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東吳證券最新報告指出，AI算力機櫃功率的指數級成長，正迫使資料中心供電架構由54V低壓全面升級至800V直流高壓，以解決超高功率下的銅損與空間瓶頸。在此趨勢下，功率半導體分工明確：SiC憑藉耐高壓特性主導PowerRack端的AC/DC轉換，而GaN則利用高頻開關優勢佔據ITRack端的DC/DC降壓環節。報告預測演進將分四階段進行：2026-2027年啟動Sidecar改造，2027-2028年將800V下沉至計算節點，2028年後則邁向MW級集中整流與中壓電網直接連接，將全面拓寬寬禁帶器件的市場空間。
核心觀點為: AI算力機櫃功率, 正從百千瓦級朝著兆瓦級實現躍升, 這一情況迫使資料中心供電架構, 從傳統的54V低壓體系, 邁向800V直流高壓體系進行全面升級, 而此升級將會深刻重塑功率半導體產業格局。
報告表明, 傳統的那種低壓大電流供電, 在處於超高功率的情形下, 碰到了銅損急劇增加、空間被擠佔這類物理方面的瓶頸, 800V架構借助“提壓降流”從根源上把這些矛盾給化解掉了。它的本質發生的變化是把AC/DC與DC/DC的功能進行解耦, 從這就形成了清晰的器件分工, SiC依靠耐高壓、低損耗的特性在PowerRack側主導大功率AC/DC轉換, GaN是以高頻開關的優勢佔據ITRack側DC/DC降壓環節。
就落地節奏而言, 報告給出了四階段的演進路徑, 在2026年開端至2027年, Sidecar改造最先開啟, 促使PFC、LLC以及高壓BBU的SiC/GaN出現增量變化, 在2028年之前2027年起始到2028年, 將800V下沉到計算節點, 板載DC/DC加速GaN的滲透處理程序, 在2028年之後, MW級集中整流向上移動以及SST直接連接中壓電網, 會進一步拓寬寬禁帶器件的成長上限範圍, 產業鏈的上下游都有希望獲得益處。
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