#長江存儲
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美光被裁定侵權！

9月23日消息，近日德國慕尼黑法院就長江存儲訴美光專利侵權案作出裁決，認定美光侵犯長江存儲兩項德國實用新型權，並頒發禁令，判令美光停止在德國銷售相關侵權產品！ 這是雙方專利戰自 2023 年 11 月全面爆發以來，長江存儲在全球範圍內取得的首個實質性禁令勝利。此次裁決涉及的兩項德國實用新型分別為： DE202020006166U1，名稱為“三維儲存器件的階梯結構”（案件號 7 O 12615/25）； DE202021004551U1，名稱為“三維 NAND 儲存器中字線接觸的阻擋層”（案件號 7 O 12614/25）。
美光被裁定侵權！
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場，將挑起與三星、長江儲存的競爭

路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
科技#長鑫科技#快閃記憶體#三星電子
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馬斯克的算力供應鏈：中際旭創、長江存儲入局

10GW、250萬顆GPU、2027年倒計時。今天，來揭開馬斯克算力帝國最真實的情況。 xAI正全力衝刺2027年10GW算力目標，但擴張節奏驚人（2026年底2.5GW → 2027年9月8GW）的同時，記憶體、冷水機組、開關櫃等關鍵環節已亮起紅燈，10月將是一次生死評估。 一、目標有多狂？數字說話 專家透露，xAI團隊當前的核心目標非常明確。支援公司在2027年建成10 Gigawatts算力，部署在田納西州孟菲斯和德州。其中10至12GW落在孟菲斯，另外10GW規劃在德州。
科技#馬斯克#AI算力#供應鏈
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記憶體行業工資獎金制度大起底：韓系切利潤，美光被逼宮，中國國產又如何？

AI 浪潮把記憶體行業推上了前所未有的景氣高點，利潤暴漲之後，錢怎麼分給員工，成了每家巨頭都繞不開的考題。 近期一張對比 SK 海力士、三星半導體事業部、美光三家績效獎金制度的圖表在半導體圈流傳。可以看到三家的制度設計差異很大，韓系兩家直接從營業利潤裡切固定比例做獎金池，美光則走彈性績效係數路線，而恰恰是這套 "彈性" 制度，最近把美光台灣員工逼到了罷工投票的邊緣。 國內的長鑫存儲、長江存儲也在這輪周期裡拿出了各自的激勵方案。 韓系巨頭：把利潤分成寫進勞資協議
記憶體行業工資獎金制度大起底：韓系切利潤，美光被逼宮，中國國產又如何？
科技#記憶體行業#獎金制度#SK海力士
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長存控股IPO新進展！擬募資330億元

繼長鑫科技成功IPO後，另一國產記憶體晶片龍頭長江存儲控股股份有限公司（以下簡稱“長存控股”）距離A股市場又近了一步。 9月3日，上海證券交易所官網顯示，長存控股科創板首次公開發行股票（IPO）稽核狀態由“已受理”變更為“已問詢”。 此前的8月21日，長存控股科創板IPO申請正式獲上交所受理。僅13天後便進入問詢階段，稽核節奏明顯提速。 擬募資330億元，投向產能升級與研發
長存控股IPO新進展！擬募資330億元
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長鑫存儲 VS 長江存儲產業鏈全景

產業鏈全景 (先元資本)
長鑫存儲 VS 長江存儲產業鏈全景
科技#長鑫存儲#長江存儲#產業鏈
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長鑫記憶體和長江儲存，到底差在那？

長鑫科技在 7 月 27 日登陸科創板，長存控股在 8 月 21 日遞交招股書。兩家公司第一次同時公開了可以對照的財務和銷售資料。 2025 年，長鑫和長江的營收分別為 617.99 億元和 631.85 億元，體量已經接近，但收入來自兩類不同的記憶體晶片。 長鑫做 DRAM。處理器正在運行的程序、參數和中間結果，要先放進這塊工作記憶體；斷電以後，資料會消失。長江做 NAND。照片、模型檔案、資料庫和系統鏡像寫進去，機器關掉電源，內容還在。NAND 做成 UFS、eMMC 或 SSD，承擔長期保存。 DRAM 緊挨處理器，NAND 更靠近硬碟。這個位置差異繼續傳到製程、客戶、AI 需求和監管風險，也解釋了兩家公司收入相近、利潤結構卻相差很大的原因。
長鑫記憶體和長江儲存，到底差在那？
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韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕

中國半導體崛起對韓國的威脅已不僅限於壓力，部分領域甚至已經走在韓國前面。 這是因為中國通過大力投資，即便成功機率不高，也在推動新技術的誕生。 最具代表性的就是NAND快閃記憶體。 業內甚至已經出現一種判斷，中韓在NAND快閃記憶體技術上的差距已不復存在。
韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕
科技#半導體#NAND快閃記憶體#長江存儲