英特爾EMIB封裝良率飆90％台積電先進封裝CoWoS產能供不應求，市場開始尋找替代方案，外媒指出，英特爾推出EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）封裝技術近期取得突破，良率已高達90%，Google、輝達、Meta等均為潛在客戶。科技媒體《Wccftech》①　英特爾EMIB技術被視為台積電CoWoS的替代選項之一，已吸引多家大廠採用，包括Google將用於下一代TPU晶片，輝達也計畫於新一代Feynman晶片中匯入。②　廣發證券科技研究部分析師Jeff Pu：a）英特爾EMIB項目進展順利，初步觀察結果正面。b）EMIB良率已達90%，對英特爾晶圓代工業務形成重要支撐，也強化代工佈局的信心。c）Meta也為EMIB客戶之一，合作聚焦於預計2028年底推出的CPU產品，仍待進一步資訊釋出。③　英特爾持續強化EMIB技術優勢，主打提升良率、降低功耗與成本，並支援更大規模的「混合節點」系統設計。④　EMIB主要分為EMIB-M與EMIB-T兩種架構：a）EMIB-M透過匯入MIM電容設計的矽橋接電路，有效降低噪聲，提升電力傳輸效率與訊號完整性。b）儘管MIM電容成本略高於傳統MOM電容，但具備更高穩定性與更低漏電特性⑤　製程架構：a）EMIB-M透過晶片組打造高密度3D結構，藉由橋接器提供高頻寬互連，電源則繞過橋接器傳輸，提升整體效能與效率。 科技業資本支出上看1兆美元華爾街預估全球大型科技公司資本支出有望在2027年突破1兆美元，雲端與AI基礎設施建設已進入加速期，帶動整體科技產業進入新一輪「資本支出超級循環」。①　大手筆的投入雖引發投資人的質疑，但隨著估值和市值的飆升，也看到了投資轉化為收入的正面影響。②　投行Evercore和美國銀行皆認為，全球大型科技資本支出2027年將突破1兆美元，預測2026年支出8,000~9,000億美元。a）Evercore：AI基礎設施不只需要GPU，也需要CPU，CPU需求在未來幾年完全復甦。③　美國銀行預測大型科技資本支出：a）Google母公司Alphabet上修至1,850億美元。b）亞馬遜提高至2,000億美元。c）Meta上調8％至1,350億美元。d）微軟飆漲24％至1,900億美元，微軟的2026財年到6月底為止，7月開始將邁入2027財年。④　亞馬遜CEOAndy Jassy：對正在進行的長期資本支出投資充滿信心。⑤　Alphabet財務長Anat Ashkenazi：第一季雲端運算營收年增63％，推動股價上漲約10％，因此增加資本支出計畫以滿足強勁的需求。⑥　傑富瑞（Jefferies）分析師：a）資本支出持續攀升，但投資報酬率已從約2兆美元的積壓訂單以及加速成長的雲端業務中顯現。b）儘管投資AI基建，企業仍能維持穩定的毛利率，顯示營運支出紀律。c）Alphabet的獲利前景最佳，訂單積壓量較上季近翻倍、達到4,620億美元。d）Meta自由現金流一直在減少，從去年同期的260億美元降至第一季的12億美元。矽品買廠 擴產CoW製程①　日月光投控旗下矽品繼先前買下聯合再生、群創廠房之後，30日又分別以43.2億元和64.8億元，再買下彩晶和精金位於南科的廠房，總計已砸下近200億元買下竹南和南科共計四座廠房，以因應未來先進封裝強勁需求。②　矽品接下CoWoS 產能中CoW製程訂單，以中科廠及虎尾廠為生產重心，今年也持續全力擴產。 (匠芯耕耘 鉅淮讀報)

台積電先進封裝CoWoS 產能供不應求，英特爾提供的 EMIB封裝技術正受到關注。 外媒指出，英特爾的關鍵EMIB技術實現驚人的良率，良率達90%，顯示其已準備好在即將到來的AI資料中心晶片中得到應用。科技媒體《Wccftech》報導，英特爾EMIB封裝技術被視為台積電CoWoS的替代方案。 英特爾的先進封裝技術將被Google用於其下一代TPU晶片，輝達也將其用於其下一代Feynman晶片。 GF證券科技研究部的分析師Jeff Pu分享他對EMIB項目進展的一些見解，初步印象非常好。Jeff Pu透露，英特爾的EMIB良率已達到90%，這對該公司的晶圓代工業務來說無疑是個好消息，也解釋了為何目前外界對英特爾晶圓代工充滿信心。 Meta也是EMIB的客戶之一，不過雙方的合作計畫是圍繞著2028年底推出的CPU展開，還需要一段時間才能獲得更多相關資訊。同時，英特爾並未停止宣傳其EMIB技術的優勢，強調EMIB的許多優點，包括：提高良率、降低功耗、降低成本，以及使更大規模的「混合節點」系統成為現實。報導說，目前EMIB技術主要有兩種：EMIB-M和EMIB-T。 EMIB-M橋接電路的設計旨在提高效率，其矽橋接電路中採用MIM電容，通過最大程度地降低噪聲來增強功率傳輸和電路完整性。 雖然MIM電容的成本略高於金屬-氧化物-金屬（MOM）電容，但它具有更高的穩定性和更低的漏電。 (大話晶片)

EMIB-T脫穎而出。英特爾在電子元件技術大會(ECTC) 上揭露了多項晶片封裝技術突破，概述了多種新型晶片封裝技術的優勢。我們採訪了英特爾院士兼基板封裝開發副總裁Rahul Manepalli 博士，深入瞭解了其中三種新型封裝技術：EMIB-T，用於提升晶片封裝尺寸和供電能力，以支援HBM4/4e 等新技術；一種全新的分散式散熱器設計；以及一種全新的快速鍵結技術，可提高可靠性和良率，並支援更精細的晶片間連接。英特爾也參與了此次大會上發表的另外17 篇新論文的發表。圖片來源：Tom's Hardware英特爾代工廠旨在利用尖端製程節點技術，為英特爾內部和外部公司生產晶片。然而，現代處理器越來越多地採用複雜的異構設計，將多種類型的運算和記憶體元件整合到單一晶片封裝中，從而提升效能、成本和能源效率。這些晶片設計依賴日益複雜的先進封裝技術，而這些技術是異質設計的基石。因此，為了與台積電等競爭對手保持同步，英特爾必須持續發展。英特爾的新型EMIB-T 最初 於上個月的英特爾Direct Connect 活動上發佈，它將矽通孔(TSV) 融入其已經廣泛使用的EMIB 技術中——一種嵌入封裝基板的矽橋，可在晶片/裸片之間提供通訊和電源管道。EMIB 的下一代技術提升了關鍵的封裝供電效率指標，並加快了晶片間通訊速度。 EMIB-T 可用於更有效地為計算和記憶體元件供電——標準EMIB 連接由於採用懸臂式供電路徑而存在高電壓降問題，而EMIB-T 利用TSV 從晶片封裝底部通過TSV 橋接晶片進行供電，從而實現了直接、低電阻的供電路徑，這對於HBM4/4e 整合至關重要。當然，TSV 的使用也提升了晶片間的通訊頻寬，從而能夠整合高速HBM4/4e 記憶體封裝，並使用UCIe-A 互連技術，將資料傳輸速率提升至32 Gb/s 或更高。透過同一介面傳輸電源和訊號會在訊號路徑中引入“雜訊”，但英特爾在橋接器中整合了高功率MIM 電容器，有助於確保通訊訊號的一致性。EMIB-T 還能實現更大的晶片封裝尺寸，達到120x180 毫米，並在單一大型晶片封裝中支援超過38 個橋接器和超過12 個矩形大小的晶片。此外，第一代EMIB 實現了55 微米的凸塊間距（這是一個關鍵的互連密度指標），而第二代EMIB 則縮小至45 微米間距。英特爾的論文展示了一種間距為45 微米的EMIB-T 設計，但指出新技術支援「遠低於」45 微米的間距，並表示將很快支援35 微米間距，並且25 微米間距的間距正在開發中。英特爾尚未公佈皮焦/位元(pJ/bit) 的功率效率指標。 EMIB-T 也相容於有機或玻璃基板，其中玻璃基板是英特爾未來晶片封裝業務的關鍵策略方向。人工智慧革命正在將晶片封裝尺寸推向新的高度，隨之而來的是功耗的增加，帶來了棘手的散熱挑戰。英特爾也揭露了一種全新的分解式散熱器技術，該技術將散熱器分解成平板和加強筋，以改善散熱器與位於散熱器和底層晶片之間的熱介面材料(TIM) 之間的耦合。除其他優勢外，該技術還有助於將TIM 耦合焊料中的空隙減少25%。英特爾的圖示展示了一個整合微通道的散熱器，液體可直接通過IHS冷卻處理器，就像我們在Direct Connect活動上看到的一樣。雖然論文重點討論了將散熱器拆分成多個部分的影響，但這項技術可以冷卻TDP高達1000W的處理器封裝，凸顯了英特爾正在從多個角度解決晶片冷卻問題。英特爾在其伺服器和消費產品中都採用了熱壓黏合技術；然而，它現在已經開發出一種專門針對大型封裝基板的新型熱壓黏合工藝，有助於克服黏合過程中的晶片和基板翹曲。這項新技術最大限度地減少了鍵合過程中封裝基板和晶片之間的熱差，從而提高了良率和可靠性指標，並實現了比目前大批次生產中更大的晶片封裝。它還能實現更精細的EMIB連接間距，有助於從EMIB-T技術中搾取更高的密度。擁有一套完善且具競爭力的封裝技術對於英特爾代工廠至關重要，因為它致力於為客戶提供儘可能全面的晶片生產選擇。先進的晶片封裝技術使客戶能夠將來自多家供應商的不同類型的晶片（例如CPU、GPU 和記憶體）整合到單一封裝中，從而降低所有元件完全過渡到英特爾製程節點的風險。事實上，英特爾也為完全不使用任何英特爾製造元件的晶片提供封裝服務，這有助於其晶片製造服務與潛在的新客戶建立關係。晶片封裝也已成為英特爾外部客戶的領先服務之一，目前這些客戶包括AWS、思科等產業巨頭，以及美國政府的RAMP-C和SHIP專案。這些封裝合約是英特爾代工廠創造收入的最快途徑，因為生產採用尖端製程節點的晶片需要更長的交付周期。（半導體產業觀察）