高盛舉辦韓國記憶體專家電話會議，專家預計傳統DRAM價格今年三、四季度有望連續實現兩位數環比增長，供應短缺是核心支撐；認為明年HBM價格存在翻倍可能，高盛則預測三星HBM售價明年同比漲幅達87%。同時，超半數服務器DRAM已被強約束長協鎖定，中國記憶體廠商擴產短中期內難以構成實質威脅。
高盛於7月28日舉辦韓國記憶體專家網絡研討會，並於7月29日發佈紀要。與會專家認為，傳統DRAM價格今年將保持「兩位數百分比」的強勁增長勢頭，HBM明年存在大幅漲價甚至翻倍的空間，長期協議對市場的約束力正在增強，中國競爭對手短中期內威脅有限。高盛維持對三星電子的買入評級。
DRAM今年持續漲，HBM明年或翻倍
專家對今年DRAM價格走勢給出了明確判斷。
根據紀要，專家預計2026年三季度傳統DRAM價格將實現"兩位數百分比"的環比增長，與近期現貨價格的強勁反彈相吻合。進入四季度，受持續供應短缺支撐，專家認為"再度實現兩位數環比增長"同樣存在可能。
他們認為，供給端沒有明顯放量，需求端AI服務器持續拉動，價格自然易漲難跌。
HBM的故事更為激進。專家認為，由於傳統DRAM價格上漲，HBM定價明年"存在翻倍的可能性"。高盛自身的預測是：三星HBM價格2027年同比漲幅將達87%，這一數字已高於彭博彙總的賣方一致預期52%。
長協綁定力增強，超半數服務器DRAM已鎖定
價格能否兌現，取決於合同能否守住。
根據紀要，專家指出，長期協議（LTA）包含多項強約束條款：大額預付款、"要麼提貨要麼付款"（take-or-pay）條款，以及取消合同的違約金。這意味著買方一旦簽約，退出成本極高。
目前，超過半數的服務器DRAM已被LTA覆蓋，專家預計這一比例未來還將繼續提升。
這對記憶體廠商意味著什麼？收入能見度更高，價格談判籌碼更強。高盛在投資論點中也明確指出，與過去相比，此輪LTA的約束力度更強，有助於支撐三星的盈利預期。
中國廠商短中期難成威脅
市場一直擔憂中國記憶體廠商的擴產衝擊，但專家對此持保留態度。
根據紀要，專家承認中國供應商正在積極擴產，但認為其"在近中期內成為領先廠商明顯威脅的可能性較低"。原因在於，中國廠商在生產良率、技術水平等方面與頭部玩家仍存在差距。
換言之，擴產規模不等於有效供給，技術壁壘短期內難以踰越。
產能擴張加速，但有效位增長受限
產能在擴，但實際供給增量並不對等。
根據紀要，專家預計今年產能擴張速度將強於歷史水平。然而，由於HBM佔用晶圓比例（trade ratio）較高——生產同等數量的HBM需要消耗更多DRAM晶圓——實際位（bit）增長預計將低於歷史平均水平。
這是理解當前供需格局的關鍵：表面上產能在擴，實際上可用於傳統DRAM的有效供給並未同步增加，這正是支撐價格持續上漲的結構性原因。
混合鍵合技術：漸進式推進，非跨越式突破
HBM技術路線上，混合鍵合（hybrid bonding）被視為下一代方向，但專家對其落地節奏持審慎態度。
根據紀要，專家認為，隨著DRAM晶片堆疊層數增加，現有鍵合技術將面臨越來越大的挑戰。但與此同時，專家並不預期混合鍵合會被提前大規模採用，原因是"在量產規模下實現足夠良率需要相當長的時間和努力"。
專家判斷，記憶體廠商將探索包括無助焊劑鍵合（fluxless bonding）在內的多種技術路徑，同時逐步推進混合鍵合的導入，而非一步到位。
在上述判斷基礎上，高盛維持對三星電子普通股的買入評級，12個月目標價為48萬韓元，優先股目標價為36萬韓元。
報告指出，三星在HBM領域已開始展現出"有實質意義的進展"，疊加更高的股東回報預期，對該股維持積極看法。主要下行風險包括：記憶體供需大幅惡化、智能手機業務利潤率急劇收縮，以及移動OLED市場份額流失。 (華爾街見聞)