據《The Information》報導，長鑫記憶體已啟動 HBM3E 記憶體的風險試產工作。
據報導，長鑫記憶體當前計畫擴大產能。預計到今年年底，該公司的 DRAM 製造能力將達到每月 35 萬片晶圓，未來幾年的產能還將繼續提高。目前長鑫的 HBM3E 生產規模依然十分有限，這意味著他們剛剛進入風險試產階段。
雖然還不清楚長鑫記憶體 HBM3E 的具體規格，但根據 JEDEC（固態技術協會）規範，HBM3E 應採用 1024-bit 位寬，單引腳速率介於 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之間，大多數標準配置的目標速率為 9.6Gbps。
在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的總頻寬可達 1.2TB/s。在採用 8 層堆疊（8-Hi）、單層 24Gb DRAM 晶片的情況下，其單個堆疊容量為 24GB；採用 12 層堆疊時，容量可達 36GB。
考慮到長鑫記憶體此前已具備從風險試產快速過渡到大規模量產的能力，因此其 HBM3E 有可能在數周內進入大規模量產階段。
此外，長鑫記憶體在晶圓廠潔淨室建設速度方面擁有明顯優勢。其建設一座晶圓廠潔淨室僅需 12 個月，其他廠商通常需要兩年。(AMP實驗室)