當地時間7月3日，鎧俠宣佈，其第十代BiCS FLASH 3D NAND晶片已送樣。
據日經新聞報導，鎧俠預計在2027年啟動量產。
第十代NAND是鎧俠迄今技術規格最高的快閃記憶體產品，將應用於資料中心的固態硬碟產品線中，以滿足日益增長的AI儲存需求，並將採用鎧俠位於日本岩手縣北上工廠Fab2的先進裝置進行生產。
鎧俠介紹，通過利用CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術以及OPS（間距選擇柵極漏極）技術，新產品實現了4.8Gb/s的NAND介面速度。與第八代產品相比，性能提升了33%；通過堆疊332層並提高橫向密度，新產品位密度提高了59%（產品密度是指產品內部儲存晶片的密度，而非終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量）；此外，寫入和讀取的功耗效率分別提高了18%和30%，有助於降低資料中心和企業基礎設施的能耗。
鎧俠5月15日發佈財報指引稱，受AI產業普及帶動，資料中心儲存需求將持續高景氣，公司預計2026財年第二季度（4-6月）合併營業收入同比大幅增長410%，至1.75兆日元；合併營業利潤同比暴漲2791%，達到1.298兆日元；合併淨利潤同比飆升4649%，錄得8690億日元，營收、營業利潤、淨利潤三項指標均將刷新歷史紀錄。
針對NAND快閃記憶體行業前景，鎧俠判斷：2026年行業增速預計為15%-19%，到2027年市場將進入供不應求的階段。
在6月25日的股東大會上，鎧俠總裁兼CEO Hiroo Ota表示，收到了許多客戶希望簽訂長期協議（LTA）的請求，NAND快閃記憶體業務的核心是AI，尤其受益於推理AI，隨著AI智能體的興起以及AI技術在機器人等領域的應用普及，快閃記憶體市場的擴張空間將進一步打開。
鎧俠發佈新品的同時，韓國廠商正加緊擴產。
SK海力士7月2日宣佈，計畫在忠清北道清州市投資100兆韓元進行大規模擴產，其中，SK海力士將於明年啟動全新晶圓廠“M17”的建設，預計在2029年前投入80兆韓元（約514.6億美元）用於NAND快閃記憶體晶片生產。
另外，三星電子也計畫在其平澤園區P5工廠新建NAND生產線，潔淨室預計明年完工。若計畫落實，這將是三星自P3工廠以來首次大規模擴充NAND產能。
不過當下，由於消費端需求放緩，機構預計NAND快閃記憶體的漲價幅度可能放緩。
根據TrendForce集邦諮詢最新儲存器價格調查，2026年第三季，NAND Flash主要需求仍由AI推理與大型資料中心建設支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預估整體NAND Flash合約價將季增10-15%，幅度較前幾季明顯縮減。 (財聯社)