據航美報導，韓國國記憶體器企業正加大對中國NAND快閃記憶體生產基地的投資。三星電子已敲定今明兩年在國內投資建設最先進的NAND快閃記憶體轉換工廠的計畫。SK海力士也計畫從今年下半年到明年，確保每月3萬片晶圓的產能。
據業內人士24日透露，三星電子和SK海力士計畫明年在中國積極推進NAND快閃記憶體大規模生產線的設施投資。
自今年上半年以來，三星電子一直在其位於中國西安的X2生產線上進行V9 NAND快閃記憶體的改造投資。三星電子的V9 NAND快閃記憶體是一款採用280個堆疊單元的先進產品，預計每月產能可達4萬至5萬片晶圓。
據報導，三星電子正在敲定追加投資計畫，以加強其晶圓廠的V9 NAND快閃記憶體產能。該計畫的核心是引進額外的蝕刻工藝裝置，而蝕刻工藝是NAND快閃記憶體製造的關鍵環節。
蝕刻是指從用於蝕刻半導體電路的晶圓上去除特定材料的過程。對於需要堆疊數百層單元（資料記憶體的最小單元）的NAND快閃記憶體而言，蝕刻技術至關重要，因為必須鑽出很深的電子通道孔。
因此，三星電子決定從明年下半年開始追加投資，以確保V9 NAND快閃記憶體的穩定量產。相關裝置的採購訂單預計也將在今年年底左右落實。
一位半導體行業人士表示：“三星電子計畫在今年和明年分階段投資，擴大其在中國的尖端NAND快閃記憶體產能。這是為了應對人工智慧（AI）伺服器等高科技NAND快閃記憶體需求的激增。”
SK海力士自今年第三季度以來一直在對其大連二廠的NAND產品進行設施投資升級。據報導，目前正在討論的投資規模約為每月3萬片晶圓。
大連工廠是SK海力士在2020年下半年收購英特爾NAND業務部門時獲得的。隨後，SK海力士 於2022年舉行了大連二廠的奠基儀式，旨在擴大其NAND產能，但由於市場狀況及其他原因，已暫停該設施的投資。
另一位業內人士表示：“SK海力士計畫在明年上半年之前，在其大連二廠投資建設月產能3萬片晶圓的NAND快閃記憶體生產線。”他還補充道：“蝕刻裝置等關鍵製造裝置也將從下個月開始正式引進。”(半導體行業觀察)