根據最新的公開報導，中國儲存巨頭——長江存儲（YMTC）近期已對美國國防部和商務部提起訴訟，質疑其將該公司列入「中國軍事企業」實體名單的決定。該訴訟於美國時間12月5日在華盛頓聯邦法院提起，請求法官阻止名單的執行並撤銷該認定。據理解，五角大廈於2024年1月將長江存儲列入在美國運營的「中國軍事企業」名單，並在今年稍早重申了該認定。同時，長江存儲也於12月5日對美國商務部提起訴訟，質疑其於2022年被列入另一份限制取得美國技術的機構名單。長江存儲堅稱擁有完善的出口合規體系，並表示美國商務部從未指控其違反美國出口管製法律。除了這次針對美國政府的訴訟，長江存儲近年來積極拿起「法律武器」以維護公司利益來對美國訴訟。其與全球儲存巨頭美光科技（Micron） 的系列糾紛中，體現了長江存儲的韌性與智慧。2023年11月，長江存儲於美國加州法院起訴美光，指控其多代3D NAND產品侵犯了長江存儲的8項專利，要求禁售侵權產品和賠償。截至2025年12月，此案件進入證據開示階段。法院裁定長江存儲的律師及專家可在保護令下，訪問美光73頁涉及最新3D NAND技術的機密檔案。2024年，長江存儲再次對美光提起訴訟，專利侵權指控擴大至11項。目前訴訟仍在進行中。2025年6月，長江存儲對美光提起第三起訴訟，指控其資助並推動針對長江存儲的「抹黑活動」（如散佈安裝後門軟件的謠言），試圖通過不正當手段獲取市場優勢。長江存儲要求美光採取矯正廣告、賠償損失並交出不法獲利。長江存儲近期密集的訴訟行動，遠不止於單一企業的商業糾紛。這是中國半導體產業遭遇技術封鎖和「標籤化」打壓後，進行的系統性、多維度反擊，正在深刻影響整個產業的戰略、規則認知和全球競爭格局。從戰略層面而言，主動起訴美國政府，挑戰「軍事企業」標籤的合法性；並在美、歐、英、德四大司法轄區對美光發起平行訴訟，主動維權；以及在中國首次對美光的專利發起無效挑戰。這些行動標誌著中國科技企業從「規則遵守者」轉向「規則運用者」甚至「規則挑戰者」的轉變。通過法律武器正面回應不公平待遇，為全行業提供了新的應對範式。在規則層面，美方將規則武器化，長江存儲基於規則的反制，正是所謂「以其人之道，還治其人之身」。如美國專利商標局以「國家安全」為由，對長江存儲的專利無效挑戰發起審查，將實體清單邏輯嵌入知識產權體系。同時，對美光「污名化」進行反制，起訴美光資助機構散佈虛假資訊，維護商譽。這揭示了科技競爭已從技術封鎖升級到法律和規則層面的博弈。美國此舉為所有中企的海外知識產權維權設定了「政治合規」新風險，可能迫使企業從「難以維權」轉向「不敢維權」。在產業鏈層面而言，挑戰規則和法律是爭奪市場與話語權的重要手段。長江存儲訴訟直指美光核心產品，影響其市場策略。同時，在專利無效攻防中，長江存儲多項核心專利被裁定有效，證明了自身技術的「硬實力」。因而，對國產半導體產業而言，外部壓力正加速全產業鏈的國產化替代與協同創新，挑戰規則也是自主創新最好的倒逼方式。因此，長江存儲在中美兩地同時發起專利無效挑戰，形成了「你打你的，我打我的」的交叉火力。這顯示中國產業開始更積極地利用本土司法和行政資源進行反制，全球知識產權博弈進入 「主場優勢」互相避險的新階段。同時，長江存儲的主動訴訟，特別是起訴美國政府的行動，為其他被無理列入清單的中國企業提供了可藉鑑的路徑。當然，這也是一種警告──所有尋求全球化的中國科技公司都必須重新評估海外營運的政治與法律復合風險，並加強自身的知識產權佈局與合規體系建設。 （飆叔科技洞察）

“沒想到技術水平提高到這種程度”，競爭對手對於長江存儲科技的新型儲存半導體難掩驚訝。其堆疊層數達到約270層，接近三星電子。長江存儲科技的NAND銷量份額首次超過全球10%。在中美對立背景下，中國的技術正在提升……長江存儲科技的目標是在2026年前實現掌握15%的市場份額（湖北省武漢市）中國在儲存半導體領域的存在感正在增強。在用於長期儲存資料的NAND方面，大型企業長江存儲科技（YMTC）的銷量份額首次超過全球10%。在中美對立的背景下，借助中國政府鼓勵使用本國半導體的優惠政策，長江存儲科技迅速提高了技術實力。目前該公司以中國國內業務為中心，但難免會對鎧俠控股（Kioxia Holdings）等日美韓廠商的經營產生影響。“沒想到技術水平提高到這種程度”，對於長江存儲在2025年2月之前開始量產的新型儲存半導體，競爭對手企業的技術人員難掩驚訝之情。這是因為堆疊層數達到約270層，接近韓國三星電子，使用了與日美韓廠商同等水平的技術。此外，還迅速引進了其他企業尚未採用的降低生產成本的方法。調查公司香港Counterpoint的資料顯示，長江存儲在全球NAND出貨量中所佔的份額在2025年1～3月首次達到10%。2025年7～9月同比增長4個百分點達到13%，份額直逼世界第4位的美國美光科技。以中國品牌的筆記型電腦和智慧型手機為中心，長江存儲的產品獲得的採用正在增加，全年的市場份額有望超過1成。儘管以銷售額計算目前只佔世界的8%，但是Counterpoint的分析師MS Hwang認為，到2027年按銷售額計算也將達到10%。長江存儲的目標是在2026年底之前獲得15%的銷量份額。將在中國武漢市周邊推進工廠投資。目前正在實施的投資完成後，長江存儲將佔全球供應量的約2成。這一規模超過了日本鎧俠，直逼韓國SK海力士。在用於短期儲存的DRAM領域，長鑫儲存技術（CXMT）擴大了市場份額。2025年7～9月為8%，居世界第4位。2024年同期為6%。長鑫儲存技術推進增產用於個人電腦和智慧型手機的通用產品，被認為在中國國內擁有4成左右的市場份額。另一方面，在用於生成式AI的高性能“高頻寬儲存器（HBM）”技術方面，SK海力士等的尖端技術是第6代，而長鑫儲存只是第3代。在技術上落後5年。長江存儲和長鑫儲存等中國企業在價格方面壓倒海外競爭對手。調查公司TechInsights的資料顯示，中國生產的NAND比其他國家生產的便宜1～2成左右。美國調查公司IDC的資料顯示，中國2024年的智慧型手機出貨量同比增長6%，達到2億8600萬部，佔全球總量的23%。有分析認為，鎧俠的總銷售額中面向中國的比例約為2成。如果中國廠商的儲存半導體的採用比例不斷提高，日美韓廠商有可能面臨市場份額下降和利潤空間縮小。中國企業能否在中國以外地區獲得更多份額尚不明朗。美國政府於2022年將長江存儲列為限制對象，禁止美國企業在未經許可的情況下提供設計技術。當時美國蘋果曾考慮採購長江存儲生產的儲存半導體用於iPhone，但最終決定放棄。日本企業也“由於質量和安全方面的擔憂，並未積極採用中國的儲存半導體”（鎧俠的高管）。不過，中國大力發展的太陽能面板、電池和純電動汽車（EV）等憑藉價格競爭力在海外迅速獲得市場。國際半導體產業協會（SEMI）的青木慎一分析稱，“即使因美國限制而無法採購充足生產裝置，中國廠商的良品率仍在提高”。還有其他的儲存器技術人員表示，“如果目前的價格差持續下去，其他國家增加採用中國的儲存半導體只是時間問題”。 (日經中文網)

知情人士稱，中國最大快閃晶片製造商長江存儲（YMTC）正計畫擴展至動態隨機存取記憶體晶片（DRAM）製造領域，其中包括可用於人工智慧晶片組的先進版本。根據路透社周四（9月25日）引述兩名不願具名的知情人士稱，長江存儲正在開發一種名為矽通孔（TSV，Through Silicon Via）的先進晶片封裝技術，用於堆疊DRAM，以便於生產高頻寬記憶體（HBM）晶片。一名知情人士還說，長江存儲正考慮將其在武漢新建的一座工廠部分產能用於DRAM晶片生產。摩根士丹利的研究報告顯示，長江存儲位於武漢的兩座現有晶圓廠一直專注於生產NAND 晶片，截至2024 年底，這兩座晶圓廠每月可生​​產160,000 片12 吋晶圓，預計今年產能將擴大65,000 片。2025年9月23日，做高階記憶體晶片的美光科技正好也發佈了年報，但是機構不買帳，股價反而下跌。盛運君藉此機會簡單聊聊記憶體晶片的全球產業格局與產業鏈。先說一下美光科技。一、美光科技的細分產業與商業模式1. 細分產業：儲存晶片（DRAM 和NAND Flash）美光科技是全球半導體產業的領導者之一，其業務高度聚焦於記憶體晶片這一核心領域。這主要包括兩大類產品：DRAM (動態隨機存取記憶體): 主要用作電腦記憶體、伺服器記憶體、手機運存(LPDDR) 等。其特點是速度快，但斷電後資料會遺失。 DRAM市場是科技與資本高度密集的領域，目前由三星、SK海力士和美光三家巨頭壟斷，呈現寡頭格局。NAND Flash (快閃記憶體): 主要用於製造固態硬碟(SSD)、USB、嵌入式儲存(eMMC/UFS，用於手機、平板等)。其特點是斷電後資料不遺失，適合長期儲存資料。NAND市場的競爭比DRAM激烈，但仍由少數幾家頭部企業主導。2. 商業模式：典型的IDM (Integrated Device Manufacturer) 模式美光的商業模式是垂直一體化製造，即IDM模式。這意味著公司業務涵蓋了從晶片設計、晶圓製造、封裝測試到最終產品銷售的整個過程。設計(Design): 自主研發DRAM和NAND晶片的電路設計與架構。製造(Manufacturing):擁有自己的晶圓廠（Fab），投入巨額資本進行最先進的製程研發和產能擴張。這是其最核心的資產和障礙。封測(Packaging & Testing): 將製造好的晶圓切割、封裝成最終的晶片顆粒，並進行嚴格的性能和可靠性測試。銷售(Sales):將記憶體晶片或基於晶片的模組產品（如記憶體條、SSD）銷售給下游的裝置製造商（OEMs），如蘋果、戴爾、聯想、小米等，以及經銷商和零售市場。這種模式的優點是能最大化保證技術迭代、產品性能和利潤率，但缺點是資產極重，資本開支巨大，且在行業下行周期時，產能和庫存會帶來巨大的經營壓力。 （典型的周期產業）二、中國對應的公司在中國，要找到與美光科技商業模式完全對標的上市公司目前還沒有。因為中國最核心的記憶體晶片製造商（IDM）尚未上市。但是，整個產業鏈已經形成了一個完整的生態。可分為兩個梯隊：第一梯隊：核心的記憶體晶片製造商(非上市公司)這部分企業是真正意義上的“中國版美光”，它們同樣採用IDM模式，是國家在儲存晶片領域實現自主可控的核心力量。1、長江存儲(YMTC - Yangtze Memory Technologies Corp.)對標領域: NAND Flash (快閃記憶體)簡介: 中國目前規模最大、技術最先進的3D NAND快閃記憶體晶片製造商。其透過自主研發的Xtacking®架構，在技術上已經進入世界第一梯隊。長江存儲是中國在NAND快閃記憶體領域追趕國際巨頭的旗手。狀態: 未上市，屬於國家積體電路產業投資基金（大基金）重點支援的企業。2、長鑫儲存(CXMT - ChangXin Memory Technologies)對標領域: DRAM (記憶體)簡介: 中國大陸目前唯一能量產DRAM晶片的IDM企業，也是技術最領先的。其產品主要應用於PC、伺服器和行動裝置。長鑫儲存承擔打破國外在DRAM領域壟斷的重任。狀態: 未上市，同樣受到大基金和地方政府的重點支援，目前正在籌備IPO。第二梯隊：產業鏈相關的A股上市公司這些公司雖然不是IDM製造商，但它們是構成中國儲存產業鏈不可或缺的部分，與長江存儲、長鑫儲存以及美光等國際巨頭有著密切的業務往來。三、中國儲存產業鏈分析中國的儲存產業鏈可以清楚地劃分為上、中、下游，其特徵是中下游進步迅速，但上游核心環節仍有依賴。上游：裝置與原料(國產化正在攻堅)核心裝置： 光刻機、蝕刻機、薄膜沉積裝置等。這是產業鏈中技術壁壘最高、國產化率最低的環節。雖然有北方華創、中微公司等企業在奮力追趕，但在最先進的裝置上，仍高度依賴ASML、泛林集團(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)等國際巨頭。核心材質： 高純度大尺寸矽晶圓、光阻、電子特氣等。同樣，高階產品市場主要由日本、德國、美國企業佔據，滬矽產業等國內企業正努力突破。EDA軟體/IP核： 設計晶片所必需的軟體工具，由Synopsys、Cadence等美國公司主導，是中國半導體產業的另一個關鍵瓶頸。中游：晶片製造(IDM模式，關鍵突破)核心企業： 長江存儲(NAND) 和長鑫儲存(DRAM)。現況：這是咱們國家近年來最大突破的環節。透過龐大的資本投入和研發追趕，已經實現了從0到1的突破，並開始在全球市場佔有一席之地。它們是整個產業鏈的「鏈主」企業。這些日子關於長江存儲的報導消息也是鋪天蓋地而來！下游：封裝測試、模組應用與終端市場(國產化程度最高)封裝測試： 長電科技、通富微電等企業已具備國際競爭力，能夠為中游的晶片製造提供配套服務。模組與應用： 江波龍、佰維儲存等企業，利用龐大的終端市場優勢，將上游的儲存顆粒轉化為消費者與企業可以直接使用的產品。它們是連接晶片原廠和終端客戶的橋樑。（這個行業龍頭是杜老闆的金士頓，遙遙領先！杜老闆當年炒美股虧得負債纍纍，為了還債，創立了今天的金士頓，相當勵志！）終端市場： 擁有華為、小米、OPPO、VIVO、聯想等全球領先的智慧型手機和PC品牌，以及龐大的資料中心市場，為國產記憶體晶片提供了廣泛的應用和迭代驗證平台。A股市場上的相關公司，則更多是圍繞合肥長鑫、長江存儲這兩家核心企業提供裝置、材料、封測、模組和應用等服務的產業鏈合作夥伴。整個產業鏈呈現出一種「眾星捧月」的格局，共同推動中國儲存產業的自主化處理程序。 （盛運德誠投資）

路透引述知情人士稱，中國龍頭快閃記憶體晶片製造商長江存儲(YMTC)正計畫擴大業務範圍，跨足DRAM晶片生產，包括用於製造人工智慧(AI)晶片組的先進版本。消息人士表示，長江存儲正在開發一種名為矽通孔(TSV)的先進晶片封裝技術，用於堆疊動態隨機存取儲存器(DRAM)，以生產高頻寬記憶體(HBM)晶片。據報，長江存儲也在考慮將其武漢建設中新工廠的一部分用於生產DRAM晶片。 (格隆匯電報)

華盛頓當地時間2月26日，美國聯邦巡迴上訴法院向美國加利福尼亞北區地區法院簽發強制令，駁回了美光科技（以下簡稱“美光”）稱為“高度機密原始碼的73頁材料”證據無法向原告公開的訴求。 這也意味著這73頁紙質資料需要向長江存儲“白盒化”，長江存儲控訴美光侵權3D NAND一案取得重大進展。 接連出招，長江存儲連續美光發起訴訟 2023年11月，長江存儲於美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費產品事業部提起訴訟，指控美光侵害8項與3D NAND Flash相關的美國專利。

仲春時節，驚蟄待發，半導體行業響起了一聲“春雷”。 據韓國媒體報導稱，三星電子近日與中國儲存晶片廠商長江存儲簽署了專利許可協議，將從後者獲得3D NAND“混合鍵合”專利。 從全球儲存行業的競爭格局來看，長江存儲作為中國半導體以及儲存賽道龍頭企業，相比海外三大家三星、海力士、美光等依然只能算後起之秀。 這一次長江存儲對三星的3D NAND“混合鍵合”專利授權，恰如同新生的藤蔓攀上蒼勁的古松，以更鮮活的姿態逐漸觸摸到先進封裝那顆皇冠上的明珠。

中國半導體產業的新星－長江存儲，近日對全球領先的半導體儲存製造商美光科技(MU.US)提起訴訟，這一行為在中國引起了廣泛關注。 有市場人士直言，中國半導體產業正逐漸硬氣起來了，標誌著長江儲存具備了較強的競爭力。 近日外媒消息稱，長江儲存日前再次將美光告上法院。 長江儲存在美國加州北區指控美光侵犯了其在美國的11項專利，涉及3D NAND Flash和DRAM產品，其中部分專利涉及到96層、128層和176層等不同層數的3D NAND Flash產品。

標題《為何華為Mate60系列手機沒用國產存儲芯片，而選用韓國SK海力士？》中使用了“沒用”，而不是“不用”，這是需要說明一下的，沒用的意思在於由於各種原因，沒有使用，但是信任的，而下次可能就用了；但“不用”，則是由於不信任，而選擇了不用。 一、Mate60 pro手機的存儲芯片是SK海力士的芯片 最近這10多天，相信大家都被華為Mate60的拆機黨們驚到了，原來不僅國內有這麼多拆機黨，竟然全世界都在拆華為Mate60手機，而且還有某些國家的官方機構在“拆機”。 從拆機來看，芯片的事是最好玩的了，飆叔暫時就不去說其他芯片了，今天咱們就一起聊聊“存儲芯片”的事。現在基本確認華為Mate60 pro存儲芯片用的是—— SK海力士的芯片。