大摩NAND深度 : AI透支供給,消費見頂,長江存儲決定周期拐點

7月2日摩根士丹利發佈《Global NAND Industry Outlook: Diverging Trends》全球NAND行業深度研報,徹底撕開儲存行業割裂現狀:AI 算力瘋狂吞噬快閃記憶體,2027 年供需缺口仍達 9%;手機、PC 消費端庫存高企、漲價乏力,2Q26 已出現砍單。一邊是算力儲存黃金賽道,一邊是傳統儲存持續承壓,同時長江存儲擴產成為 2028 行業最大變數。

供需硬核測算:2026-2027 持續緊缺,AI 吃掉四成快閃記憶體

全球供需資料

全球NAND供需模型

核心增量來自 AI 叢集:AWS Trainium、Meta MTIA、Google TPU、輝達 Blackwell/AMD MI 系列 ,單機架配套 8–64TB 大容量 eSSD;輝達 Vera Rubin 機架配套專用 Boot Drive 啟動盤,單機架需要 32 塊 NVMe SSD,成為主控廠商全新增量市場。

測算顯示:2027 年 AI 相關 NAND 需求同比增速高達 60%,兩年內 AI 儲存需求從 205EB 暴漲至 609EB,接近三倍增幅,全球近一半快閃記憶體供給將供給 AI 算力。

全球AI NAND需求分析

2028 關鍵情景測試:長江存儲決定周期拐點

研報明確,YMTC(長江存儲)是 2028 供需最大搖擺變數:

  • 現狀:Fab4、Fab5 同步建設,單廠規劃 10 萬片 / 月產能,全部投 NAND 的前提下,長期全球市佔可達 24%;
  • 基準情景:YM 產能 310kwpm、AI 需求同比 + 60%,行業仍存 5% 供給缺口,景氣延續;
  • 悲觀情景:YM 激進擴產至 470kwpm,疊加 AI 資本開支放緩,NAND 行業將出現供給過剩,儲存價格進入下行通道。

額外隱藏風險:超高 IOPS 專用 AI SSD 單裝置消耗 3 倍普通 NAND 晶圓,若 2028 大規模量產,會進一步收緊供給。

本輪儲存周期和過去由手機、PC 驅動的短周期完全不同,AI 算力帶來持續性結構性增量,但分化是主旋律。2026–2027 優先佈局繫結雲廠商、具備長協、AI 專用儲存產品的原廠與主控企業;2028 年需要密切跟蹤長江存儲擴產進度與全球 AI 資本開支增速,一旦供給放開,本輪超級周期或將迎來拐點。 (AI深研淺說)