SK海力士與閃迪聯合發佈高帶寬閃存（HBF）全球首個標準規範，距聯盟成立僅六個月。HBF定位於HBM與SSD之間的新型記憶體層級，支援最高512GB容量及0.4至3.0TB/s帶寬，採用UCIe開放互聯標準。Google與Tenstorrent已加入聯盟，規範通過OCP向全行業開放。
$SK海力士 (SKHY.US)$攜手$閃迪 (SNDK.US)$，在人工智慧記憶體架構競賽中共同落子。
8月4日，SK海力士攜手閃迪聯合發佈高帶寬閃存（HBF）全球首個標準規範，這一里程碑距HBF聯盟正式成立僅約六個月，標誌著下一代AI記憶體技術的標準化進程正式提速。
上述規範在加利福尼亞州聖克拉拉舉行的"FMS 2026"記憶體峰會上正式亮相。Google與Tenstorrent已宣佈加入HBF聯盟，進一步擴大該技術的產業生態覆蓋。
SK海力士執行副總裁Kim Chun-sung表示，HBF將打破內存與記憶體之間的邊界，助力構建提升整體系統效率的新型架構。
HBF技術定位於高帶寬內存（HBM）與固態硬盤（SSD）之間的新型記憶體層級，旨在同時解決AI推理場景下的帶寬瓶頸與容量擴展難題。
此前Citrini Research分析師Jukan曾於4月在社交平台X上指出，Google是目前推動HBF落地最為積極的玩家，而輝達對HBF的興趣則相對有限，認為現有eSSD已能滿足相應帶寬需求。
HBF首個標準規範正式落地
此次發佈的HBF標準規範，是SK海力士與閃迪於2025年8月建立初步標準化合作夥伴關係後的最新成果，距今年2月聯盟正式啓動僅約六個月。
規範內容覆蓋多個核心技術維度：
- 容量方面，支援基於兩種堆疊配置（8層與16層NAND晶粒）、最高達512GB的規格；
- 帶寬方面，劃分為三個等級（Grade 1至3），可擴展性能從約0.4TB/s至3.0TB/s。
- 此外，規範還涵蓋連接介面與電氣特性、HBF晶粒堆疊工藝的可靠性與封裝指南，以及軟件I/O指南。
在互聯標準上，HBF採用UCIe（通用小晶片互聯快速介面）這一行業開放標準，為HBF技術跨GPU、CPU等不同處理器類型靈活整合奠定基礎。
SK海力士在推進HBF標準化過程中，採取了開放聯盟與行業協作並行的路徑。
聯盟成員目前已納入Google與Tenstorrent，並通過開放計算項目（OCP）以開放標準形式向全行業披露規範，意在將HBF塑造為產業通用標準。
SK海力士表示，將藉助此次規範發佈，推動HBF技術在AI記憶體市場的採用，並持續培育周邊生態，目標是在開放協作的基礎上進一步擴大聯盟規模，提升技術成熟度與市場接受度。
技術定位：填補HBM與SSD之間的空白
隨著AI推理應用規模持續擴張，待處理數據量急劇增長，單一記憶體類型難以同時滿足高帶寬與大容量的雙重需求，HBF因此獲得市場關注。
HBF技術通過NAND技術大幅擴展容量，同時實現接近HBM水準的高速數據傳輸，在帶寬與容量可擴展性上提供兼顧方案。
SK海力士將其定義為"分層內存"（Tiered Memory）架構的關鍵組成部分，這一架構理念將多種記憶體類型連接並優化為統一系統。
SK海力士執行副總裁Kim Chun-sung與副總裁Kang Uk-song將在FMS 2026開幕日發表題為《在Agentic AI時代通過分層內存構建高效AI基礎設施》的聯合主旨演講，闡述下一代記憶體架構的必要性與發展方向。
8月6日，SK海力士副總裁Lim Eui-cheol、閃迪副總裁Rajeev Nagabhirava與GoogleDeepMind高級工程師Xiaoyu Ma將共同參與題為《以HBF突破內存牆》的圓桌討論。
第十代4D NAND首次公開亮相
在FMS 2026展臺上，SK海力士還首次公開展示其正在研發中的第十代（V10）375層4D NAND晶圓及產品。
375層4D NAND相較上一代產品，每瓦性能提升2.5倍，專為數據中心等對高能效和高性能有嚴苛要求的AI基礎設施環境而優化。
SK海力士計劃於明年初啓動基於該技術的高性能大容量eSSDs量產，以鞏固其在AI NAND市場的領先地位。
此外，SK海力士展臺還將展出涵蓋移動、PC、汽車及機器人領域的多元化產品線，展示其在AI時代與客戶協同創新的成果。(華爾街見聞)