記憶體大跌是「假摔」?大摩:所謂利空都是舊的「明牌」,市場反應過度

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摩根士丹利指出,近期記憶體股下跌是市場對舊有利空的過度反應。最新調研顯示數據中心內存短缺加劇,預計Q3價格將環比上漲至少25%。大摩強調,本輪週期由AI算力支出驅動(增速>50%),遠超PC與手機市場,且內存已成為AI基礎設施的結構性瓶頸。儘管價格增速有所放緩,但高盈利將持續數年。大摩認為當前拋售創造了強勁的入場機會,建議投資者關注AI驅動的長線基本面而非短期波動。
摩根士丹利認為,近期記憶體股回調是市場對「舊利空」的過度反應。最新管道調研顯示,數據中心內存短缺持續加劇,預計第三季度內存價格環比至少上漲25%,高於市場預期,AI驅動的高景氣周期未改,當前回調反而提供了逢低佈局機會。

美國記憶體股近期遭遇拋售,但摩根士丹利認為,市場擔憂的幾大利空因素早在一個月前便已可預見,並非新增風險,數據中心端的供需緊張態勢絲毫未見緩解。大摩維持對記憶體類股的積極判斷,將此次回調定性為具有吸引力的買入窗口。

追風交易台消息,據摩根士丹利7月20日發佈的研究報告,分析師Joseph Moore及其團隊上周密集走訪數據中心採購管道後確認,記憶體短缺的強度沒有任何減弱跡象。大摩估計,第三季度數據中心內存價格較第二季度同類產品環比上漲至少25%,高於大摩自身及第三方機構的此前預測。

大摩指出,此輪記憶體周期的核心邏輯在於,內存正日益成為AI基礎設施建設的主要瓶頸之一,這一結構性約束預計將持續數年。在此背景下,大摩認為記憶體股的風險回報正在快速追趕此前更受青睞的輝達和博通,當前拋售已創造出強勁的入場機會。

利空並非新鮮事,市場反應過度

大摩明確指出,近期拖累記憶體股的幾大擔憂——增速二階導數放緩、資本開支上升、客戶降規格(de-speccing)——均是一個月前便可預判的"明牌",並不構成新的基本面變化。

在價格增速方面,大摩承認二階導數放緩是客觀事實,但強調這本就不可避免。據SIA數據,DRAM價格在第一季度環比上漲約70%,第二季度漲幅超過40%。大摩指出,在記憶體行業季度營收已從一年前的約460億美元攀升至逾2000億美元的背景下,維持上述漲幅既無可能,也將對需求造成破壞性衝擊。"所有人在股價見頂的幾周前就已知曉這一點。"大摩寫道。

在長期協議(LTA)方面,大摩認為其意義更多在於印證管道調研所揭示的供需緊張,而非對價格形成硬性約束。大摩還指出,Micron在業績電話會議上關於"第二季度價格可能是部分新籤協議上限"的表述,屬於較為保守的措辭框架——根據行業管道資訊,這些協議大機率是此前已在原則上達成、只是法律審批周期較長的舊協議,而當前正在談判的新協議將設有更高的價格上限。

數據中心短缺持續加劇,AI需求是核心驅動

大摩強調,此輪記憶體周期與歷史周期存在本質差異:需求端幾乎完全由數據中心驅動,消費、PC及智能手機市場的混合信號只是"假信號",不應被視為周期轉向的依據。

大摩表示,雲計算客戶正在為6周期貨支付高於預期第二季度價格的溢價,以加急獲取內存——"我們認為這些客戶支付溢價是為了在倉庫裡囤貨嗎?"大摩反問道。這一現象直接印證了供需緊張並非庫存驅動,而是真實的產能瓶頸。

在需求端,大摩指出AI算力支出增速超過50%,遠高於PC和智能手機市場3%至5%的年增速,且隨著AI在整體需求中佔比持續擴大,這一差距將愈發顯著。HBM4的製造複雜度將大量消耗產能,而明年Rubin Ultra平台上線後HBM內存容量將翻倍;與此同時,機架用低功耗DDR5及企業記憶體需求同樣旺盛。NAND方面,大摩指出行業資本開支援續保持異常剋制,預計明年雖有所上升,但不足以實質性擴張供給。

周期持續時間比峰值幅度更重要

大摩認為,當前市場爭論的焦點應從"峰值盈利有多高"轉向"高盈利能持續多久",而後者對估值的支撐意義更為深遠。

大摩指出,長期協議和客戶工程優化等舉措,在一定程度上壓縮了周期的振幅,但同時延長了周期的持續時間。"從當前運行水平持續攀升的數年盈利,對高估值的支撐力度,很可能強於單一的超強年份。"大摩寫道。

在降規格風險方面,大摩承認輝達已對機架中的LPDDR5內存用量進行了較大幅度的削減,並正推動更廣泛的算力、工作內存與記憶體架構重組,以優化內存約束。但大摩認為,這些舉措的底層邏輯恰恰是"內存短缺將持續數年"——這是信號,而非利空。隨著供給逐步釋放,內存使用量必然同步擴張。 (華爾街見聞)