把兩塊晶片直接"焊"在一起，中間不靠任何凸點或焊球——這項被稱為混合鍵合的技術，過去兩年被市場視為HBM先進封裝的下一場革命。但7月初兩家韓國記憶體巨頭幾乎同步做出決定：HBM4這一代先不用了，繼續走傳統路線。背後是國際標準組織JEDEC悄悄放寬了一項規定，讓這場革命突然變得不那麼緊迫了。
一、一項標準的微調，撬動了整個技術路線
HBM（高頻寬記憶體）本質上就是把多層DRAM晶片像千層餅一樣堆疊起來。層數越多，容量和頻寬越大。但封裝有高度上限——晶片堆太高，塞不進GPU旁邊那個狹小的空間。
目前業界主流的堆疊方式叫熱壓鍵合（TC Bonding）：每兩層DRAM之間用微小的金屬凸點連接，像用焊球把兩塊板子粘在一起。這個工藝成熟可靠，但凸點本身佔高度。12層堆疊已經用掉了775微米，想往上堆16層、20層，空間不夠用了。
於是市場盯上了混合鍵合。它取消凸點，讓兩層DRAM的銅面直接接觸——本質上是用原子級的"銲接"替代了微米級的"焊球"。同樣的高度能塞進更多層，散熱還更好。市場普遍預期三星和SK海力士會在2026年的HBM4上首次商用這項技術。
但JEDEC（國際半導體標準組織）在討論中做了一個看似微小的決定：把HBM的厚度上限從775微米放寬到1000微米。
多了225微米的"高度額度"意味著，傳統的熱壓鍵合方案不需要混合鍵合，也能滿足12到16層堆疊。一場被預期了兩年的技術革命，突然失去了最直接的推動力。
ZDNet Korea在7月7日引述消息人士報導，三星和SK海力士已決定跳過HBM4上的混合鍵合，最早也要到HBM4E才可能匯入。更有行業人士坦白："目前業界對16層HBM討論已趨於冷淡，即使到了HBM4E，仍可能維持12層堆疊。"
二、散熱問題有了第三條路
混合鍵合還有一張牌：散熱。
傳統方案裡，每兩層DRAM之間的凸點周圍需要填充一種叫underfill的絕緣膠。這東西導熱性很差，等於在每兩層晶片之間塞了一層"隔熱棉"。晶片堆越多，中間的熱越散不出去。混合鍵合不需要underfill，理論上散熱好得多。
但三星和SK海力士各自找到了不需要混合鍵合的散熱解法。
三星的方案叫HPB（熱傳導路徑），在HBM封裝內部插入獨立的導熱柱，像給"千層餅"加了多根"煙囪"，熱量繞過層間直接匯出。SK海力士的方案叫iHBM，把電絕緣的導熱矽元件直接嵌入DRAM層之間，宣稱熱阻降低超過30%。
兩個方案都是"外掛散熱"——不動鍵合方式，只在封裝結構上加散熱件。 這意味著混合鍵合的散熱優勢不再是獨家的，傳統熱壓鍵合方式的散熱短板可以被其他方式補齊。
三、最大的客戶並不著急
HBM的技術路線最終不由記憶體廠說了算，而是取決於最大的買家——輝達。
據ZDNet Korea報導，輝達已經推遲了對更高堆疊層數HBM的需求。背後的邏輯是：16層HBM意味著單顆HBM的容量和頻寬翻倍，但這要求GPU端的記憶體控製器和互聯架構同步升級。如果輝達的下一代平台用更多顆12層HBM就能滿足頻寬要求，它就沒有動力推動三星和SK海力士在良率更低、成本更高的16層路線上冒險。
台積電的SoIC封裝技術從另一個方向也減輕了壓力——SoIC將GPU和HBM進行3D垂直堆疊，GPU封裝本身變得更厚，留給HBM的高度空間反而更大了。換句話說，輝達未來的平台架構不是在"收緊"HBM的空間約束，而是在"鬆綁"。
四、產業鏈的贏家和輸家
這件事的產業鏈傳導很清晰。
傳統熱壓鍵合裝置廠——贏。 韓美半導體是全球HBM熱壓鍵合裝置龍頭，市佔率71.2%。混合鍵合每推遲一代，它的訂單能見度就延長至少兩年。
混合鍵合裝置廠——需求往後挪，但故事沒有消失。 荷蘭Besi在全球混合鍵合裝置市場佔約70%份額。國內拓荊科技已實現晶圓對晶圓混合鍵合量產，2025年該業務營收1.36億元（+41.92%）；北方華創今年3月發佈了晶片對晶圓混合鍵合裝置。HBM混合鍵合推遲對這兩家的短期收入影響有限——拓荊的增長來自邏輯晶片領域，北方華創仍在市場匯入期——但它確實把一個"即將爆發"的敘事變成了"長期確定但節奏後移"的敘事。
封裝內散熱材料——一個可能被忽略的新增市場。 三星HPB和SK海力士iHBM暗示著一個新方向：HBM散熱不再只依賴封裝外部的液冷冷板，封裝內部也可能嵌入專用的導熱器件。這個細分賽道目前還沒有明確的供應商格局，但需求方向已經出現。
五、慢一點，未必是壞事
從整體產業鏈視角看，混合鍵合的推遲可能是一件好事。
混合鍵合要求兩片晶圓在奈米級的平整度上對齊、在無塵環境下實現銅原子直接擴散連接——這是整個HBM製造鏈路中良率風險最高的環節。如果三星和SK海力士在HBM4上強行匯入，量產良率的波動只會給本已緊張的HBM供給雪上加霜。而AI產業鏈現在最承受不起的，就是額外的供給不確定性。
用成熟的熱壓鍵合跑穩12層HBM4/HBM4E，等I/O密度在HBM5E時代從2048翻倍到4096時再用混合鍵合衝擊16-20層——這條節奏更慢的路線，反而讓近期的HBM供給更有保障。
當然，這對"混合鍵合是下一個CoWoS級投資主題"的二級市場故事是一盆冷水。HBM5E的I/O翻倍是確定的方向，混合鍵合最終依然是繞不開的技術——它只是不會在2026年到來。
本文僅為AI產業鏈技術學習與公開資訊梳理，不構成投資建議。文中提到的公司僅作為產業鏈參與方和技術路線對應案例，不代表買賣建議。 (AI科技偵探)