長鑫科技的崛起證明了中國半導體有能力從追趕者變為競爭者，但真正的護城河不在市值，而在於穿越周期的能力。 7月27日，中國資本市場迎來一個歷史性時刻。中國國產DRAM龍頭企業長鑫科技正式登陸科創板。該股以8.66元/股的發行價強勢沖高，盤中最高漲幅超530%。截至收盤，股價報收49元/股，漲幅462.82%，總市值達3.28兆元，成功超越工商銀行的2.76兆市值，登頂A股榜首。 如果說長鑫科技的上市是一場盛大的“成人禮”，那麼這場儀式背後，是跨越十年的產業長征。長鑫科技不僅填補了中國DRAM晶片領域從0到1的自主量產空白，更標誌著中國正式躋身全球DRAM核心玩家行列。 長鑫科技本次IPO募資約579.19億元，成為科創板設立以來，規模最大的首次公開發行。上市首日，公司總市值一舉超越英特爾，在全球半導體公司中躋身前列，而這也是A股歷史上首隻科技股市值超越美股知名科技股市值。

韓國和日本研究人員在2026年IEEE/JSAP VLSI技術與電路研討會上，同時提出了兩種全新的HBM（高頻寬記憶體）方案，核心思路驚人一致：把DRAM（動態隨機存取記憶體）晶片豎起來放，解決AI晶片越來越嚴重的散熱瓶頸。 韓國方案叫V-Die，由蔚山國家科學技術研究所（UNIST）提出。這套設計把定製DRAM晶片旋轉90度豎直放置，用TSV（矽通孔）釋放晶片面積來塞更多記憶體單元，每個晶片底部獨立走I/O通道，相鄰晶片之間還塞了液冷散熱通道。 模擬測試中，同樣容量下V-Die跑GPT-3等級負載達到540 tokens/s，而傳統HBM4隻有296 tokens/s，性能翻了近一倍。 日本方案叫MOSAIC，由東京大學團隊主導，思路類似但重點不同，它用正交晶片堆疊加上無接觸晶片間介面，資料傳輸不靠物理觸點，而是通過微型電感線圈耦合，每個通道速率跑到4 Gbps。

AI算力驅動下，儲存行業正式進入“超級周期”。資料顯示，三星、SK海力士、美光三大廠商佔據全球超90%的DRAM市場份額。自2025年下半年起，行業巨頭將絕大部分先進製程產能轉向高利潤的AI伺服器用HBM產品，系統性壓縮消費級儲存產能。此前，“實體記憶體或被替代”的相關消息，曾對儲存晶片市場造成一定影響，但行業持續走高的景氣度，徹底打消了市場顧慮。有業內人士表示，疊加全球產能結構性緊張、訂單持續飽滿，儲存晶片產業正迎來由AI算力革命引領的新一輪超級周期，全年增長態勢較為明確。在這樣的行業背景下，侃見財經認為，年記憶體儲行業龍頭企業業績將持續兌現，部分龍頭企業業績甚至會實現跨越式增長。近期，儲存晶片龍頭企業兆易創新發佈2025年財報，財報資料顯示，報告期內公司實現營業收入92.03億元，同比增長25.12%；淨利潤16.48億元，同比增長49.47%；扣非淨利潤14.69億元，同比增長42.57%。具體到第四季度，兆易創新營收23.72億元，同比增長39%；淨利潤5.65億元，同比增長108.85%；扣非淨利潤4.27億元，同比增長68.79%。從單季度表現來看，兆易創新業績正加速兌現。這一業績表現也反映在資本市場，兆易創新股價迎來大幅上漲。統計顯示，自去年8月至今，公司股價最高漲幅超過200%，截至目前，漲幅仍超過120%，市值增長突破1000億元。股價大漲直接讓公司控股股東朱一明受益，根據股權穿透結果，朱一明合計持有兆易創新6.85%的股份，以最新收盤價格計算，該部分持股市值約127億元。胡潤研究院最新發佈的2026年全球富豪榜單顯示，朱一明以160億財富，位列全球第2044位，排名同比上升531位。此外，近期兆易創新實際控制人朱一明大手筆減持公司股份，也引發了市場廣泛關注。股價創下新高後，兆易創新實際控制人朱一明拋出減持計畫。4月7日，兆易創新發佈公告稱，公司控股股東、實控人朱一明因個人資金需求，計畫通過集中競價和大宗交易方式減持公司股份不超過1121萬股，約佔公司總股本的1.60%。其中，集中競價減持不超過700萬股，大宗交易減持不超過421萬股。按照公告當日收盤價格計算，朱一明此次套現金額約28億元。據悉，朱一明此次減持的股票來源，為IPO前取得的股份。值得注意的是，此次減持並非朱一明首次減持。根據同花順資料統計，2019年下半年，朱一明通過大宗交易及集中競價方式累計減持公司股份639.12萬股，約佔當時公司總股本的2%；2020年9月，朱一明再度減持公司471.53萬股，佔總股本的1%；2021年至2022年，朱一明的減持動作更為集中，期間累計減持1065.46萬股，佔總股本的比例為1.73%。面對控股股東的減持動作，市場整體態度相對樂觀。明星投資人葛衛東家族更是持續加倉。年報資料顯示，截至2025年末，葛衛東的關聯人王萍新進成為兆易創新前十大流通股東，合計持股755.67萬股，其在第四季度耗資約3億元，加倉超145萬股；而葛衛東持倉約1702.67萬股，與三季度持股資料持平，為公司第三大股東。葛衛東投資兆易創新，最早可追溯至2018年。資料顯示，2018年二季度，葛衛東就以252.4萬股的持倉，成為兆易創新第八大流通股東；到2019年三季度，葛衛東再度大舉加倉，持股1439.02萬股，成為公司第六大股東；2020年底，葛衛東持有兆易創新股份已上升至2110萬股，佔公司總股本的4.8%；經過公司高送轉後，2021年中旬葛衛東持股數量增至2951萬股。但需要說明的是，葛衛東自2021年三季度開始減持兆易創新，當時公司股價經歷一輪上漲，葛衛東減持時機把握十分精準，直至2022年底，葛衛東才結束減持。2024年9月，兆易創新股價開始擺脫下行周期，葛衛東持股數量始終未變，直至2025年三季度才小幅減持169.53萬股；而到第四季度，其關聯人王萍卻增持145萬股。那麼，為何葛衛東家族能夠無懼控股股東減持，堅定持有兆易創新？侃見財經認為，隨著儲存行業超級周期開啟，持續兌現的業績足以抵消控股股東減持帶來的壓力。此外，兆易創新在港股成功上市後，逐步具備國際化視野，這將助力公司在全球市場實現突圍。從收入結構來看，兆易創新在中國香港以及中國大陸的營收佔比合計為77.22%，從市場拓展角度來看，公司海外營收提升仍有較大空間。4月7日，三星電子披露2026年一季度業績，財報顯示，一季度公司營業利潤57.2兆韓元，同比增長755.01%；銷售額133兆韓元，同比增長68.1%。值得一提的是，三星電子在2026年一季度將DRAM合約價上調100%後，二季度DRAM合約價將再度環比上漲30%，兩季度合計漲價幅度高達130%。花旗最新研報指出，強勁的人工智慧推理記憶體需求，將在2026年全年支撐三星的記憶體定價，尤其是伺服器DRAM產品。資料顯示，2026年一季度儲存晶片價格持續飆升。群智諮詢最新資料顯示，一季度消費電子儲存價格較2025年第四季度漲幅超60%，其中NAND快閃記憶體環比漲幅突破70%，創下近年來單季最高漲幅紀錄。華福證券研報分析稱，2026年第一季度儲存晶片價格大幅上漲，伺服器用64GB DDR DIMM價格環比上漲150%，移動端12GB LPDDR5X上漲130%，前代產品8GB DDR SO-DIMM也暴漲180%。值得注意的是，AI伺服器對HBM、DDR5等高頻寬記憶體的需求持續旺盛，促使儲存原廠優先將產能向高利潤產品傾斜，消費電子用DRAM與NAND的供應規模被進一步壓縮。國盛證券認為，本輪儲存行情已經跳出此前的周期循環，進入人工智慧重塑行業底層邏輯的成長大時代。平安證券認為，當前海外雲服務提供商不斷加碼AI基礎設施建設，持續拉升企業級儲存需求，推動儲存行業景氣度持續上行，儲存主流產品迎來量價齊升態勢；考慮到AI領域持續高景氣，本輪儲存周期的強度和持續性有望超過上一輪，相關產業鏈企業有望迎來盈利水平明顯提升。中信證券認為，AI需求帶動下，儲存行業仍處於超級景氣周期前中段，供需緊張局面至少持續至2027年。有業內人士表示，2026年至2027年儲存晶片價格將保持堅挺，產能逐步釋放雖能避免行業出現嚴重短缺，但無法徹底解決供給不足的問題。在財報中，兆易創新表示，公司儲存晶片營收同比增長約26.41%，其中利基型DRAM及SLC NAND Flash受益於行業供給緊縮帶來的價格快速上行，營收增速表現亮眼；NOR Flash收入延續穩健增長，價格也於2025年下半年開啟溫和上漲。定製化儲存解決方案方面，公司控股子公司青耘科技在2025年下半年已陸續有部分項目進入客戶送樣、小批次試產階段，2026年有望實現量產並貢獻相應收入。侃見財經認為，在行業超高景氣的背景下，儲存行業龍頭企業業績將持續兌現，部分企業甚至實現跨越式增長，因此市場並未對兆易創新控股股東的減持行為過度反應。從業績層面來看，即便公司2025年業績已創歷史新高，但業績兌現節奏仍在加快。從市場格局來看，相較於海外市場，國內高端晶片擴產趨勢更為強勁，國記憶體儲晶片擴產節奏與邊際增速顯著優於海外，因此市場也更看好國記憶體儲晶片企業的業績放量。目前兆易創新動態市盈率依舊高達112倍，市場願意給出如此高的估值，核心是看好公司能夠通過持續高增長的業績，消化當前估值泡沫。 (侃見財經)

在全球人工智慧基建投資熱潮的推動下，儲存晶片正成為半導體賽道中最炙手可熱的類股。近期，韓國和中國大陸相繼發佈的產業資料，均印證了這一趨勢的強勁勢頭。從韓國出口創下歷史新高，到國內相關企業營收迅猛增長，AI驅動的算力需求正深刻重塑全球儲存產業格局，也讓作為“算力基石”的DRAM晶片廠商站上風口。中韓儲存同步高增，全球算力周期共振韓國產業通商資源部最新資料顯示，今年2月韓國出口總額同比增長29%，達到674.5億美元，刷新單月曆史紀錄。其中，半導體出口表現尤為搶眼，同比暴漲160.8%，達251.6億美元。這不僅是單月新高，也是連續第三個月突破200億美元大關。市場分析認為，這一驚人增速的核心驅動力，正是全球AI基礎設施建設激發的儲存晶片需求激增，以及由此引發的儲存器價格回升。儲存巨頭的業績為此提供了有力註腳。僅2025年第四季度，三星電子和SK海力士的營業利潤合計便高達約40兆韓元（約合270億美元），凸顯出AI紅利正加速向半導體上游傳導。類似的產業景氣周期也在國內上演。寒武紀、佰維儲存、拓荊科技等半導體公司營收同比迅猛增長；摩爾線程、沐曦股份等初創企業在IPO後市值雙雙殺入科創板前六。這一系列亮眼表現，折射出國內算力與儲存需求的旺盛景氣度，也印證了市場對AI產業鏈的強勁預期。在AI算力時代，儲存晶片已成為不可或缺的核心基礎設施。全球儲存產能向美巨頭傾斜，長鑫科技凸顯本土DRAM戰略稀缺性在這波AI基建投資熱潮中，全球儲存晶片供給格局卻出現結構性失衡。SK海力士、三星、美光三大巨頭將絕大部分先進產能優先分配給輝達、微軟、Meta等美國科技巨頭，長期合約鎖定了產能流向。這一格局，進一步凸顯了長鑫科技作為本土唯一DRAM供應商的戰略稀缺性。一名行業資深人士指出：“三星、SK海力士在韓國半導體產業中發揮了AI基建基石的功能，國內能與之類比的企業是長鑫科技。作為國內唯一實現DRAM記憶體技術突破並規模化量產的企業，長鑫已成長為全球第四大DRAM供應商。國內要建構完整自主的AI產業鏈，長鑫是不可或缺的一環。”即將登陸科創板的處理程序，使長鑫成為資本市場與產業界共同關注的焦點。其2025年底公開的招股書資料，已為上述判斷提供了有力支撐。2022年至2024年，長鑫科技年度營業收入分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元，年複合增長率高達72.04%。2025年1-9月，公司營收同比增長97.79%；其中第三季度表現尤為亮眼，營收同比增幅達148.80%。目前，長鑫科技的產品已深度滲透進國產科技生態，客戶覆蓋阿里巴巴、字節跳動、騰訊、聯想、小米、榮耀等行業頭部企業。行業資深人士強調：“在AI算力時代，掌握核心儲存晶片的自主產能，不僅是保障國內產業鏈安全的關鍵防線，更是參與全球科技競賽的入場券。隨著國內AI基建與應用需求快速釋放，國內半導體‘內生循環’也在加速成型。”總結對於即將登陸資本市場的長鑫而言，招股書中超過140%的季度營收增長，已經向市場釋放出明確訊號：在這場AI基建浪潮中，作為“算力基石”的儲存晶片廠商，正迎來屬於自己的黃金發展周期。在全球供給失衡與國內需求爆發的雙重背景下，長鑫的戰略價值與發展潛力，值得市場持續關注。 (芯榜)

三星電子和SK海力士近期成功將供應給蘋果的低功耗DRAM價格較上季度提高近一倍，標誌著全球最大智慧型手機製造商之一在記憶體供應緊張局面下也不得不接受大幅漲價。AI圖片分析認為，這一價格調整打破了蘋果長期以來憑藉市場地位獲取低價記憶體的慣例，凸顯當前記憶體市場供需失衡的嚴峻程度。1月27日，據韓國媒體zdnet報導，三星電子在與蘋果的談判中提出一季度LPDDR晶片價格上漲超過80%，而SK海力士的漲幅約為100%。蘋果去年iPhone出貨量約為2.5億部，是LPDDR的關鍵客戶。報告稱，記憶體價格飆升源於全球科技巨頭對AI基礎設施的激進投資推動DRAM需求激增，而供應商將產能重點轉向HBM（高頻寬記憶體），加劇了供應短缺。市場研究機構TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。據報導，業內人士透露，蘋果通常每年簽訂記憶體長期協議，但考慮到當前記憶體危機，今年僅完成了上半年的單價談判。隨著下半年iPhone 18等新品發佈，價格可能進一步上漲。消息出爐之後，SK海力士、三星電子午後漲幅進一步擴大，其中SK海力士漲超8%，三星電子漲近4%。01 供應緊張迫使蘋果接受大幅漲價三星電子和SK海力士在今年一季度與蘋果的談判中取得顯著成果。報導指出，據韓國業內消息人士透露，三星電子提出的LPDDR價格漲幅超過80%，SK海力士的漲幅則達到約100%。這是蘋果作為主要客戶首次在短期內接受如此大幅度的價格調整。據悉，LPDDR是一種相比標準DRAM更注重能效的記憶體類型，對包括智慧型手機在內的IT裝置至關重要。目前第七代LPDDR5X應用最為廣泛。蘋果憑藉每年約2.5億部的iPhone出貨量，一直是LPDDR市場的關鍵買家。報導指出，儘管價格大幅上漲，但蘋果支付的LPDDR價格並非市場最高水平。作為記憶體市場的主要參與者，蘋果長期利用其主導地位以低於其他公司的價格採購LPDDR。業內人士認為，此次談判顯著縮小了蘋果與記憶體供應商之間的價格差距。02 AI需求擠壓傳統記憶體供應記憶體價格急劇上漲的根本原因在於供需結構失衡。報導稱，全球大型科技公司對AI基礎設施的大規模投資推動DRAM需求激增，而三星電子和SK海力士等供應商將產能重點轉向利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM和LPDDR供應緊張。市場資料顯示，LPDDR5價格已在去年四季度上漲約40%。TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。一位業內人士表示："一季度的漲幅更大，整體漲幅至少達到60%。"如果蘋果的記憶體價格上漲得到全面反映，記憶體供應商一季度的整體盈利能力預計將進一步改善。這對於在去年經歷行業周期低谷的三星電子和SK海力士而言，意味著DRAM業務盈利能力在一季度實現最大化。03 下半年價格或繼續攀升與以往做法不同，蘋果今年僅完成了上半年的記憶體單價談判，而非簽訂全年長期協議。一位半導體業內人士解釋："蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議，但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。"這一變化為下半年價格進一步上漲留下空間。該人士補充說："隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。"蘋果預計將在下半年發佈最新旗艦智慧型手機iPhone 18，屆時對LPDDR的需求將顯著增加。分析指出，短期合約的簽訂反映出當前記憶體市場的不確定性，也顯示蘋果在供應緊張環境下議價能力的減弱。對於三星電子和SK海力士而言，這意味著在下半年新一輪談判中可能獲得更大的定價主動權。 (華爾街見聞)

4月，儲存晶片似乎迎來行業的轉折點。月初，筆者曾報導過閃迪、美光等公司開啟漲價潮。月尾，來自市場研究機構的統計資料給這個月儲存晶片的價格走勢做了總結。DRAMeXchange 4月30日資料顯示，用於個人電腦的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字節）產品的固定交易價格為1.65美元，較3月份上漲22.22%。用於儲存卡和USB的128Gb MLC NAND快閃記憶體的固定交易價格也較3月份上漲11.06%，達到2.79美元。關於價格波動的原因，主要是IT裝置製造商為應對美國關稅風險，急於增加晶片庫存，從而推動採購需求。從當前市場來看，如果要問儲存晶片的“甜蜜點”何時到來？筆者認為，當下已至。01. DRAM，持續漲價短短一周，DRAM市場已有兩則漲價消息傳出，分別為SK海力士與三星電子。近期，供應鏈內部消息透露，SK海力士公司針對其消費級DRAM晶片進行了價格調整，上調幅度超過了10%。另有報導稱，SK海力士計畫將DDR5 DRAM價格上調15%-20%。5月初，三星電子與主要客戶就提高DRAM晶片售價達成一致。其中，DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數百分比，具體為20%;DDR5 DRAM價格上漲個位數百分比，約為5%。三星電子已以漲價後的價格與客戶簽訂了DRAM供應合同，並稱整個半導體行業的DRAM價格都在上漲。這是三星電子今年首次上調DRAM價格，也是近一年來的首次。業內人士表示，儘管去年半導體市場面臨供應過剩的挑戰，但隨著主要生產商減少產量，市場供應量已有所縮減。當前，隨著三星啟動漲價，新一輪合同談判正在緊鑼密鼓地進行中。然而，漲價僅僅是DRAM市場當前表現的其中一種，該市場的變化，並非止步於此。02. DRAM競爭，開始分層DRAM市場的競爭格局，便是最顯眼的變化之一。今年2月，市場消息稱，三星、SK海力士和美光等主要DRAM製造商逐步計畫在2025年下半年終止DDR3和DDR4記憶體的生產。這一決策是由於對HBM（高頻寬記憶體）和DDR5等最新記憶體技術的需求增加，以及DDR3和DDR4記憶體收益性的下降所驅動的。預計從2025年夏季開始，由於這些主要廠商的退出，市場上DDR3和DDR4的供應將顯著減少，可能導致實際的供應短缺情況。具體來說，SK海力士於2023年年底，停止供貨DDR3，並於2024年第三季度將DDR4的生產比重降至30%，第四季度更降至20%。三星於2024年第二季停產DDR3，並持續減少DDR4產能，轉向DDR5與LPDDR5等高階產品。另外，台灣最大DRAM晶片製造商南亞科目前產能主力也開始大幅轉向DDR4及DDR5，DDR3僅接受客戶代工訂單。不過從近日的市場現狀來看，晶片巨頭的DDR4的減產動作或許並不會太快，畢竟這些公司還在近日逐步調漲產品價格，這也從另一方面證明目前市場對於DDR4的需求較為旺盛。在DDR5、HBM領域，國產儲存公司的競爭能力有限，單隨著國際廠商的逐步退出DDR3及DDR4市場，國產儲存有望憑藉成本優勢承接這部分市場需求。DDR3主要應用於液晶電視、數字機頂盒、WiFi路由器、掃地機器人、網路交換器等消費電子與網路通訊等領域。聚焦國內產業鏈，中國大陸DDR3產品性能比肩海外廠商，Fabless廠商如兆易創新、北京君正、東芯股份均主要發力DDR3和小容量DDR4。03. DRAM龍頭，易主根據近日多方研究機構發佈的統計報告，均顯示在SK海力士與三星的DRAM市場份額爭奪戰中，SK海力士首次登頂，終結三星長達四十多年的市場統治地位。據行業研究機構Counterpoint發佈的2025年第一季度DRAM記憶體市場份額報告顯示，SK海力士在該季度首次超越三星電子，佔據市場第一的位置。這一成果主要得益於其在HBM領域的突出表現。資料顯示，2025年第一季度，全球三大DRAM廠商——SK海力士、三星電子和美光科技分別佔據了36%、34%和25%的市場份額，其餘廠商則分享了剩餘的5%。在HBM細分市場中，SK海力士更是佔據了70%的主導地位。隨後，CFM也發佈了統計資料，在AI伺服器需求與PC和移動需求復甦推動下，疊加關稅觸發的部分補庫存需求的共同影響，2025年一季度DRAM整體表現優於預期，全球DRAM市場規模同比增長42.5%至267.29億美元，環比減少8.5%。期間，SK海力士憑藉在HBM領域的絕對優勢，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。王座易主的硝煙未散，儲存賽道已掀起更殘酷的技術角力。為了提前克服 DRAM 擴展限制並引領下一代記憶體製造，幾大科技巨頭均在不斷開發新的記憶體技術，以期在接下來的儲存之爭中再拔頭籌。04. DRAM，新技術角力DRAM，邁入EUV時代首先看看三大儲存晶片巨頭在先進製程節點的競爭現狀。自2016年以來，DRAM就一直在10nm等級（19nm到10nm，或1X）徘徊，三大儲存廠商（三星、SK海力士和美光）也都推出了多代的工藝。當中的每一次升級，都涉及在某些維度上減小 DRAM 單元尺寸，以實現增加密度和降低功耗的目的。儲存業界關於製程的命名規則比較特殊叫做：1x、1y、1z等。 1X nm節點在16-19nm之間，1Y nm在14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。1α則是DRAM製程在1z之後的一個演進，根據現階段所知的消息，1α的製造工藝大致對應於10-12nm的工藝。 1α-nm可能對應的是更小的12~14nm，1β-nm可能對應的是10~12nm，1γ-nm可能對應的是10nm。如今，這一技術競賽已經打到10nm及以下。據韓媒ETNews 報導，三星電子為應對其 12nm 級 DRAM 記憶體產品在良率和性能方面的雙重挑戰，已決定在改進現有 1b nm 工藝的同時，從頭設計新版 1b nm DRAM，該項目被命名為 D1B-P。同時他們還調整了第六代10奈米級（1C）DRAM的開發計畫。另一方面，三星電子的第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發進度出現延遲。原本計畫在 2024 年 12 月將 1c nm 製程 DRAM 的良率提升至 70%，達到結束開發工作、進入量產階段所需的水平，但實際情況是，儘管三星在 2023 年末成功制得 1c nm DRAM 的良品晶粒，整體良率卻無法滿足要求。據市場人士透露，三星計畫在未來六個月內將良率提升至約 70%。三星上代1b nm 記憶體於 2022 年 10 月完成開發、2023 年 5 月量產，若按新計畫，1c DRAM 開發結束時間定於 2025 年中，量產則可能延後到 2025 年底，兩代 DRAM 工藝間的間隔會來到約 2.5 年，這明顯長於 1.5 年的業界一般開發周期。三星的競爭對手SK海力士已於 2024 年 8 月底宣佈完成 1c DRAM 開發，並計畫在 2025 年 2 月開始量產 1c nm DRAM 晶片，成為全球首家運用 1c nm 工藝生產 DRAM 晶片的儲存器供應商。今年2月，美光宣佈，該公司在業界率先向生態系統合作夥伴和特定客戶交付了專為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）、第六代（10 奈米級）DRAM 節點 DDR5 記憶體樣品。1γ DRAM 的這一里程碑建立在美光之前 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節點領導地位的基礎上，旨在提供創新，為未來計算平台提供支援，從雲端到工業和消費應用，再到邊緣 AI 裝置，如 AI PC、智慧型手機和汽車。在推進技術迭代的過程中，EUV吸引到各方注意。按照SK海力士的說法，半導體行業一直在準備以 EUV 光刻機實現 10 奈米級規模的工藝。通過利用 13.5nm 波長的光，EUV光刻機較之現有的 193nm 的 ArF 實現更精細的半導體電路圖案，而無需進行多重圖案化。借助這種方式，能將處理步驟的數量減少了，因此製造時間比當前的多重圖案化技術（如四重圖案化技術 (QPT)）更短，從而使 EUV 成為迄今為止唯一的突破。早在2020年，儲存晶片巨頭就已經關注到EUV在未來先進製程製造中的便利性。三星是三大儲存原廠中首先引入 EUV 的企業，2020年3月，三星宣佈採用 EUV 光刻裝置製造 10nm DRAM 晶片，並在同年交付 100 萬個基於 EUV 技術的 10 奈米級 (D1x) DDR4 DRAM 模組 。2021 年 10 月，三星正式量產 14nm EUV DDR5 DRAM 。據悉，三星為穩定EUV工藝，不僅配置了超過30台EUV裝置（全球最大規模），還成立專項工作組，由前英特爾專家李尚勳主導光刻膠材料研發和光源最佳化。其內部資料顯示，通過改進掩模保護膜和缺陷檢測演算法，近期EUV層良率已提升至85%以上。此外，三星電子計畫在其華城園區安裝首台來自 ASML 的High-NA EUV（極紫外光刻）光刻機。2021 年 2 月，SK 海力士完成了首個用於 DRAM 的 EUV 晶圓廠 M16，正式引入 EUV 光刻裝置，並在同年 7 月宣佈量產 1a nm 工藝的 8 千兆的 LPDDR4 EUV DRAM 。SK海力士則採取漸進式擴張，通過與美國應用材料公司合作開發混合式光刻方案，試圖平衡成本與性能。其採取了更為保守的策略。儘管在D1c DRAM中計畫應用超過五層EUV工藝。據悉，當下已有10多台EUV光刻機在利川的M16工廠運作。在去年的組織調整中，SK海力士解散了原本獨立運作的EUV技術小組，並將其併入了未來技術研究院。 這一調整彰顯了SK海力士專注於長遠技術突破的決心，而非僅僅追求短期產量的提升。在SK海力士的計畫裡，High-NA自然必不可少，目前SK海力士正在計畫加大對下一代EUV光刻裝置的投入。與其他半導體大廠相比，美光並不急於為DRAM晶片生產匯入EUV（極紫外光）裝置，其DRAM晶片產品皆採用DUV（深紫外光）光刻機製造。一直到2024 年，才有報導稱美光計畫在其 10 奈米級的 1γ 製程技術上進行 EUV 光刻技術試生產，預計 2025 年大規模量產 。現階段，美光正在日本廣島工廠開發相關製造技術 。美光選擇在此時引入 EUV 技術，主要因為 DRAM 先進製程不斷朝 10nm 等級邁進，傳統光刻技術已難以滿足生產需求。3D DRAM成為潮流除了製程工藝微縮，3D DRAM 技術正逐漸嶄露頭角，被視為儲存晶片行業未來發展的重要方向之一。3D DRAM 技術的出現，源於傳統二維 DRAM 架構在面對不斷增長的儲存需求時逐漸顯露出的侷限性。隨著電子裝置對儲存容量和性能的要求日益提高，傳統 DRAM 在儲存密度、讀寫速度和功耗等方面面臨著嚴峻挑戰。為了突破這些限制，半導體行業借鑑了 NAND Flash 的 3D 堆疊技術經驗，開始探索將 DRAM 從二維平面向三維立體架構轉變。在3D DRAM技術領域，三星、SK海力士和美光三大儲存巨頭均已展開佈局，但技術路徑與命名體系存在差異。三星是垂直堆疊技術引領者，通過垂直通道電晶體（VCT）技術，將電晶體垂直排列，使單元面積縮小30%，並結合鉿鋯氧化物（HZO）材料最佳化電荷儲存性能。目前其已成功研發128Gb容量的3D X-DRAM樣品，計畫2025年推出基於4F²架構的商用產品，目標2030年前將單顆晶片容量擴展至1Tb。該技術的優勢為高頻寬、低延遲，單位面積儲存容量較傳統2D DRAM提升3倍以上。據韓媒近日的最新報導，三星半導體（DS）部門的管理層已制定了明確的VCT DRAM量產路線圖，並正式啟動相關工作。正如上文所言，三星正在量產第五代10奈米級DRAM，並計畫在今年實現第六代產品的量產，在確定了明年開發第七代產品的時間表後，三星最終選擇了VCT DRAM作為第八代產品的開發方向。SK海力士自然不會在新一輪技術競賽中落後，該公司採用垂直柵極（VG）技術。去年在“VLSI 2024”大會上展示了5層堆疊3D DRAM原型，並宣佈實現了56.1%的良率。其研究論文，指出實驗中的3D DRAM顯示出與目前使用的2D DRAM相似的特性，這是海力士首次披露其3D DRAM開發的具體資料和運行特性。此外，海力士還在研究將IGZO材料應用於3D DRAM，以解決頻寬和延遲方面的挑戰。IGZO是由銦、鎵、氧化鋅組成的金屬氧化物材料，大致分為非晶質IGZO和晶化IGZO。美光在2019年就開始了3D DRAM的研究工作。截止2022年8月，美光已獲得了30多項3D DRAM專利。相比之下，美光專利數量是三星和SK海力士這兩家韓國晶片製造商的兩三倍。美光於 2023 年末在 IEEE IEDM 會議上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非易失性 DRAM）研發成果。不過根據外媒 Blocks & Files 從兩位受採訪的行業分析師處得到的消息，這一突破性的新型記憶體基本不可能走向商業化量產道路，但其展現的技術進展有望出現在未來記憶體產品之中。 (半導體產業縱橫)