在全球功率半導體市場與學術界，中國企業的存在感正經歷一場深刻的重塑。
曾擔任功率半導體頂級國際會議 ISPSD 大會主席的日本九州工業大學大村一郎教授指出，在碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga₂O₃）以及金剛石等新一代材料的研究與應用中，中國力量正在全面崛起；儘管日本企業目前仍憑憑藉三菱電機、東芝等巨頭在大耐壓矽（Si）基領域保持優勢，但中國在這一傳統陣地上的存在感也在持續攀升。
在最新一屆的 ISPSD 2026 上，中國團隊展現出了強勁的研發爆發力：
在氮化鎵（GaN）領域，中國企業展現出極強的產業與學術主導力，大會關於 GaN 的主要重磅報告絕大多數均來自中國企業，且成果數量遙遙領先。
在瞄準“後碳化矽時代”的超寬禁帶半導體研究中，中國研究力量更是實現了對前沿路線的密集覆蓋。以氧化鎵（Ga₂O₃）為例，本屆大會全部 5 項口頭報告（Oral Presentation）均由中國團隊或中國與海外合作團隊完成；而在金剛石功率半導體領域，大會展示的唯一一項學術成果同樣出自中國團隊之手。
從研究格局來看，全球功率半導體產業的技術天平正在發生轉移。中國不僅在新一代寬禁帶與超寬禁帶半導體材料上實現了技術領跑，同時也在傳統高耐壓矽基領域不斷縮小差距，全方位展現出重塑全球功率半導體競爭格局的勢頭。(半導體芯聞)