2026年7月14日，印度國際新聞頻道WION一則報導，把深圳保密設施裡的進展推到聚光燈下：中國已成功搭建完全中國國產化的極紫外（EUV）光刻機原型。報導援引項目內部消息稱，這是艾斯摩爾自1990年代投入EUV研發以來，第一次有外部力量獨立實現EUV光源產生與整機系統整合。
艾斯摩爾一直獨家把持著全球EUV光刻機市場，整體光刻機市佔率約83%。WION的評論直截了當：如果中國把這一突破推進到EUV光刻機的商業量產，全球半導體產業格局將永久改寫。
LDP技術線
據報導，這台原型機由華為統籌，整合了中國研究機構、供應鏈和數千名研究人員。深圳設施採取嚴格的物理隔離與分組保密機制。
綜合多方技術社區和行業分析交叉驗證，中國團隊走了一條有別於艾斯摩爾的路線——雷射誘導放電電漿體（LDP），而非艾斯摩爾沿用多年的雷射產生電漿體（LPP）。
科技部落格Of Zen and Computing長期追蹤後指出，中方已在EUV光源上完成原理性驗證，但同時也強調，該原型機“與艾斯摩爾商業級EUV相比仍然粗糙”，尚未產出那怕一片工作晶片，離具備量產意義的吞吐量和穩定性還有數年距離。
成功產生極紫外光本身，已經讓全球半導體權力結構出現深度偏移。
EUV光源是整條技術鏈最難的一環。需要瞬間將錫滴加熱到約22萬攝氏度，產生13.5奈米波長的極紫外光，並保持250瓦以上穩定輸出功率，才夠支撐商業量產。
下一代高數值孔徑系統更需要500至1000瓦。極紫外光無法穿透傳統透鏡，必須依賴原子級表面精度的多層鉬/矽布拉格反射鏡，反射率才能堆到約70%。
公開資訊顯示，目前全球只有德國蔡司能造商業級EUV反射鏡，這曾是出口管制鏈上另一把鎖。中國原型機表明，在與外界技術源泉近乎隔絕的情況下，從光源到光學系統、再到真空工件台這條路，正在被一吋一吋鑿開。
從0到1以後
再看具體技術資料。
艾斯摩爾2025年年報顯示，全年出貨327套光刻系統，其中EUV出貨數十台，每台均價約2億美元，支撐著台積電、三星、英特爾在3奈米及以下節點量產。
《外交官》7月的述評承認，中國進展已超出許多西方分析人士此前的預期，但也警告不應過度炒作，原型機離量產還隔著巨大的工程鴻溝。
一部商業級EUV系統需要穩定輸出250瓦極紫外光，曝光劑量逐脈衝反饋控制，工件台運動精度在奈米級，光罩與晶圓對準精度更是亞奈米等級。
中國原型機目前遠未首片成像晶片，鏡面退化、污染控制、可靠性這些量產難題一個比一個棘手。
但，半導體工業的歷史一再表明，最難的不是把良率做到量產級，剩下的問題，留給時間、資金和迭代工程去磨。
誰可能受影響
如果中國具備中國國產EUV裝置供應能力——那怕初期良率和產能有限——全球最渴望先進算力的市場之一，就不再完全受制於艾斯摩爾的交貨排程和地緣政治綠燈。
更長遠看，那些同樣受先進裝置供給制約、又想擠進AI晶片賽道的中等強國，將獲得第二個採購選項。
半導體分析師圈子裡有這樣一種推演：艾斯摩爾首當其衝。它長期依賴的定價權和排他性供貨權，一旦被撬開那怕一條縫，利潤率模型與估值邏輯就得重寫。
再往外一層，那些嚴重依賴艾斯摩爾對華出口限制、借此維繫技術代差的競爭經濟體，也會面臨變數。
如果中國裝置商能在“夠用”製程上提供中低規格卻足以支撐AI推理晶片、基站晶片和車載智能晶片的服務，全球晶片產能的地理分佈就會再平衡，
隨之而來的是一輪新的產能過剩與價格戰。對華技術封鎖政策本身的有效性，也會因為替代路徑的出現而打上問號，限制清單被迫向上游和配套環節不斷延伸，每一輪延伸都在推高全球半導體生態的交易成本。
中國自身在AI晶片、高性能計算和國防應用上的底牌增多，自不必說。一批試圖建立本土半導體製造基礎、卻又難以穩定拿到艾斯摩爾供應的開發中國家，同樣有望享受溢出紅利。
工程師流動暗線
坊間流傳，深圳這台原型機部分吸收了一些前艾斯摩爾工程師的知識輸入。保密設施內研究小組高度分隔，既防外部洩密，也防止內部知識斷層。
這種模式難免讓人聯想到冷戰時期核項目的人才流動與技術擴散。在EUV這個全球只有極少數人真正掌握系統級know how的狹窄領域，關鍵個人的流動，往往比任何制裁清單都更能改變技術均勢。
深圳這台原型機還沒有產出一片晶片。它能不能快速跨越“死亡之谷”，進入可商用的工程階段，決定了這次破壁激起的會是一圈短暫漣漪，還是持久的巨浪。而一旦EUV不再是那幾家巨頭的小圈子遊戲，從晶圓代工、EDA工具、材料到AI算力的權力格局將徹底改變。 (矽基LIFE)