長鑫記憶體LPDDR6首發!

AI速讀
小米推出全球首款支援 LPDDR6 的端側 AI 加速器「玄戒03 O100」,與長鑫記憶體合作實現國產化突破,終結國際巨頭對 LPDDR 標準首發的壟斷。該晶片採用先進的 WoW 3D 堆疊與混合鍵合技術,提供 1.22TB/s 極高頻寬,大幅提升端側大模型的推理效率。其應用範圍涵蓋手機、汽車及機器人等生態系,並展示了能運行 120B 參數模型的 AI Cube 原型機,預計 2027 年正式商業化。

今日,小米正式發佈玄戒03晶片O100,新一代玄戒03晶片是全球首個支援LPDDR6記憶體晶片、全球首款專門面向端側大模型的高頻寬AI加速器。



據供應鏈消息,國記憶體儲龍頭長鑫記憶體(CXMT)是小米玄戒03的LPDDR6記憶體核心合作夥伴。

今年3月,已有消息傳出長鑫LPDDR6已經給關鍵客戶送樣,8月初,多家媒體報導長鑫LPDDR6已接近驗證尾聲。

首款產品設計速率達12800Mbps,基礎運行速率為10667Mbps,單顆容量16Gb(晶片容量 16GB),採用1295 Ball的POP封裝。

對比來看,SK海力士基於第六代10nm級(1c)工藝開發16Gb顆粒,最高速率達14.4Gbps,已於2026年3月完成驗證,計畫下半年量產;三星則率先採用12nm工藝,初始速率約10.7Gbps,後續計畫提升至14Gbps,並推進1c工藝,預計同樣於2026年下半年量產。

此次合作打破了三星、SK 海力士和美光長期以來對新一代LPDDR標準旗艦首發的壟斷。

隨著本次玄戒03晶片落地,表明國產LPDDR6晶片產品首次在旗艦級處理器晶片上實現應用,也意味著國產低功耗記憶體正式躋身全球第一梯隊。

除此之外,玄戒O100還實現了多重創新,採用晶圓對晶圓(Wafer-on-Wafer,WoW)3D堆疊技術,將一片6nm NPU計算晶圓與兩片高速DRAM記憶體晶圓進行垂直堆疊。

在互連技術方面,玄戒O100採用先進的混合鍵合(Hybrid Bonding),取代傳統的微凸點(Micro-Bump)連接方式。其鍵合間距從傳統的約50微米大幅縮小至僅1.4微米。

晶片內部由此建構出約258萬個高速物理互連通道,其中TSV(矽通孔)直徑僅為0.7微米。

通過面對面(Face-to-Face)的金屬層直接連接,晶片能夠將資料傳輸路徑直接延伸至計算核心,形成超短距離的“資料通道”,大幅縮短計算單元與記憶體之間的資料傳輸距離。

玄戒O100還搭載小米自研的高頻寬矩陣匯流排HB-Matrix以及14核NPU。借助動態拓撲切換機制,NPU與記憶體之間可以實現超高速資料傳輸:Prefill階段採用Ring環形拓撲,Decode階段則採用Broadcast廣播拓撲,針對不同AI推理階段進行最佳化。

在記憶體性能方面,玄戒O100可提供高達1.22TB/s的近記憶體頻寬(Near-Memory Bandwidth),約為旗艦手機LPDDR5X頻寬的16倍。

在端側AI推理方面,小米實驗室測試顯示,玄戒O100最高可實現330 tokens/s的推理速度,以3B參數模型為測試對象。

這款晶片主要針對端側大語言模型(LLM)應用,包括智慧型手機、PC、機器人、小米汽車及智能駕駛系統等。

此外,小米還展示了AI Cube原型機。該系統搭載玄戒O3 + D100,在最高約150W持續功耗下,可以在本地運行參數規模最高達1200億(120B)的AI模型。

目前,玄戒O100已經完成晶片流片驗證,計畫於2027年正式商業化應用(印科技)