1. 光模組市場：2026年可能翻倍，2027年可能達到三倍，但1.6T仍將短缺約30%
全球光模組市場很可能在2026年翻倍，並在2027年達到三倍規模，但1.6T光模組仍將存在約30%的短缺。
專家預計，2026年800G光模組出貨量為4,000萬-4,200萬隻，而需求超過4,500萬隻，意味著約10%的短缺；2027年出貨量應升至8,000萬隻，並可能在2028年小幅下降。
1.6T方面，2026年光模組出貨量預計達到約1,800萬隻，而需求約為2,600萬隻；2027年出貨量預計為5,500萬隻，而需求將超過7,500萬隻，意味著兩年都將出現約30%的短缺。
供給偏緊主要來自上游元件短缺，包括 DSP、EML 晶片和連續波雷射器（CW Laser）晶片。3.2T光模組樣品預計將在2026年四季度出貨，小規模商業出貨預計將在2027年四季度開始。專家預計，2028年1.6T光模組出貨量將達到1億隻，3.2T光模組出貨量將從約250萬隻起步。基於這些預測，Jefferies 估算2027年光模組總體可服務市場（TAM）有望增長至3倍。
2. 中國光模組元件國產化：重點在 CWL 和 EML 晶片
中國光模組元件國產化將重點聚焦於連續波雷射器（CWL）和 EML 晶片。
第一，當前最大的瓶頸仍是 DSP 和200G EML 晶片，國內替代仍然有限。高端 DSP，尤其是用於1.6T的3nm DSP，主要由 AVGO 和 Marvell 主導；200G EML 則主要由 Lumentum、AVGO 和住友電工主導。目前中國尚無成熟的200G EML 供應商。報告同時指出，東山精密預計將在2026年下半年開始量產200G EML。
第二，中國在電晶片（如 TIA、Driver）和矽光（SiPh，中際旭創）方面已經取得進展，但仍需要更多時間實現突破。
第三，中國在 CWL 晶片方面取得進展，其中源傑科技是領先廠商，此外還有四家相關廠商。
第四，在無源光學元件方面，例如隔離器、濾光片、透鏡和 AWG，中國已經佔據主導地位，全球市場份額約為85%。
3. Corning Glass Bridge 對 FAU 的影響可能被高估
Corning 的 Glass Bridge 技術對 FAU 的影響可能被市場高估。該技術使用玻璃內波導，在光引擎（OE）中連接光纖和光子積體電路（PIC）。
第一，它能夠改善對準和耦合容差，潛在簡化 CPO 場景下 dFAU 的光學組裝。
第二，它不太可能減少對光纖或 dFAU 的需求，但可能降低 dFAU 的精度要求，從而影響對 MLA（微透鏡陣列）以及高精度對準和耦合裝置的需求。
第三，它不會替代當前光模組中使用的 FAU。
第四，Glass Bridge 也存在技術限制，例如僅支援一維傳輸，最多支援24根光纖，並且無法支援 NVIDIA/台積電在 CPO OIO 方案中的3D垂直耦合配置。
4. EML、SiPh 與 TFLN：InP 仍不可或缺
在800G光模組中，EML 仍是主導技術，採用“雷射器+調製”的方案。
在1.6T光模組中，矽光（SiPh）預計將成為主導技術，市場份額超過60%。其優勢包括約15%的更低功耗、更低成本，以及更高整合度。成本優勢來自於矽光方案僅需要2-4顆 CWL 晶片，而 EML 方案需要8顆。
EML 的優勢則在於更長傳輸距離、更高耦合效率和更低編碼錯誤。但當行業邁向3.2T光模組時，EML 很可能再次佔據主導，因為矽光頻率不夠高。
由於 EML 和 CWL 晶片都需要 InP 襯底，而矽光方案與 CPO 都需要 CWL 晶片，因此 InP 襯底需求前景仍然樂觀。
當光模組向3.2T演進，也就是8通道 x 400G時，薄膜鈮酸鋰（TFLN）可能成為一種有前景的材料。不過，TFLN 只承擔調製功能，仍然依賴基於 InP 的外部 CWL 晶片來產生光。因此，無論未來資料中心光學方案採用那種調製技術，InP 仍將不可或缺。
中國本土化進展
(大行投研)