高盛/Jefferies:中國記憶體 /MLCC 專家會議要點!

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近期投研顯示 AI 需求正深度驅動記憶體與被動元件市場。高盛預估中國 DRAM 產能將在 2030 年前翻倍,且國產設備採用率提升將為北方華創等裝置商帶來機會;儘管面臨 EUV 限制,中國廠商正透過 DUV 與 3D DRAM 創新追趕。同時,Jefferies 指出 AIDC 部署導致高容 MLCC 嚴重短缺,單機用量大幅增加,促使 OEM 廠商提價且庫存降至低位。儘管日韓巨頭擴產謹慎,中國廠商如風華高科採取積極擴產策略,但高端產品良率與設備交付仍是主要挑戰。整體而言,AI 驅動的 MLCC 超級週期預計將延續至 2027 年。

高盛:中國記憶體-專家電話會要點

高盛於7月24日舉辦了中國記憶體專家線上研討會,討論重點包括中國DRAM產能擴張、產品開發進展及記憶體器整體價格趨勢。專家的觀點與高盛對中國半導體裝置類股的積極看法一致。高盛預計,未來幾年本土晶圓廠和記憶體器廠的擴產,疊加中國國產半導體裝置採用率持續提升,將為相關裝置廠商帶來增長機遇。

買入標的:北方華創、中微公司、盛美上海和珂瑪科技。

核心要點

1. 產能持續擴張:專家看好未來幾年中國DRAM廠商的產能擴張,並認為到2030年,行業頭部廠商的年產能可能達到當前水平的兩倍以上。目前,合肥、上海和北京均有擴產項目推進,預計這些項目到2028年將全部實現全面投產;與此同時,一處大型生產基地有望在2028年以後開始貢獻產能,從而繼續推動中國DRAM供給增長。專家還指出,新增DRAM產能不僅會採用全球一線半導體裝置,也會使用中國國產裝置。部分工廠除光刻機等高端裝置外,其他環節將主要採用中國國產半導體裝置。

2. 產品持續演進:專家認為,中國DRAM廠商的產品仍在持續演進。以中國龍頭廠商為例,隨著生產工藝升級,其產品開發較去年取得了進一步進展,儘管其DRAM產品與全球同業相比仍存在差距,例如速度相對較慢。據專家介紹,該龍頭廠商2026年的目標仍是實現HBM3和HBM3E量產。受半導體裝置條件限制,例如缺乏EUV(極紫外)光刻裝置,中國DRAM廠商需要使用DUV(深紫外)光刻,或通過其他創新製造工藝來開發高端產品,例如3D DRAM。專家認為,3D DRAM的產品開發有望在2027年取得新的進展。

3. 記憶體價格趨勢:專家認為,儘管中國廠商的良率可能相對較低,但其DRAM價格與全球一線供應商大致處於同一水平。從記憶體器價格走勢看,考慮到智慧型手機品牌廠商對成本上漲存在牴觸,專家預計2026年第三季度和第四季度的價格漲幅將小於2026年上半年。不過,中國及海外市場的AI需求依然強勁,有望支援記憶體器價格在2027年繼續上漲。鑑於AI需求強勁,專家預計全球一線供應商短期內不會將HBM產能重新轉回傳統DRAM。同時,記憶體器供應商與客戶之間預計將簽訂更多長期合約,這將有利於記憶體器價格保持穩定。

Jefferies-中國 MLCC 專家核心要點

近日Jefferies 邀請了MLCC行業專家進行交流。AIDC 擴張推動高容 MLCC 出現供給短缺。主導 AI 級 MLCC 市場的日本和韓國廠商吸取了2018年智慧型手機周期的經驗,對擴產保持謹慎。因此,專家認為 AI 級 MLCC 的本輪超級周期將強於2018年;低端 MLCC 是否持續短缺,則將更多取決於產能擴張速度和 OEM 廠商的策略。

AIDC 驅動的 MLCC 短缺由高容產品向低容產品擴散

在 AIDC 快速部署、單機架 MLCC 用量持續提升的推動下,高容 MLCC 正面臨嚴重的供給短缺。單機架 MLCC 用量由 GB300 的44.3萬隻增加至 VR200 的60萬隻。據專家介紹,短缺已進一步蔓延至低容產品,主要有三方面原因:1.廠商將產能重新配置至利潤率更高的高容產品;2.分銷商和終端客戶為降低高容 MLCC 短缺風險,開始囤積常用型號;3.部分供應商有意限製出貨,以推動價格上漲。

目前庫存已降至歷史低位:一家台灣 OEM 廠商持有約2.5個月庫存,分銷商約1.5個月,終端客戶不足1個月。供給緊張促使 OEM 廠商在2026年5月至6月提價20%—30%,主要針對中國大陸分銷商。7月1日,華新科將面向分銷商的低容 MLCC 價格上調100%—600%。

專家預計,在消費電子和電動汽車需求推動下,短缺將在2026年9月至10月的旺季進一步惡化,隨後可能出現第二輪漲價。低容 MLCC 的供給缺口可能達到900億隻,交付周期則可能延長至18—24周。

日韓廠商擴產謹慎,中國廠商更為積極

日本和韓國的領先供應商吸取2018年周期的經驗,對擴產更為謹慎,計畫年產能增幅僅約10%。村田計畫到2026年年底新增每月100億隻產能;三星計畫到2027年新增每月51億隻產能。中國廠商的擴產策略更為積極,僅風華高科一家就計畫新增150億隻產能。不過,專家強調,中國廠商要生產面向 AIDC 的高容 MLCC 仍需很長時間,甚至能否實現也存在不確定性,主要制約因素包括:1.日本生產裝置的交付周期長達9—12個月;2.良率偏低導致生產成本較高,即使是三星和村田等頭部廠商,超高容 MLCC 的良率提升也很困難;3.產能爬坡周期較長,材料配方和生產訣竅需要極長時間才能追趕,領先廠商用了數十年才掌握相關能力。

AI 級 MLCC 超級周期強於2018年

專家認為,高容 AI 級 MLCC 的短缺程度甚至比2018年更為嚴重。2018年的周期主要由持續時間較短的智慧型手機機型升級和 OEM 囤貨推動;本輪周期中的 AIDC 需求可能更具持續性,短缺至少將延續至2027年。相比之下,低容 MLCC 短缺的持續性更不確定,主要取決於擴產計畫的實際落地情況和 OEM 廠商的策略。

AI 級 MLCC 競爭格局

日本和韓國供應商主導 AI 伺服器高容 MLCC 市場。村田和三星合計約佔全球 AI 伺服器 MLCC 供應量的80%—90%,其後為太陽誘電和 TDK。為承接 AI 帶來的需求,三星正將天津、釜山和菲律賓的消費級 MLCC 產線改造為高容產品產線。改造周期約為2—3個月,完成後產能有望提升約20%。在中國供應商中,風華高科擁有業內覆蓋範圍最廣的被動元件產品組合;三環集團則聚焦高端產品,並具備一體化供應鏈。其高容產品約佔公司產能的70%,且已進入部分中國雲服務提供商的供應體系。(大行投研)