長鑫科技的崛起證明了中國半導體有能力從追趕者變為競爭者，但真正的護城河不在市值，而在於穿越周期的能力。
7月27日，中國資本市場迎來一個歷史性時刻。中國國產DRAM龍頭企業長鑫科技正式登陸科創板。該股以8.66元/股的發行價強勢沖高，盤中最高漲幅超530%。截至收盤，股價報收49元/股，漲幅462.82%，總市值達3.28兆元，成功超越工商銀行的2.76兆市值，登頂A股榜首。
如果說長鑫科技的上市是一場盛大的“成人禮”，那麼這場儀式背後，是跨越十年的產業長征。長鑫科技不僅填補了中國DRAM晶片領域從0到1的自主量產空白，更標誌著中國正式躋身全球DRAM核心玩家行列。
長鑫科技本次IPO募資約579.19億元，成為科創板設立以來，規模最大的首次公開發行。上市首日，公司總市值一舉超越英特爾，在全球半導體公司中躋身前列，而這也是A股歷史上首隻科技股市值超越美股知名科技股市值。
長期以來，依託基建、金融、資源驅動的發展路徑，A股市值榜首長期被金融、石油等傳統行業佔據，工商銀行、建設銀行、中國石油等傳統巨頭輪流坐莊。
長鑫科技這次拿下市值王座，本質上是市場價值標尺的切換：資本不再單純追捧穩定分紅的傳統資產，而是開始為中國國產算力底層硬體的替代空間、長期技術成長性重新定價，A股價值重心正式向硬科技賽道遷移。
而業績層面的反轉，是資本信心最直觀的支撐。2026年一季度，長鑫科技營收達508億元，同比增長719%，歸母淨利潤247.62億元。要知道，在2023年，它全年還虧損了163.4億元。
短短兩年，從持續燒錢的研髮型企業轉向規模化盈利，長鑫科技向市場展現出了行業周期上行疊加產能落地帶來的業績爆發力。
不過資本市場給出高溢價，並不僅僅著眼於當下的利潤。資本押注的，是長鑫在全球DRAM賽道持續擴張的長期潛力。
當前全球DRAM市場規模突破千億美元，中國國產記憶體長期存在巨大供給缺口。一旦產能持續釋放，長鑫科技的全球份額有望攀升至15%乃至20%，營收與盈利增長空間依然廣闊，這也是資金願意給予長期溢價的底層邏輯。
如果說資本市場給出的定價是外界對長鑫的投票，那麼真正值得追問的是：長鑫憑什麼拿到了這張選票？
答案藏在一條極不尋常的技術突圍路徑裡。過去二十年全球DRAM市場長期由三星、SK海力士、美光三家絕對掌控，三家合計佔據超過95%的市場份額，中國記憶體晶片中國國產化率近乎歸零。對於後來者而言，挑戰不僅在於技術壁壘，更在於三家巨頭會擠壓其他DRAM企業的生存空間。
一個典型的案例就是歐洲廠商奇夢達，2006年，英飛凌拆分記憶體業務成立奇夢達，一度登頂全球第二。但在2008年後，DRAM價格雪崩，奇夢達母公司停止輸血，加上三星逆勢擴產加劇供給過剩，奇夢達最終宣告破產，退出DRAM製造。
在這樣殘酷的競爭格局和DRAM晶片周期性波動下，傳統思路是穩紮穩打，逐步追趕，但長鑫科技選擇了一條截然不同的路徑。
它摒棄了跟隨式迭代路線，直接採用跳代研發模式。在2019年19nm 實現中國自主量產之後，公司直接跳過行業常規18nm過渡節點，集中資源攻堅17nm先進製程；另外，在產品端放棄在DDR4賽道與海外巨頭低價內卷，研發重心全面轉向DDR5、LPDDR5/5X高端產品線。
這種路線風險極高，一旦失敗，前期投入的巨額資金無法收回。但可喜的是，3年後，長鑫科技就實現了DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/X5的產品覆蓋和迭代。
2023年，全球記憶體行業陷入寒冬，需求萎靡，價格暴跌，三大巨頭紛紛宣佈減產和削減資本以自保。但長鑫科技認為DRAM行業是具有周期性的，萎靡之後會迎來新一輪爆發。因此，長鑫科技逆勢將12英吋晶圓月產能從9萬片大幅提升至15萬片，提前鎖定周期反轉紅利。
正如長鑫所預料的那樣，2025年，AI算力產業全面爆發，全球對記憶體晶片的需求激增。三星、SK海力士、美光等海外廠商為了追逐更高利潤的HBM賽道，紛紛將有限的產能向HBM傾斜，主動讓出了部分DRAM市場。而長鑫科技此前逆勢建成的產能恰好卡住了這一結構性缺口，精準補位，迅速佔領市場份額。
截至2026年一季度，長鑫科技全球DRAM市場份額已達8%，位列全球第四。此前，中國在CPU、GPU、AI晶片等領域都有不同程度的自主化嘗試，但始終缺少DRAM的產品線，長鑫科技的崛起，補齊了中國算力基礎設施的核心短板，讓中國第一次擁有了完整的記憶體-計算-網路全端中國國產化的可能性。
長鑫科技上市的意義，遠不止單家企業實現資本化突圍，更將帶動中國半導體上下游全鏈路協同繁榮，加速記憶體產業鏈自主可控。
在上游，此次IPO募集的巨額資金中，長鑫科技將投入220.66億元進行裝置購買及安裝。這筆訂單將直接流向刻蝕裝置、薄膜沉積裝置、清洗裝置、檢測裝置等半導體裝備供應商，以及矽片、光刻膠、拋光液等關鍵材料廠商。
對裝置廠商而言，長鑫穩定大額採購將帶來持續批次訂單，加速裝置量產迭代；對材料企業來說，依託長鑫成熟量產產線完成工藝認證後，產品可同步匯入中國其他晶圓廠，打開規模化商用空間。
在下游，長鑫科技已進入阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想、小米、榮耀、OPPO等頭部客戶的供應鏈。對於這些下游企業而言，中國國產DRAM貨源的意義不僅是成本上的最佳化，更重要的是供應鏈安全層面的保障。
此外，依託長鑫科技的正向虹吸效應，長鑫科技所在的合肥經開區已經吸引半導體裝置、電子特氣、靶材、封測廠商紛紛設廠，建立研發中心。
不難看出，在長鑫科技的加持下，從上游裝置材料到晶片設計製造再到下游模組封裝，整個記憶體產業鏈的投資邏輯將更加完整。
結語
早在長鑫科技上市前夕，輝達就宣佈與SK集團達成價值5000億美元的晶片供應合作，博通則與三星電子達成價值2000億美元的半導體供應合作協議，海外巨頭持續鞏固產業鏈話語權，全球半導體競爭仍趨白熱化。
從“506項目”的一片空地到登頂A股，長鑫用十年時間完成了從0到1的突破，但接下來的從1到N，才是真正的考驗。
當前，AI大模型訓練需要海量資料，這對記憶體頻寬要求極高，而HBM先進記憶體晶片市場仍由三大廠商主導。未來，長鑫科技能否啃下HBM這個AI算力的制高點，能否在下一代DDR6、LPDDR6的競爭中不被拉開差距，能否在下一輪記憶體周期下行時保持韌性，這些問題的答案將決定長鑫科技的未來走向。
但至少現在看，長鑫科技充滿信心。(算力網)