三星正在為一款全新的M.2 NVMe Gen 4固態硬碟SSD 990做最後的準備。該產品定位入門級市場，與990 EVO Plus、990 PRO形成差異化佈局。
SSD 990採用無獨立DRAM快取方案，依託主機記憶體緩衝技術提升性能。它搭載三星自研主控晶片，介面為PCIe Gen 4 x4。
與990 EVO Plus最大的區別在於快閃記憶體類型，990大機率使用QLC NAND，而EVO Plus採用TLC NAND。
寫入壽命資料進一步佐證了QLC快閃記憶體的判斷。1TB版本標稱寫入壽命為400 TBW，2TB版本為800 TBW。
作為對比，使用TLC快閃記憶體的990 EVO Plus在耐久性上更勝一籌。保修期也縮短至3年，低於高端型號的5年標準。
性能方面，2TB版本順序讀取速度最高達7250 MB/s，1TB版本最高7150 MB/s，兩款順序寫入速度均為6450 MB/s。
這一速度已進入PCIe Gen 4時代的高端區間，對一款無快取入門級產品而言表現相當亮眼。
EVO Plus提供Gen 4 x4或Gen 5 x2雙介面支援，而SSD 990僅支援Gen 4 x4。兩種容量版本已在部分管道的等待清單中出現。
三星尚未公佈售價與上市時間，但定位入門級的990有望以更具競爭力的價格切入市場。
(硬體世界)