最新記憶體產業鏈以及整個AI算力產業鏈需求動態數據共同顯示,AI算力需求帶來的記憶體晶片需求擴張之勢正在從HBM/DRAM向NAND快速外溢,而天量級別的AI推理工作負載正在成為NAND這一輪需求結構變化的核心發動機。
智通財經APP獲悉,根據市場研究機構Counterpoint Research的最新數據,來自中國的NAND記憶體巨頭長江存儲(YMTC)正在全球NAND閃存市場迅速擴大份額,並在2026年第二季度按出貨量基準計算升至全球第三位——僅次於總部位於韓國的全球兩大記憶體晶片巨無霸三星電子以及SK海力士。近期三星、SK海力士以及希捷、閃迪、西部數據等一眾記憶體晶片領軍者公佈強勁業績,以及兩大記憶體巨頭佔據50%權重的韓國股市較7月30日低點大幅上漲超20%,進入技術牛市區域,凸顯出AI基建狂潮驅動的HBM/DRAM/NAND記憶體超級周期仍在強勢上演。
NAND閃存技術,可謂正在從長期以來被業內人士定位的傳統「冷數據/容量記憶體」資產,全面升級為AI推理時代的「擴展型準內存層」,它很可能成為繼HBM超級記憶體系統之後記憶體晶片產業最重要的前沿技術風口之一。由NAND閃存構建出的HBF技術路線的重磅出現(即「高帶寬閃存」),可謂進一步強化了這一判斷。
鎧俠、閃迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明確把高帶寬閃存(HBF)定義為一種面向AI「內存牆」的新型NAND形態,目標是在AI推理中提供更大容量,並聲稱HBF在相關推理測試中可實現接近「無限容量HBM」的綜合傳輸性能,同時顯著提升可用內存容量。閃迪與SK海力士已發佈首份OCP技術規範,試圖把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器,以緩解推理階段的「內存牆」,在容量遠高於HBM的同時提升帶寬並降低Token服務總體成本;它並非短期替代HBM,而可能在HBM與傳統SSD之間創造新的近計算記憶體層。