AI 浪潮把記憶體行業推上了前所未有的景氣高點，利潤暴漲之後，錢怎麼分給員工，成了每家巨頭都繞不開的考題。 近期一張對比 SK 海力士、三星半導體事業部、美光三家績效獎金制度的圖表在半導體圈流傳。可以看到三家的制度設計差異很大，韓系兩家直接從營業利潤裡切固定比例做獎金池，美光則走彈性績效係數路線，而恰恰是這套 "彈性" 制度，最近把美光台灣員工逼到了罷工投票的邊緣。 國內的長鑫存儲、長江存儲也在這輪周期裡拿出了各自的激勵方案。 韓系巨頭：把利潤分成寫進勞資協議

繼長鑫科技成功IPO後，另一國產記憶體晶片龍頭長江存儲控股股份有限公司（以下簡稱“長存控股”）距離A股市場又近了一步。 9月3日，上海證券交易所官網顯示，長存控股科創板首次公開發行股票（IPO）稽核狀態由“已受理”變更為“已問詢”。 此前的8月21日，長存控股科創板IPO申請正式獲上交所受理。僅13天後便進入問詢階段，稽核節奏明顯提速。 擬募資330億元，投向產能升級與研發

產業鏈全景 (先元資本)

長鑫科技在 7 月 27 日登陸科創板，長存控股在 8 月 21 日遞交招股書。兩家公司第一次同時公開了可以對照的財務和銷售資料。 2025 年，長鑫和長江的營收分別為 617.99 億元和 631.85 億元，體量已經接近，但收入來自兩類不同的記憶體晶片。 長鑫做 DRAM。處理器正在運行的程序、參數和中間結果，要先放進這塊工作記憶體；斷電以後，資料會消失。長江做 NAND。照片、模型檔案、資料庫和系統鏡像寫進去，機器關掉電源，內容還在。NAND 做成 UFS、eMMC 或 SSD，承擔長期保存。 DRAM 緊挨處理器，NAND 更靠近硬碟。這個位置差異繼續傳到製程、客戶、AI 需求和監管風險，也解釋了兩家公司收入相近、利潤結構卻相差很大的原因。

中國半導體崛起對韓國的威脅已不僅限於壓力，部分領域甚至已經走在韓國前面。 這是因為中國通過大力投資，即便成功機率不高，也在推動新技術的誕生。 最具代表性的就是NAND快閃記憶體。 業內甚至已經出現一種判斷，中韓在NAND快閃記憶體技術上的差距已不復存在。

長江記憶體（YMTC）科創板 IPO 相關經營資料與募資規劃正式披露，這家中國 3D NAND 快閃記憶體龍頭正站在盈利拐點、產能擴張與技術升級的關鍵節點。擬募資 330 億元（約合 46.1 億美元）聚焦產線升級與研發投入，2026 年一季度業績大幅躍升，全球 NAND 出貨量份額已攀升至全球第三，成為全球記憶體產業的核心增長力量。 募資 330 億，用於產能與研發雙投入 本次科創板 IPO 擬募集資金總額 330 億元，資金投向清晰：63%（約 208 億元）用於生產產線升級，37%（約 122 億元）投向研發，以 “產能擴張 + 技術攻關” 雙路徑鞏固競爭力。 2026 年第一季度，公司經營資料迎來爆發：單季度營收達 470.4 億元，歸母淨利潤 333.79 億元，單季淨利潤規模已達到 2025 年全年的 2.35 倍；季度毛利率高達 76.77%，產能利用率達 98.02%，產銷處於滿負荷景氣狀態。 三年跨越虧損周期，盈利彈性持續釋放

8月21日晚間，上交所長江存儲控股股份有限公司首次公開發行股票並在科創板上市IPO稽核狀態變更為已受理，擬融資金額為330億元。保薦機構為中信證券和中信建投。 招股書顯示，長江存儲自2024年扭虧後盈利水平快速提升，2026年一季度實現營業收入470.42億元，歸母淨利潤333.79億元，相當於平均每天淨賺約3.7億元。 根據TrendForce資料計算，2026年1—3月，長江存儲在全球NANDFlash廠商按銷售金額和出貨量排名，均位列全球第三、中國第一。 公開資料顯示，長江存儲成立於2016年12月，總部位於湖北武漢，業務覆蓋記憶體器製造、晶圓代工、封裝測試、產業投資、園區營運與創新孵化全價值鏈環節，是中國最大的NAND Flash製造商。

最新記憶體產業鏈以及整個AI算力產業鏈需求動態數據共同顯示，AI算力需求帶來的記憶體晶片需求擴張之勢正在從HBM/DRAM向NAND快速外溢，而天量級別的AI推理工作負載正在成為NAND這一輪需求結構變化的核心發動機。 智通財經APP獲悉，根據市場研究機構Counterpoint Research的最新數據，來自中國的NAND記憶體巨頭長江存儲(YMTC)正在全球NAND閃存市場迅速擴大份額，並在2026年第二季度按出貨量基準計算升至全球第三位——僅次於總部位於韓國的全球兩大記憶體晶片巨無霸三星電子以及SK海力士。近期三星、SK海力士以及希捷、閃迪、西部數據等一眾記憶體晶片領軍者公佈強勁業績，以及兩大記憶體巨頭佔據50%權重的韓國股市較7月30日低點大幅上漲超20%，進入技術牛市區域，凸顯出AI基建狂潮驅動的HBM/DRAM/NAND記憶體超級周期仍在強勢上演。 NAND閃存技術，可謂正在從長期以來被業內人士定位的傳統「冷數據/容量記憶體」資產，全面升級為AI推理時代的「擴展型準內存層」，它很可能成為繼HBM超級記憶體系統之後記憶體晶片產業最重要的前沿技術風口之一。由NAND閃存構建出的HBF技術路線的重磅出現(即「高帶寬閃存」)，可謂進一步強化了這一判斷。 鎧俠、閃迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明確把高帶寬閃存(HBF)定義為一種面向AI「內存牆」的新型NAND形態，目標是在AI推理中提供更大容量，並聲稱HBF在相關推理測試中可實現接近「無限容量HBM」的綜合傳輸性能，同時顯著提升可用內存容量。閃迪與SK海力士已發佈首份OCP技術規範，試圖把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器，以緩解推理階段的「內存牆」，在容量遠高於HBM的同時提升帶寬並降低Token服務總體成本;它並非短期替代HBM，而可能在HBM與傳統SSD之間創造新的近計算記憶體層。