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高盛於7月28日舉辦了韓國記憶體專家線上研討會。主要結論包括：
1）DRAM價格今年全年將繼續穩健上漲，明年HBM價格存在顯著上行空間；
2）長期協議（LTA）將提供較強約束力；
3）中國記憶體供應商在近中期構成的威脅有限；
4）產能增加力度更強，但位元增長仍受限制；
5）混合鍵合預計會更加漸進地被採用。高盛重申對三星電子的“買入”評級。
DRAM價格今年全年將繼續穩健上漲，明年HBM價格存在顯著上行空間：專家預計，常規DRAM價格在2026年三季度可能實現穩健的雙位數環比上漲，這與近期現貨價格強勁上漲相一致。專家同時認為，在持續供給短缺支撐下，2026年四季度價格仍有可能再次實現雙位數環比增長。對於明年HBM價格，專家認為，由於常規DRAM價格上漲，HBM定價存在翻倍的可能。
我們預計三星電子明年HBM價格將同比上漲87%，高於賣方一致預期（Bloomberg）的同比上漲52%。長期協議（LTA）將提供較強約束力：專家提到，LTA包含多項增強約束力的條款，例如較大規模的預付款、take-or-pay（照付不議）條款以及取消罰金。
專家還表示，超過一半的伺服器DRAM已由LTA覆蓋，並預計未來LTA覆蓋比例將進一步提高。
中國記憶體供應商在近中期構成的威脅有限：專家提到，儘管中國供應商正在積極擴產，但在生產良率、技術水平和產品可靠性方面，與領先廠商之間仍存在較大差距，因此中國供應商在近中期成為可見威脅的可能性較低。
產能增加力度更強，但位元增長仍受限制：專家預計，今年產能增加節奏將強於歷史水平；不過，由於HBM轉換比例較高，位元增長預計仍將低於歷史平均水平。
混合鍵合預計會更加漸進地被採用：專家認為，隨著DRAM堆疊層數增加，現有HBM鍵合技術的難度會持續上升；但與此同時，專家並不預計混合鍵合會被過早採用，因為在大規模量產層面取得足夠好的良率需要相當長的時間和努力。專家認為，記憶體公司將尋求多種選擇，例如無助焊劑鍵合（fluxless bonding），同時推動混合鍵合的漸進式採用。(大行投研)