全球三大儲存晶片廠商三星電子（005930.KS）、SK海力士（000660.KS）和美光科技（MU.US）正面臨一樁美國聯邦反壟斷集體訴訟。原告指控三家公司在人工智慧引發的”記憶體荒”中合謀限制傳統DRAM供應、抬高價格，進一步加劇了當前席捲電子產業的記憶體短缺危機。
該案於6月25日提交至加州北區聯邦地區法院，案號3:26-cv-06345，由法官Noel Wise審理，首席原告為Marc Garciaguirre。原告共17名，包括14名個人消費者，以及Troy’s Computers、JB Tech Solutions和WNTD Fab三家小型電腦零售及組裝企業。原告由Bathaee Dunne律所代理——該所此前曾在一樁針對Google數字廣告業務的反壟斷案中勝訴。
訴狀援引《謝爾曼法》第一條，指控三家公司自2022年起協同控制DRAM的供應與定價。原告稱，當年市場需求疲軟促使三家廠商開始聯手削減產能，並集體將業務重心轉向用於AI加速器的高頻寬記憶體（HBM），同時逐步退出DDR3、DDR4等傳統儲存產品，從而在價格飆升期間進一步壓縮了傳統DRAM的市場供給。訴狀稱，過去四年間DRAM價格累計上漲約700%。
三家公司合計掌控全球約90%的DRAM市場。原告主張，被告以”轉向HBM擴產”為藉口實施減產，實為人為製造稀缺、操縱價格的幌子。原告請求法院發佈禁令，叫停所謂的協同限供行為，並依據反壟斷法判令三家公司支付三倍損害賠償，同時承擔訴訟費與律師費，原告並要求陪審團審理。上述指控目前均為單方主張，尚未經法院認定。
訴狀將矛頭與近期消費電子漲價直接掛鉤，特別提及蘋果對iPad和Mac產品的大幅提價。在AI資料中心對記憶體的需求激增背景下，儲存廠商正把大部分晶圓產能傾斜至利潤更高的HBM。市場研究機構資料顯示，2026年HBM將佔用約23%的DRAM晶圓產能，高於上年的19%；今年一季度DRAM價格環比一度跳漲約90%。
此次訴訟勾起了業界對二十多年前那樁反壟斷舊案的記憶。在美國司法部2000年代初發起的DRAM價格操縱調查中，三星電子與海力士半導體（SK海力士前身）於2005年認罪，分別被處以約3億美元和1.85億美元罰款，部分高管入獄；美光則因配合調查而免於處罰。原告認為，當前的價格暴漲是那一輪合謀的”重演”。
三星、SK海力士和美光均未就此案立即置評，三家公司的應訴律師資訊暫未披露。三家廠商此前一再表示，當前短缺源於AI需求的結構性激增，並稱正通過新建晶圓廠和產線擴大供給。受惠於AI記憶體的火爆，三星半導體部門一季度營業利潤達53.7兆韓元，佔其總利潤的逾九成。
投行Jefferies等機構則認為，該訴訟短期內難以撼動記憶體價格走勢，預計至少在今年底前不會對市場構成實質影響。 (美股財經社)