接試驗線驗證完成後的量產爬坡任務。
目前，英特爾已完成玻璃基板與共封裝光學（Co-packaged Optics, CPO）結合的原型驗證，這也是行業內首次將兩大前沿封裝技術實現整合演示。集邦諮詢預計，該技術路線的商業化窗口將落在 2030 年前後。
下一代光 I/O 系統架構
英特爾提出的下一代光學 I/O 系統採用分層異構整合架構，從底層到上層形成完整技術鏈。
計算與記憶體層：作為算力核心，整合 GPU/AI 專用 ASIC、HBM 高頻寬記憶體、交換 I/O 專用晶片，是高速資料互動的源頭。
先進封裝層：採用芯粒（Chiplet）異構整合方案，通過微凸塊、混合鍵合等技術實現多晶片的高密度互聯，重分佈層（RDL）與銅銅鍵合提供晶片間的高速電訊號通路，是當前 2.5D/3D 封裝的核心路徑。
矽光子光 I/O 引擎層：這是整個系統實現 “電轉光” 的核心單元。該光學 I/O 芯粒整合了調製器、光電探測器、波導、光柵、多模干涉儀（MMI）等光子器件，以及雷射器、驅動晶片、跨阻放大器（TIA）等配套電路，將電訊號轉換為光訊號，突破銅線互連的頻寬與功耗瓶頸。
玻璃基板層：作為整個封裝的核心承載基底，玻璃核心基板具備超低損耗、低熱膨脹係數（Low-CTE）、超高表面平整度的特性，同時支援玻璃通孔（TGV）實現高密度垂直互連，為上層的計算、記憶體與光引擎提供穩定的物理支撐與訊號通路。
光纖 I/O 與連接層：通過光纖陣列、光纖帶與高密度光連接器，將封裝內的光訊號引出至外部網路，實現封裝級到系統級的全光互連，支撐 AI 叢集的大規模組網需求。
玻璃基板是破解大尺寸封裝瓶頸的核心
傳統有機基板（以 ABF 載板為代表）在 AI 大晶片封裝場景下，已逐漸暴露出翹曲變形、尺寸穩定性不足、互連密度觸頂等問題。玻璃基板憑藉材料本身的物理特性，成為突破這一瓶頸的核心替代方案，其技術優勢主要體現在五個維度：
- 更優的訊號完整性：玻璃材料的介電損耗更低，高速電訊號與光訊號傳輸過程中的損耗更小、傳輸更平滑，能夠支撐更高的訊號速率，滿足 1.6T 及以上單通道頻寬的傳輸需求。
- 熱與尺寸穩定性：玻璃的熱膨脹係數與矽材料更為匹配，在封裝回流焊與工作溫度變化過程中，尺寸形變更小，有效解決大尺寸封裝的翹曲難題，提升封裝良率與長期可靠性。
- 更高的互連密度：玻璃表面平整度更高，支援更細的布線線寬與線距，可實現更密集的布線與更多的 I/O 介面，為先進封裝提供更高的整合空間。
- 出色的平整度與良率：玻璃基板的表面平整度遠優於有機基板，能夠支援更大尺寸的封裝設計，同時提升良率與長期工作的可靠性。
- 可持續潛力：玻璃是可回收、環境友好度更高的材料，符合半導體產業綠色低碳的發展趨勢。
行業資料顯示，玻璃基板的互連密度相比傳統有機基板最高可提升 10 倍，是支撐未來單封裝整合兆電晶體目標的關鍵技術底座。
玻璃基板 + 矽光子的核心價值
這套玻璃基板 + 矽光子的技術組合核心價值體現在五個方面。
第一是超高頻寬：單通道可支援 1.6T 以上的傳輸速率，突破傳統銅互連的頻寬上限，滿足 AI 叢集海量資料互動需求；
第二是更低功耗：大幅降低電互連帶來的功耗損耗，光電轉換環節更貼近計算晶片，系統能效比顯著提升；
第三是更好的熱管理：玻璃基板的熱穩定性與尺寸一致性，支援更高功率密度的封裝設計，緩解 AI 大晶片的散熱壓力；
第四是更高可靠性與良率：更低的翹曲與形變風險，提升封裝良率與產品長期工作穩定性；
第五是可擴展的光 I/O 能力：CPO 與玻璃基板的組合，支援光 I/O 的規模化擴容與靈活部署，適配 AI 訓練叢集的縱向擴容與橫向擴展。
玻璃基板已成為全球半導體產業共同押注的下一代封裝技術方向。除英特爾外，台積電的 CoPoS 玻璃面板封裝技術已進入試產驗證階段，預計 2028-2029 年實現規模化量產；韓國 SKC 旗下 Absolics 的玻璃基板產線也將於 2026 年底啟動商業化量產；國內廠商也在材料、工藝層面加速佈局。 (銳芯聞)