是的，台積電將匯入玻璃中介層，而可能不是玻璃芯基板。
台積電將在2029年開始由硅中介層轉向加碼量產CoPoS 大玻璃中介層，在之前的文章中我也反覆強調。
知名半導體分析師陸行之表示，台積電對於幫助大晶片客戶採用玻璃中介層取得矽中介層，2029年由圓轉方加速擴張CoPoS產能是未來10年不得不為的重大決定，CoWoS 擴產將於2029年趨緩，一些技術問題克服後，2029年加速CoPoS擴產，CoPoS量產後，英特爾EMIB 就沒有優勢。昨晚喝酒我也在朋友圈逼逼。“台積電CoPoS商標已經註冊：暗黑風格的面板級封裝取代紅色標誌的CoWoS，指出，CopOS將成為一個公共概念，你們誰用勞資不管了，但是用TSMC COPOS，所有的專利都在我這：由於英特爾玻璃芯上的專利都被鎖死，台積電不大可能走玻璃芯堆疊20+ABF的路線（中國大陸所有走這條路線的廠商可能將面臨英特爾的專利追責或者其授權使用），所以，台積電最終走的是玻璃中介層的路線，不管是基板還是PCB是不是始終玻璃基板（都可能將面臨中國大陸的追責和授權）”。
要知道，美國所有的AI設計公司都在預研發玻璃基板，通過全球合作的供應鏈模式自上而下研發對接每一道具體的工序。中國大陸明顯處於落後的狀態，從大晶片製程到先進封裝明確將中國所有的供應鏈排除在外，尤其是日本和台灣的2nm以下的製造公司不採納大陸的任何成分。玻璃基板量產從2026到2030年開始。第一代玻璃基大晶片從2027年年底開始小部分供貨，2028需要整個供應鏈的所有細分工藝必須穩定適合量產的節奏，2030年全面取代有機基板。台積電面板級中介層從2029年匯入量產。競爭對手都在玻璃芯基板上內卷時，台積電就深刻瞭解到玻璃中介層的高密度性功能的附加值。
陸行之指出，當台積電AI GPU客戶輝達、AMD，以及AI ASIC/TPU客戶亞馬遜、Google、Meta和微軟為了追求更高算力從2028年開始推疊邏輯電晶體及12顆HBM4E儲存記憶體，甚至20-24顆HBM5E儲存記憶體，一片12吋晶圓能切出8片的5.5x reticle size (70mmx70mm=4,900mm2)晶片大小所需要的矽中介層（Silicon Interposer)，將只能切出5片9x reticle size (90mm x 90mm=8,100mm2) 晶片大小的矽中介層，甚至4片14x reticle size (110mm x 110mm=12,100mm2)的硅中介層。
這意思是什麼。指假設台積電客戶全面推出新一代9x/14x reticle size 的晶片產品，即使數量不變，台積電硅中介層的產能會立刻減少40-50%，如果再考量良率因素，硅中介層產能減少50%或以上，9x/14x reticle size 的矽中介層漲價一倍是非常合理的。因為這個結構性變化，台積電對於幫助大晶片客戶採用玻璃中介層取得硅中介層，於2029年由圓轉方加速擴張CoPoS產能及量產CoPoS 將是台積電未來10年不得不為的重大決定。
以其假設基礎來分析，CoWoS 擴產將於2029年趨緩，預估台積電加上委外協力CoWoS產能在2026年底將倍增達每月20萬片，明年年增40%達28萬片，2028年年增27%達36萬片，2029-2032年產能擴充趨緩。
目前一些技術問題克服後，台積電將於2029年加速CoPoS擴產。預估台積電將於2028年小幅量產CoPoS 並於2029年加速擴產年底達每月1.2萬片產能，2030年年增241%達每月3萬片產能，2031年年增177%達每月5.3萬片產能，目前假設CoPoS 是將基底從12吋晶圓轉換成550mm x 550mm 方形玻璃基板（Glass Substrate），並康寧的玻璃材料技術及產業鏈的玻璃穿孔TGV技術能持續突破才能跟TSV技術匹配。 (赤潮詩社)